一种重新布线层的制备方法技术

本发明专利技术提供一种重新布线层的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，所述基板上表面具有一粘结层；2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的上表面形成图形化的光刻胶层；4)于未被所述光刻胶层覆盖的种子层上表面形成金属线层；5)去除所述光刻胶层6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的扩散阻挡层。采用干法刻蚀去除扩散阻挡层，消除了湿法刻蚀的侧蚀现象，并避免了细间距重新布线层的剥离，提高了细间距重新布线层的制备良率。的制备良率。的制备良率。

【技术实现步骤摘要】
一种重新布线层的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体技术封装领域，尤其涉及一种重新布线层制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型晶圆级封装技术的出现，为技术的提升提供了更广阔的发展前景。
[0003]对于高I/O(输入/输出)芯片封装结构而言，需要多层重新布线获得高密度的中介板。然而，在有限的外形形状及封装尺寸下，重新布线层中金属线的线宽及线间距越小意味着可以得到越多的供电轨道。在现有工艺中，刻蚀是形成重新布线层最重要的工序之一，刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀，而且湿法刻蚀是最主要的方法，但是湿法刻蚀具有各向同性，对于Ti/Cu种子层的刻蚀来说，湿法刻蚀Ti种子层后，会出现侧蚀现象，如图1所示，图2是图1中所圈部分的局部放大图。由图1和图2可以看出，湿法刻蚀会侧蚀到金属线，从而导致金属线与基板的接触面积减少，容易引起金属线的剥离而导致器件失效。
[0004]因此，在重新布线层的制备过程中，如何解决湿法刻蚀导致的细间距重新布线层易剥离问题是本领域技术人员亟待解决的。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提出重新布线层的制备方法，用于解决湿法刻蚀制备的细间距重新布线层易剥离的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种重新布线层的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：
[0007]1)提供一基板，所述基板上表面具有一粘结层；
[0008]2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；
[0009]3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的上表面形成图形化的光刻胶层；
[0010]4)于未被所述光刻胶层覆盖的所述种子层上表面形成金属线层；
[0011]5)去除所述光刻胶层；
[0012]6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；
[0013]7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的所述扩散阻挡层。
[0014]可选地，所述扩散阻挡层的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN\Ta、TiW、Cr中的一种或多种。
[0015]可选地，所述种子层的材料包括铜、铜合金、铝或铝合金。
[0016]可选地，所述金属线层的材料为铜、铜合金、铝或铝合金。
[0017]可选地，所述基板的材料包括玻璃、陶瓷或半导体材料。
[0018]可选地，所述金属线层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。
[0019]可选地，所述种子层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。
[0020]可选地，所述扩散阻挡层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。
[0021]可选地，所述干法刻蚀的工艺参数包括：工艺气体包括Cl2、BCl3和N2，源射频功率为500W～1500W，偏置射频功率为100W～200W，工艺时间为40s～80s。
[0022]可选地，所述图形化光刻胶层的厚度大于等于所述金属线层的厚度。
[0023]如上所述，本专利技术在重新布线层的制备过程中，通过采用干法刻蚀去除扩散阻挡层，消除了湿法刻蚀的侧蚀现象，并避免了细间距重新布线层的剥离，提高了细间距重新布线层的制备良率，最终提高了器件的性能。
附图说明
[0024]图1显示为现有技术中刻蚀Ti阻挡层后的侧蚀现象。
[0025]图2显示为图1所圈部分的局部放大图。
[0026]图3显示为重新布线层的制备流程图。
[0027]图4显示为实施例中提供一具有粘结层的基板的示意图
[0028]图5显示为实施例中依次沉积扩散阻挡层和种子层的示意图。
[0029]图6显示为实施例中形成图形化光刻胶层的示意图。
[0030]图7显示为实施例中形成金属线层的示意图。
[0031]图8显示为实施例中去除光刻胶层的示意图。
[0032]图9显示为实施例中湿法刻蚀去除种子层的示意图。
[0033]图10显示为实施例中干法刻蚀去除扩散阻挡层的示意图。
[0034]元件标号说明
[0035]10
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基板
[0036]11
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粘结层
[0037]12
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扩散阻挡层
[0038]13
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种子层
[0039]14
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光刻胶层
[0040]15
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金属线层
具体实施方式
[0041]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0042]请参阅图3至图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0043]如图3～10所示，本实施例提供一种重新布线层的制备方法。
[0044]请参阅图3，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：
[0045]1)提供一基板，所述基板具有一粘结层；
[0046]2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；
[0047]3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的表面形成图形化的光刻胶层；
[0048]4)于未被所述光刻胶层覆盖的种子层上表面形成金属线层；
[0049]5)去除所述光刻胶层；
[0050]6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；
[0051]7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的扩散阻挡层。
[0052]下面结合附图进一步详细说明本实施例的技术方案。
[0053]如图4所示，进行步骤1)，提供一基板10，基板之上具有一粘结层11。
[0054]基板10的材料可以为玻璃、陶瓷或半导体材料，为重新布线层的制备提供支撑。
[0055]所述粘结层11在后续工艺中作为重新布线层和载体之间的分离层，其最好选用具有光洁表面的黏合材料制成，其必须与基板有一定的结合力，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，所述基板上表面具有一粘结层；2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的上表面形成图形化的光刻胶层；4)于未被所述光刻胶层覆盖的所述种子层上表面形成金属线层；5)去除所述光刻胶层；6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的所述扩散阻挡层。2.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN\Ta、TiW、Cr中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述种子层的材料包括铜、铜合金、铝或铝合金。4.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述金属线层的材料为铜、铜合金、铝或铝合金。5.根据权利要求4所述的重新布线层的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，周祖源，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：