背板制造技术

本实用新型专利技术提供一种背板。所述背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸。本实用新型专利技术提供的像素结构可以降低像素结构的面积提高TFT(薄膜晶体管)的宽长比，以提升驱动晶体管的驱动能力并提高背板的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
背板
本技术涉及显示
或3D打印
，尤其涉及一种背板。
技术介绍
在现有技术中，在制作背板时，当背板中的像素结构占用的像素区域的尺寸较小时，无法合理布局像素结构中的驱动晶体管和开关晶体管，导致无法提升驱动晶体管的宽长比，无法提升驱动晶体管的驱动能力。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种背板，解决现有技术中在制作背板时，当背板中的像素结构占用的像素区域的尺寸较小时，无法提升驱动晶体管的宽长比的问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种背板，所述背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；所述栅线沿阵列的行方向延伸，且位于像素结构的靠近下一行像素结构的一侧；所述数据线沿所述阵列的列方向延伸，所述电源线包括沿列方向延伸的电源线；所述数据线和所述沿列方向延伸的电源线位于所述像素结构的相对的两侧；在所述像素结构所在的像素区域中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管沿列方向依次设置；所述驱动晶体管的栅极在行方向上由所述数据线向所述电源线方向延伸，所述驱动晶体管的栅极在列方向上由上一行像素结构的栅线向所述开关晶体管的方向延伸；所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸；所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极分别沿行方向延伸，且所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极沿列方向依次排列；所述驱动晶体管的栅极与所述开关晶体管的漏极相连，所述驱动晶体管的源极与所述电源线电连接，所述驱动晶体管的漏极与所述阳极电连接；所述开关晶体管的源极与所述数据线电连接，所述开关晶体管的栅极与所述栅线电连接。与现有技术相比，本技术实施例所述的背板可以使得所述驱动晶体管的栅极占据所述像素区域的列方向上的大部分区域，并驱动晶体管和开关晶体管布局紧凑，并且所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸，以使得所述驱动晶体管的宽长比大，以提升驱动晶体管的驱动能力。附图说明图1是本技术至少一实施例所述的背板中的像素结构的一实施例的电路图；图2是本技术至少一实施例所述的背板的一种布局示意图；图3是本技术至少一实施例所述的背板的另一种布局示意图；图4和图5是图2中的栅金属层的俯视图；图6是图2中的有源层的俯视图；图7是图2中的源漏金属层的俯视图；图8是图3中的导电层的俯视图；图9是所述导电层的一实施例的俯视图；图10是图2中的电容电极层的俯视图；图11是图2中的阳极层的俯视图；图12是在图3所示的背板的实施例的基础上增加对各过孔的标号的示意图；图13是在图3的基础上增加了A-A’截面线的示意图；图14是图13所示的背板的A-A’方向上的截面图；图15A是本技术至少一实施例所述的背板的一种布局示意图；图15B是图15A所示的背板的B-B’方向上的截面图；图16是图3所示的背板的实施例采用的另一种导电层的俯视图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本申请提供的背板至少可以用于3D打印系统中的打印背板，该背板上包含有打印阳极，呈阵列分布，背板驱动阳极实现3D打印。或者本申请提供的背板至少可以用于显示领域，驱动像素电极(此时背板的阳极可以为像素电极，但不以此为限)实现液晶显示或OLED(有机发光二极管)显示。本技术实施例所述的背板可以包括包括设置于衬底基板上的像素结构；如图1所示，所述像素结构可以括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、存储电容C1和阳极10；所述驱动晶体管T1的栅极G1与所述存储电容C1的第一极板C1a电连接，所述驱动晶体管T1的源极S1与电源线V1电连接，所述驱动晶体管T1的漏极D1与所述阳极10电连接；所述开关晶体管T2的栅极G2与栅线G0电连接，所述开关晶体管T2的源极S2与数据线D0电连接，所述开关晶体管T2的漏极D2与所述存储电容C1的第一极板C1a电连接；所述存储电容C1的第二极板C1b与所述阳极10电连接。如图1所示的像素结构的实施例在工作时，在所述栅线G0提供的栅极驱动信号的控制下，T2打开，以将数据线D0上的数据电压提供至T1的栅极，T1在其栅极的电位的控制下，控制所述电源线V1与所述像素电极10之间连通或断开；C1用于维持T1的栅极的电位。本技术实施例所述的背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；栅线沿阵列的行方向延伸，且位于像素结构的靠近下一行像素结构的一侧；所述电源线包括沿列方向延伸的电源线；所述数据线和所述沿列方向延伸的电源线位于所述像素结构的相对的两侧；在所述像素结构所在的像素区域中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管沿列方向依次设置；所述驱动晶体管的栅极在行方向上由所述数据线向所述电源线方向延伸，所述驱动晶体管的栅极在列方向上由上一行像素结构的栅线向所述开关晶体管的方向延伸；所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸；所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极分别沿行方向延伸，且所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极沿列方向依次排列；所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极设置于所述驱动晶体管的有源层图形与所述衬底基板之间，或者，所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极设置于所述有源层图形远离所述衬底基板的一侧；所述驱动晶体管的栅极与所述开关晶体管的漏极相连，所述驱动晶体管的源极与所述电源线电连接，所述驱动晶体管的漏极与所述阳极电连接；所述开关晶体管的源极与所述数据线电连接，所述开关晶体管的栅极与所述栅线电连接。在本技术实施例所述的背板，在所述像素结构所在的像素区域中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管沿列方向依次设置，并且驱动晶体管的栅极行方向上，都是由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸，以占据所述像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；/n所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；/n所述栅线沿阵列的行方向延伸，且位于像素结构的靠近下一行像素结构的一侧；所述数据线沿所述阵列的列方向延伸，所述电源线包括沿列方向延伸的电源线；所述数据线和所述沿列方向延伸的电源线位于所述像素结构的相对的两侧；/n在所述像素结构所在的像素区域中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管沿列方向依次设置；/n所述驱动晶体管的栅极在行方向上由所述数据线向所述电源线方向延伸，所述驱动晶体管的栅极在列方向上由上一行像素结构的栅线向所述开关晶体管的方向延伸；/n所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸；/n所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极分别沿行方向延伸，且所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极沿列方向依次排列；/n所述驱动晶体管的栅极与所述开关晶体管的漏极相连，所述驱动晶体管的源极与所述电源线电连接，所述驱动晶体管的漏极与所述阳极电连接；/n所述开关晶体管的源极与所述数据线电连接，所述开关晶体管的栅极与所述栅线电连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种背板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；
所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；
所述栅线沿阵列的行方向延伸，且位于像素结构的靠近下一行像素结构的一侧；所述数据线沿所述阵列的列方向延伸，所述电源线包括沿列方向延伸的电源线；所述数据线和所述沿列方向延伸的电源线位于所述像素结构的相对的两侧；
在所述像素结构所在的像素区域中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管沿列方向依次设置；
所述驱动晶体管的栅极在行方向上由所述数据线向所述电源线方向延伸，所述驱动晶体管的栅极在列方向上由上一行像素结构的栅线向所述开关晶体管的方向延伸；
所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸；
所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极分别沿行方向延伸，且所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极沿列方向依次排列；
所述驱动晶体管的栅极与所述开关晶体管的漏极相连，所述驱动晶体管的源极与所述电源线电连接，所述驱动晶体管的漏极与所述阳极电连接；
所述开关晶体管的源极与所述数据线电连接，所述开关晶体管的栅极与所述栅线电连接。


2.如权利要求1所述的背板，其特征在于，所述栅线具有第一突出部，所述数据线具有第二突出部；
所述开关晶体管的有源层图形的沟道的宽度方向与所述驱动晶体管的沟道的宽度方向相垂直，所述开关晶体管的栅极为所述第一突出部，所述开关晶体管的源极为所述第二突出部；
所述开关晶体管的漏极与延伸部为一体式结构，所述延伸部向所述电源线方向延伸，并所述延伸部在所述衬底基板的正投影与所述驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影之间部分重叠，所述开关晶体管的漏极通过过孔与所述驱动晶体管的栅极电连接。


3.如权利要求1所述的背板，其特征在于，同一行像素结构中相邻两列像素结构镜像设置。


4.如权利要求3所述的背板，其特征在于，同一行像素结构中相邻两列像素结构镜像设置于所述电源线的两侧；
镜像设置于所述电源线的两侧的两个像素结构共用一条所述电源线，所述电源线位于镜像设置的两个驱动晶体管之间；所述镜像设置于所述电源线的两侧的两个像素结构中的数据线，位于所述像素结构的远离所述电源线的一侧。


5.如权利要求4所述的背板，其特征在于，所述镜像设置的两个像素结构中的两个驱动晶体管的源极相连且为一体结构。


6.如权利要求2所述的背板，其特征在于，所述驱动晶体管的栅极在列方向的长度大于所述驱动晶体管的有源层图形在列方向的长度，使得所述驱动晶体管的栅极相对于有源层向开关晶体管的方向延伸，所述驱动晶体管的栅极的延伸部分与所述驱动晶体管的有源层图形在衬底基板上的投影无覆盖区域；
所述驱动晶体管的漏极通过电容电极层与所述阳极电连接；
所述电容电极层与所述栅极的延伸部分在衬底基板上有重叠区域，所述电容电极层至少与所述栅极的延伸部分构成电容。


7.如权利要求6所述的背板，其特征在于，所述电容电极层位于所述驱动晶体管的漏极与所述阳极之间，所述电容电极层与所述驱动晶体管的漏极之间设有第一绝缘层，所述电容电极层与所述阳极之间设...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭怡彤，周健，孙拓，陈江博，李延钊，许晓春，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11