半导体装置和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置结构涉及电子装置，所述电子装置包含装置顶部表面、与所述装置顶部表面相对的装置底部表面、在所述装置顶部表面与所述装置底部表面之间延伸的装置侧表面，以及安置于所述装置顶部表面上的衬垫。互连件连接到所述衬垫，且所述互连件包括：各自在向上方向上从相应衬垫延伸的第一区，以及各自连接到相应第一区的第二区，其中每一第二区在横向方向上从所述相应第一区延伸。所述互连件包括所述衬垫上的再分布图案。本文中也公开其它实例和相关方法。实例和相关方法。实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造半导体装置的方法


[0001]本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]现有的半导体封装和形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过量、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。

技术实现思路

[0003]本专利技术描述除了其它特征外还包含一种封装式电子装置结构和包括附接到电子装置的互连件的相关方法。所述互连件包含在向上方向上从电子装置延伸的第一区以及连接到第一区的第二区。第二区在横向方向上从第一区延伸。在一些实例中，电子装置和互连件的部分覆盖有囊封物。在一些实例中，互连件的其它部分从囊封物暴露。除了其它以外，所述结构和方法为电子装置提供更有成本效益的再分布模式，其使用简化的过程流程，提供较好的形状因子再分布，且提供较快的电路径。
[0004]更确切地说，在一个实例中，一种封装式电子装置结构包含电子装置，所述电子装置具有装置顶部表面、与装置顶部表面相对的装置底部表面，以及在装置顶部表面与装置底部表面之间延伸的装置侧表面。互连件连接到装置顶部表面且包含在向上方向上从装置顶部表面延伸的第一区以及连接到第一区的第二区，其中第二区在横向方向上从第一区延伸。囊封物覆盖装置顶部表面、装置侧表面和第一区的外围，其中第二区的第一部分从囊封物的第一表面暴露，第二区的第二部分从囊封物的第二表面暴露，且囊封物覆盖第二区的第三部分。在一些实例中，所述电子装置包括有源或无源装置。在其它实例中，所述电子装置包括半导体装置。在一些实例中，第一区和第二区是作为随后经单分引线框结构的部分提供的整合式结构。在一些实例中，第二区橫向延伸超出电子装置的周界。在所述封装式电子装置结构中，横向方向基本上平行于装置顶部表面；且第二部分延伸以与装置侧表面重叠以便延伸到电子装置的周界外部。在所述封装式电子装置结构中，第一部分直接连接到电子装置的衬垫；且向上方向基本上垂直于装置顶部表面。在所述封装式电子装置结构中，装置底部表面从囊封物的第三表面暴露；且第三表面与第一表面相对。在所述封装式电子装置结构中，第一表面包括囊封物的顶部表面；且顶部表面与第二区的第一部分基本上共面。在所述封装式电子装置结构中，第二区的第二部分包括末端部分；第二表面包括囊封物的侧表面；且侧表面与末端部分基本上共面。
[0005]在另一实例中，一种半导体装置结构包含电子装置，所述电子装置具有装置顶部表面、与装置顶部表面相对的装置底部表面、在装置顶部表面与装置底部表面之间延伸的装置侧表面，以及安置于装置顶部表面上的衬垫。互连件连接到衬垫，且互连件包含各自在向上方向上从相应衬垫延伸的第一区以及各自连接到相应第一区的第二区，其中每一第二
区在横向方向上从相应第一区延伸。互连件包括衬垫上的再分布图案。所述半导体装置结构还包括：囊封物，其覆盖装置顶部表面、装置侧表面和第一区的外围，其中：第二区的第一部分从囊封物的第一表面暴露；第二区的第二部分从囊封物的第二表面暴露；且第二区的第三部分被囊封物覆盖。在所述半导体装置结构中，装置底部表面从囊封物的第三表面暴露；且第三表面与第一表面相对。在所述半导体装置结构中，第一表面包括囊封物的顶部表面；且顶部表面与第二区的第一部分基本上共面。在所述半导体装置结构中，第二区的第二部分包括末端部分；第二表面包括囊封物的侧表面；且侧表面与末端部分基本上共面。在所述半导体装置结构中，横向方向基本上平行于装置顶部表面；且第二部分延伸以与装置侧表面重叠以便延伸到电子装置的周界外部。在所述半导体装置结构中，向上方向基本上垂直于装置顶部表面。在所述半导体装置结构中，每一第二部分与相应第一部分整合。
[0006]在另一个实例中，一种用于制作半导体装置的方法包含提供衬底，所述衬底包括作为衬底的部分形成的多个电子装置。所述方法包含将互连件附接到电子装置上的衬垫，其中每一互连件横跨于相邻电子装置之间，其中每一互连件具有耦合到相应相邻电子装置的相应衬垫且在向上方向上延伸的第一区，以及在横向方向上将第一区彼此连接的第二区结构。所述方法包含单分所述衬底和所述多个互连件以将每一第二区分离为第二区且将衬底分离为个别电子装置。所述方法还包括：在多个电子装置之间形成从衬底的第一表面部分地向内延伸的凹槽；在衬底的第一表面上和凹槽内提供囊封物，使得囊封物填充互连件中的每一个之间的部分且填充互连件中的每一个与衬底的第一表面之间的部分；以及从衬底的与第一表面相对的第二表面移除衬底的一部分以从第二表面暴露囊封物。在所述方法中，形成凹槽发生在耦合互连件之前；且单分发生在移除衬底的部分之后。在所述方法中，在单分步骤之后囊封物的部分保留在电子装置的侧表面上。在所述方法中，提供囊封物包括以囊封物覆盖每一第二区结构的第一侧面，同时使每一第二区结构的第二侧从囊封物暴露。在所述方法中，耦合互连件包括耦合作为引线框提供的互连件。
[0007]其它实例包含于本公开中。在诸图、权利要求书和/或本公开的描述中可以找到此类实例。
附图说明
[0008]图1示出实例半导体装置的横截面图。
[0009]图2示出实例半导体装置的平面图。
[0010]图3示出实例半导体装置的仰视图。
[0011]图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F和图4G示出用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。
[0012]图5示出实例半导体装置的横截面图。
[0013]图6示出实例半导体装置的平面图。
[0014]图7A、图7B、图7C和图7D示出用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。
具体实施方式
[0015]以下论述提供半导体装置和制造半导体装置的方法的各种实例。此类实例是非限制性的，且所附权利要求书的范围不应限于公开的特定实例。在下文论述中，术语“实例”和
“
例如”是非限制性的。
[0016]诸图说明一般构造方式，且可能省略熟知特征和技术的描述和细节以免不必要地混淆本公开。另外，图式中的元件未必按比例绘制。例如，诸图中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件放大，以有助于改进对本公开中论述的实例的理解。不同诸图中的相同附图标记表示相同元件。
[0017]术语“或”表示由“或”连接的列表中的项目中的任何一个或多个项目。作为实例，“x或y”表示三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。作为另一实例，“x、y或z”表示七元素集合{(x),(y),(z),(x，y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任一元素。
[0018]术语“包括”、“包含”为“开放”术语，并且指定所陈述特征的存在，但并不排除一个或多个其它特征的存在或添加。
[0019]在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，并且这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，可以将本公开中论述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：电子装置，所述电子装置包括：装置顶部表面；装置底部表面，其与所述装置顶部表面相对；以及装置侧表面，其在所述装置顶部表面与所述装置底部表面之间延伸；互连件，其耦合到所述装置顶部表面，所述互连件包括：第一区，其在向上方向上从所述装置顶部表面延伸；以及第二区，其耦合到所述第一区，其中所述第二区在横向方向上从所述第一区延伸；以及囊封物，其覆盖所述装置顶部表面、所述装置侧表面和所述第一区的外围，其中：所述第二区的第一部分从所述囊封物的第一表面暴露；所述第二区的第二部分从所述囊封物的第二表面暴露；且所述囊封物覆盖所述第二区的第三部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述横向方向基本上平行于所述装置顶部表面；且所述第二部分延伸以与所述装置侧表面重叠以便延伸到所述电子装置的周界外部。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一部分直接连接到所述电子装置的衬垫；且所述向上方向基本上垂直于所述装置顶部表面。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述装置底部表面从所述囊封物的第三表面暴露；且所述第三表面与所述第一表面相对。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一表面包括所述囊封物的顶部表面；且所述顶部表面与所述第二区的所述第一部分基本上共面。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第二区的所述第二部分包括末端部分；所述第二表面包括所述囊封物的侧表面；且所述侧表面与所述末端部分基本上共面。7.一种半导体装置，包括：电子装置，所述电子装置包括：装置顶部表面；装置底部表面，其与所述装置顶部表面相对；装置侧表面，其在所述装置顶部表面与所述装置底部表面之间延伸；以及衬垫，其安置于所述装置顶部表面上；以及互连件，其耦合到所述衬垫，所述互连件包括：第一区，其各自在向上方向上从相应衬垫延伸；以及第二区，其各自耦合到相应第一区，其中每一第二区在横向方向上从所述相应第一区延伸，且其中所述互连件包括所述衬垫上的再分布图案。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：囊封物，其覆盖所述装置顶部表面、所述装置侧表面和所述第一区的外围，其中：所述第二区的第一部分从所述囊封物的第一表面暴露；所述第二区的第二部分从所述囊封物的第二表面暴露；且所述第二区的第三部分被所述囊封物覆盖。9.根据权利要求8所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：高永范，裴朱翰，林成佑，金云儿，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：