一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜，包括PET基材层，所述PET基材层上方依次设置有非氧化单晶硅层、氮化硅层、SiO

【技术实现步骤摘要】
一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜
本技术涉及导电触摸屏
，具体为一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜。
技术介绍
目前面上常见的柔性导电膜多使用卷对卷真空磁控溅射技术，生产出的产品方阻大多在100Ω/口及以上，广泛应用于手机、平板等电子设备。其后端TP(TouchPanel)使用蚀刻后的导电膜用来捕捉触摸信号，应用在大尺寸触摸屏上时，由于方阻高、通道长，导致触摸信号从发出到接受的时间差较长，也就是触控延迟现象。高方阻导电膜制约了显示屏尺寸大小，低阻(100Ω/口及以下)导电膜由于其方阻低，反应时间短，灵敏度高，恰能解决触控延迟问题。目前大尺寸触摸屏正成为行业内新的趋势，可应用教室、商场、办公室、医院等场所，给人们的生产生活带来便捷。针对高方阻导电膜应用在86寸等大尺寸触摸屏上出现触控延迟现象，我司自主研发的柔性低阻高透导电膜能很好的解决这一问题。目前也有同行生产出了低阻柔性导电膜，但在生产中，ITO层的厚度与其方阻成反比，即ITO层越厚方阻越低，ITO层越薄方阻越高，要想得到低阻导电膜就需要增加ITO层厚度，但ITO层厚度增加，导电膜就会变黄；行业内使用的PET基材大多为50-188um，较厚的基材将使大尺寸触摸屏变得更加笨重。目前低阻导电膜镀层厚度均超过100nm，镀膜过后将导致成品较脆，弯折容易发生镀层脱落。对于高方阻产品，ITO层较薄，腔室内气体分布对整体产品均匀性影响较小；针对低阻产品，镀层较厚，腔室内气体分布将会直接影响成品整体性能均匀性。现有柔性导电膜多用于小尺寸触摸屏，应用在大尺寸触摸屏时由于通道过长，导致反应延迟。在人机交互迅猛发展的今天，触摸屏出现延迟是致命的。在未来，大尺寸触控显示上的人机交互势必成为趋势，这就对柔性导电膜的要求很高。目前市场上出现的大尺寸屏幕，例如交互电视，其尺寸过大，使用时可明显感受到延迟，并未受到广大消费者的青睐。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜，包括PET基材层，所述PET基材层上方依次设置有非氧化单晶硅层、氮化硅层、SiO2层和ITO层，所述PET基材层厚度设置为23um，所述非氧化单晶硅层厚度设置为0.9～1.2nm，所述氮化硅层厚度设置为15.9～17.5nm，所述SiO2层厚度设置为22.8～23.9nm，所述ITO层厚度设置为129～140nm。优选的，所述PET基材层远离非氧化单晶硅层一侧连接有OCA光学胶层，所述OCA光学胶层厚度设置为22nm。优选的，所述非氧化单晶硅层厚度设置为1nm。优选的，所述氮化硅层厚度设置为16.7nm。优选的，所述SiO2层厚度设置为23.3nm。优选的，所述ITO层厚度设置为132nm。优选的，所述氮化硅层为氮化物Si3N4。一种制备方法，用于制备所述适用于大尺寸触摸屏的导电膜，包括以下步骤：S101、制备厚度为23um的PET基材层，并对PET基材层表面进行预处理钛靶溅射；S102、在PET基材层表面通过硅靶溅射的方式溅射一层厚度为0.9～1.2nm的非氧化单晶硅层；S103、在非氧化单晶硅层上溅射一层厚度为15.9～17.5nm的氮化硅层，通入氮气100sccm，氩气100sccm，溅射功率为20-27KW；S104、在氮化硅层上通过真空磁控溅射镀膜形成一层厚度为22.8～23.9nm的SiO2层，真空磁控溅射过程中硅靶腔室中通入氧气100-130sccm，氩气100sccm，硅靶溅射总功率为20-27KW，硅靶腔室中通入氧气模式为自动；S105、在SiO2层上通过真空磁控溅射镀膜形成一层厚度为129～140nm的ITO层，真空磁控溅射过程中ITO靶腔室中通入氩氧混合气，氩氧混合气中氩气和氧气所占比例分别为93：7，氩氧混合气的流量为43-60sccm，ITO靶溅射总功率为17-23KW；其中，在S103步骤制备氮化硅层时，氮气在靶材远离靶电源一端的Drive侧和靶材靠近靶电源一端的Trolley侧分布均为25％，中间Center处为50％，氩气在靶材远离靶电源一端的Drive侧和靶材靠近靶电源一端的Trolley侧分布均为25％，中间Center处为50％；在S104步骤制备SiO2层时，氧气在靶材远离靶电源一端的Drive侧和靶材靠近靶电源一端的Trolley侧分布均为25％，中间Center处为50％，氩气在靶材远离靶电源一端的Drive侧和靶材靠近靶电源一端的Trolley侧分布均为25％，中间Center处为50％；在S105步骤制备ITO层时，氩氧混合气在靶材远离靶电源一端的Drive侧分布为40％、在靶材靠近靶电源一端的Trolley侧为20％，中间Center处为40％。优选的，在所述PET基材层远离非氧化单晶硅层一侧贴附形成一层厚度为22nm的OCA光学胶层。优选的，任意一个需要进行镀膜的步骤中其镀膜阶段走速均为1.5-2.0m/min。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术中自主开发的低阻超薄柔性导电膜在ITO层下方增加了高折层和低折层，通过一系列光学模拟和生产试验，最终实现加热后透过率≥86％、色度b*＜2、雾度＜1，其性能好坏直接影响屏幕质量，这些优异的性能是同类产品无法比拟的，并且导电膜基材PET厚度仅为23um，超薄基材将使大尺寸触摸屏变得轻便化。本技术针对以往产品两侧性能差异较大，精准控制两侧及中间反应工艺分布，最大程度使溅射层均匀化最优，使成品整体性能差异小，加热后性能更加稳定，应用在86寸大尺寸触摸屏上时，虽然通道长，但方阻低，信号传递快，延迟低。本技术在镀膜前首先进行钛靶轰击，改变膜层表面微型面貌，增加膜层附着力，非氧化单晶硅的引入进一步活化了膜层，为后面溅射打下了坚实的基础，防止膜层过厚导致镀层脱落，科学控制气体在腔室内分布，膜层均匀化最优，成品应用在86寸大尺寸触摸屏上不会出现明显可感的延迟现象。附图说明图1为本技术的导电膜层整体结构示意图；图2为本技术实施例的导电膜制备方法流程示意图。图中：1PET基材层、2非氧化单晶硅层、3氮化硅层、4SiO2层、5ITO层、6OCA光学胶层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜，包括PET基材层1，PET基材层1上方依次设置有非氧化单晶硅层2、氮化硅层3、SiO2层4和ITO层5，镀膜前，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜，包括PET基材层(1)，其特征在于：所述PET基材层(1)上方依次设置有非氧化单晶硅层(2)、氮化硅层(3)、SiO

【技术特征摘要】
1.一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜，包括PET基材层(1)，其特征在于：所述PET基材层(1)上方依次设置有非氧化单晶硅层(2)、氮化硅层(3)、SiO2层(4)和ITO层(5)，所述PET基材层(1)厚度设置为23um，所述非氧化单晶硅层(2)厚度设置为0.9～1.2nm，所述氮化硅层(3)厚度设置为15.9～17.5nm，所述SiO2层(4)厚度设置为22.8～23.9nm，所述ITO层(5)厚度设置为129～140nm。


2.根据权利要求1所述的一种适用于大尺寸触摸屏的导电膜，其特征在于：所述PET基材层(1)远离非氧化单晶硅层(2)一侧连接有OCA光学胶层(6)，所述OCA光学胶层(6)厚度设置为22nm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑琦林，巩燕龙，廖晓芮，张红，高峰，张浩，刘月豹，
申请(专利权)人：安徽方兴光电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34