一种5G环行器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种5G环形器，包括由上至下依次层叠设置的上永磁体、上铁氧体、中心导体、下铁氧体和下永磁体，所述上永磁体为钐钴磁铁，所述下永磁体为锶钙磁铁，所述锶钙磁铁表面设有镍层。采用锶钙磁铁作为下永磁体能够大大降低5G环形器的成本，锶钙磁铁表面设有的镍层有助于提高5G环形器的电气性能，致密的镍层还具有良好的光洁度，延长5G环形器的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种5G环行器
本技术涉及通信
，尤其涉及一种5G环形器。
技术介绍
5G环形器为通信技术中心常用的信号转换设备，在微波电路中对微波信号或能量起隔离、环形、方向变换、相位控制、幅度调剂或频率调谐等作用。现有的5G环形器的永磁体大多采用稀土作为永磁材料，其中又以磁性强、耐高温的钐钴材料为代表，但是大量使用钐钴材料的5G环形器制造成本较高，不适于大规模推广使用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种低成本的5G环形器。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种5G环形器，包括由上至下依次层叠设置的上永磁体、上铁氧体、中心导体、下铁氧体和下永磁体，所述上永磁体为钐钴磁铁，所述下永磁体为锶钙磁铁，所述锶钙磁铁表面设有镍层。进一步的，还包括设于所述上永磁体与上铁氧体之间的接地片。进一步的，所述接地片的边缘处呈锯齿状。进一步的，还包括壳体、盖板以及卡槽，所述壳体包括底板，所述底板的边缘具有向上延伸的多个壁板，相邻两个壁板间隔设置，所述壁板上设有所述卡槽，所述盖板卡止于所述卡槽内。进一步的，所述壁板上设有用于给所述盖板导向的导向面，所述导向面位于所述卡槽的上方。进一步的，所述壳体内设有定位介质环，所述定位介质环上设有固定所述中心导体的安装臂，所述安装臂沿所述定位介质环的径向向外延伸并位于相邻两个所述壁板的间隔中。进一步的，所述壳体和盖板的材质均为纯铁，所述壳体的厚度为0.6mm，所述盖板的厚度为0.5mm。进一步的，所述中心导体上设有绝缘层，所述绝缘层的材质为PTFE。进一步的，还包括设于所述下铁氧体和下永磁体之间的匀磁片。进一步的，所述上铁氧体和下铁氧体的材质均为钇铁石榴石。本技术的有益效果在于：采用锶钙磁铁作为下永磁体能够大大降低5G环形器的成本，锶钙磁铁表面设有的镍层有助于提高5G环形器的电气性能，致密的镍层还具有良好的光洁度，延长5G环形器的使用寿命。附图说明图1为本技术实施例一的5G环形器的爆炸图；图2为本技术实施例二的5G环形器的爆炸图；图3为本技术实施例二的5G环形器的部分结构示意图。标号说明：1、上永磁体；2、上铁氧体；3、中心导体；4、下铁氧体；5、下永磁体；6、接地片；7、壳体；71、底板；72、壁板；73、导向面；8、盖板；9、卡槽；11、定位介质环；12、安装臂；13、匀磁片。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本技术最关键的构思在于：采用锶钙磁铁作为下永磁体能够大大降低5G环形器的成本。请参照图1至图3，一种5G环形器，包括由上至下依次层叠设置的上永磁体1、上铁氧体2、中心导体3、下铁氧体4和下永磁体5，所述上永磁体1为钐钴磁铁，所述下永磁体5为锶钙磁铁，所述锶钙磁铁表面设有镍层。本技术的结构原理简述如下：上永磁体具有强磁性、耐高温、体积小、抗外界磁性干扰能力强等优势，下永磁体具有低成本的优势，本技术的5G环形器同时具备以上特点，并且在锶钙磁铁表面上设置有镍层还能够改善了5G环形器的整体电气特性。从上述描述可知，本技术的有益效果在于：采用锶钙磁铁作为下永磁体能够大大降低5G环形器的成本，锶钙磁铁表面设有的镍层有助于提高5G环形器的电气性能，致密的镍层还具有良好的光洁度，延长5G环形器的使用寿命。进一步的，还包括设于所述上永磁体1与上铁氧体2之间的接地片6。进一步的，所述接地片6的边缘处呈锯齿状。由上述描述可知，边缘呈锯齿状的接地片与上永磁体之间相结合的边缘线路径更长，提高了5G环形器的磁屏蔽效果。进一步的，还包括壳体7、盖板8以及卡槽9，所述壳7体包括底板71，所述底板71的边缘具有向上延伸的多个壁板72，相邻两个壁板72间隔设置，所述壁板72上设有所述卡槽9，所述盖板8卡止于所述卡槽9内。进一步的，所述壁板72上设有用于给所述盖板8导向的导向面73，所述导向面73位于所述卡槽9的上方。进一步的，所述壳体7内设有定位介质环11，所述定位介质环11上设有固定所述中心导体3的安装臂12，所述安装臂12沿所述定位介质环11的径向向外延伸并位于相邻两个所述壁板72的间隔中。由上述描述可知，定位介质环的安装臂放置于壁板的间隔中，有效避免定位介质环发生相对壳体的转动，保持5G环形器的整体稳定。进一步的，所述壳体7和盖板8的材质均为纯铁，所述壳体7的厚度为0.6mm，所述盖板8的厚度为0.5mm。由上述描述可知，纯铁制成的壳体和盖板具有良好的电磁性能。进一步的，所述中心导体3上设有绝缘层，所述绝缘层的材质为PTFE。进一步的，还包括设于所述下铁氧体4和下永磁体5之间的匀磁片13。进一步的，所述上铁氧体2和下铁氧体4的材质均为钇铁石榴石。由上述描述可知，钇铁石榴石具有饱和磁化强度较低、介电损耗低和密度高的特点。实施例一请参照图1，本技术的实施例一为：一种5G环形器，包括由上至下依次层叠设置的上永磁体1、上铁氧体2、中心导体3、下铁氧体4和下永磁体5，所述上永磁体1为钐钴磁铁，所述下永磁体5为锶钙磁铁，所述锶钙磁铁表面设有镍层。在本实施例中，所述下永磁体5的尺寸为D8.7x1.4mm，所述上永磁体1的尺寸为D8.7x1.2mm，详细的，还包括设于所述上永磁体1与上铁氧体2之间的接地片6，设于所述下铁氧体4和下永磁体5之间的匀磁片13，具体的，所述接地片6的边缘处呈锯齿状，边缘呈锯齿状的接地片6与上永磁体1紧密贴合，能够增强5G环形器的磁屏蔽效果。详细的，包括铆压连接的壳体7和盖板8，所述壳7体与盖板8之间设有所述上永磁体1、上铁氧体2、中心导体3、下铁氧体4和下永磁体5。请参照图1，所述壳体7内设有定位介质环11，所述定位介质环11上设有固定所述中心导体3的安装臂12，所述安装臂12沿所述定位介质环11的径向向外延伸并位于相邻两个所述壁板72的间隔中，可选的，所述中心导体3螺钉连接在所述安装臂12上。优选的，所述壳体7和盖板8的材质均为纯铁，所述壳体7的厚度为0.6mm，所述盖板8的厚度为0.5mm，所述上铁氧体2和下铁氧体4的材质均为钇铁石榴石，所述壳体7和盖板8通过冲压形式或蚀刻形式加工而成，所述上铁氧体2和下铁氧体4的尺寸均为D8.0X0.5mm，介电常数为14，磁矩为1780Gs±200Gs，有效线宽为10Oe。可选的，所述中心导体3上设有绝缘层，所述绝缘层的材质为PTFE。本实施例中的5G环形器的频率为758-803MHz、791-821MHz、859-894MHz、920-960MHz、1452-1496MHz、1805-1880MHz、1930-2000MHz、2110-2200MHz、2300-2400本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种5G环形器，其特征在于：包括由上至下依次层叠设置的上永磁体、上铁氧体、中心导体、下铁氧体和下永磁体，所述上永磁体为钐钴磁铁，所述下永磁体为锶钙磁铁，所述锶钙磁铁表面设有镍层。/n

【技术特征摘要】
1.一种5G环形器，其特征在于：包括由上至下依次层叠设置的上永磁体、上铁氧体、中心导体、下铁氧体和下永磁体，所述上永磁体为钐钴磁铁，所述下永磁体为锶钙磁铁，所述锶钙磁铁表面设有镍层。


2.根据权利要求1所述的5G环形器，其特征在于：还包括设于所述上永磁体与上铁氧体之间的接地片。


3.根据权利要求2所述的5G环形器，其特征在于：所述接地片的边缘处呈锯齿状。


4.根据权利要求1所述的5G环形器，其特征在于：还包括壳体、盖板以及卡槽，所述壳体包括底板，所述底板的边缘具有向上延伸的多个壁板，相邻两个壁板间隔设置，所述壁板上设有所述卡槽，所述盖板卡止于所述卡槽内。


5.根据权利要求4所述的5G环形器，其特征在于：所述壁板上设有用于给所述盖板导向的导向面，所述导向面位...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊飞，张伟，
申请(专利权)人：深圳市华扬通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44