一种电源控制电路及方法技术

本发明专利技术提供了一种电源控制电路及方法，涉及一种控制电路，包括相连接的电源电路、峰值侦测电路和调节电路；所述电源电路将所述电源电路的侦测电压信号发送给所述峰值侦测电路，其中所述侦测电压信号包括汲极电压信号和源极电压信号；所述峰值侦测电路根据所述汲极电压信号和所述源极电压信号进行计算，得到负载信号并发送给所述调节电路；所述调节电路根据所述负载信号调节所述电源电路的输出。通过新架构来增进服务器系统电源效率，使用峰值侦测电路结合比较器功能,进而达到即时侦测上半部MOSFET之V_HS_D与V_HS_S两端电压峰值的目的,可快速防止下半部MOSFET(M2)突波,并且同时反应到每一组DC/DC降压转换器。

【技术实现步骤摘要】
一种电源控制电路及方法
本专利技术涉及一种控制电路，尤其是涉及一种电源控制电路及方法。
技术介绍
在典型服务器中，提供许多省电的设计方法，例如：选择低电压处理器与记忆体，共享散热模组,对于电源工程师维持电路高效率将电力损失最小化是其设计的目的之一。所以在此之后提出的新架构DC/DC降压转换器线路减少电力损失促进服务器电源系统效率优化。现有的电源控制电路，在服务器主机板上有许多稳压器，例如：12V转5V，12V转3V，12V转1.8V等，另外,DC/DC降压转换器电路其中R1和C1组成RC缓冲电路，而下臂MOSFET(M2)之闸极会有一个下地电容C2；RC缓冲电路的缺陷在于：转移能量至R1电阻造成功率损耗；闸极电容C2缓冲电路的缺陷在于：闸极电容C2比C1小，所能减少的Vds峰值有限，虽然造成功率损耗比RC缓冲电路少，但转移能量至下臂MOSFET(M2)造成少量功率损耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电源控制电路及方法，该控制电路对于服务器电源系统优化，在此之后采用检测到的电路结合比较器的功能，立即检测上臂部MOSFER的V_HS_S与V_HS_D电压前端功能反应在RCSnubber电路，可以在重负载时启动RCSnubber电路。但在轻、中负载时取消缓冲电路(Snubbercircuit)或者下臂部MOSFET之GATE端C2，可对于不同负载下达到服务器电源系统效率优化。第一方面，本专利技术提供的一种电源控制电路，包括相连接的电源电路、峰值侦测电路和调节电路；<br>所述电源电路将所述电源电路的侦测电压信号发送给所述峰值侦测电路，其中所述侦测电压信号包括汲极电压信号和源极电压信号；所述峰值侦测电路根据所述汲极电压信号和所述源极电压信号进行计算，得到负载信号并发送给所述调节电路；所述调节电路根据所述负载信号调节所述电源电路的输出。进一步的，所述峰值侦测电路包括比较器、电阻Rin、电阻Rf和放大器；所述比较器与所述电源电路相连，输入所述侦测电压信号，所述比较器的输出端与所述电阻Rin的第一端相连，所述电阻Rin的第二端分别与所述电阻Rf的第一端和所述放大器的负极输入端相连，所述电阻Rf的第二端连接所述放大器的输出端，所述放大器的正极输入端接地，所述放大器的输出端输出所述负载信号。进一步的，所述负载信号包括第一负载信号和第二负载信号，所述调节电路包括轻比较器、重比较器、场效应管M3和场效应管M4；所述轻比较器的输入端输入所述第一负载信号，所述轻比较器的输出端与所述场效应管M4的闸极相连，所述场效应管M4的源极接地，汲极与所述电源电路的低压输出端相连，所述重比较器的输入端输入所述第二负载信号；所述重比较器的输出端与所述场效应管M3的闸极相连，所述场效应管M3的源极接地，汲极与所述电源电路的高压输出端相连。进一步的，所述调节电路在所述负载信号为所述第一负载信号时，关闭所述场效应管M3，开启所述场效应管M4。进一步的，所述调节电路在所述负载信号为所述第二负载信号时，开启所述场效应管M3，关闭所述场效应管M4。进一步的，所述调节电路在所述负载信号为无信号时，关闭所述场效应管M3和所述场效应管M4。进一步的，所述峰值侦测电路在所述汲极电压信号和所述源极电压信号的电压值相差小于预设电压值时，输出所述第一负载信号。进一步的，所述峰值侦测电路在所述汲极电压信号和所述源极电压信号的电压值相差大于预设电压值时，输出所述第二负载信号。进一步的，所述峰值侦测电路在所述汲极电压信号和所述源极电压信号的电压值相同时，不输出所述所述负载信号。第二方面，本专利技术还提供一种电源控制方法，应用于上述电源控制电路，所述方法包括：将所述电源电路的侦测电压信号发送给所述峰值侦测电路，其中所述侦测电压信号包括汲极电压信号和源极电压信号；根据所述汲极电压信号和所述源极电压信号进行计算，得到负载信号并发送给所述调节电路；根据所述负载信号调节所述电源电路的输出。本专利技术提供的一种电源控制电路，增进服务器系统电源效率，使用峰值侦测电路得到负载信号,根据负载信号调节所述电源电路的输出，进而达到即时侦测上半部场效应管两端电压峰值的目的,可快速防止下半部场效应管发生突波,并且同时反应到每一组DC/DC降压转换器。相应地，本专利技术实施例提供的一种电源控制电路的控制方法，也同样具有上述技术效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的电源的波形图；图2为本专利技术电源控制电路的结构图；图3为本专利技术峰值侦测电路架构原理图；图4为本专利技术轻载HS_VDS实际波形图；图5为本专利技术重载HS_VDS实际波形图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例中所提到的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括其他没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。请参阅图2，本专利技术实施例提供了一种电源控制电路，包括相连接的电源电路、峰值侦测电路和调节电路；电源电路将电源电路的侦测电压信号发送给峰值侦测电路，其中侦测电压信号包括汲极电压信号和源极电压信号；峰值侦测电路根据汲极电压信号和源极电压信号进行计算，得到负载信号并发送给调节电路；调节电路根据负载信号调节电源电路的输出。上述电源控制电路，通过新架构来增进服务器系统电源效率，使用峰值侦测电路结合比较器功能,进而达到即时侦测上半部MOSFET之V_HS_D与V_HS_S两端电压峰值的目的,可快速防止下半部MOSFET(M2)突波,并且同时反应到每一组DC/DC降压转换器。请参阅图3，峰值侦测电路包括比较器、电阻Rin、电阻Rf和放大器；比较器与电源电路相连，输入侦测电压信号，比较器的输出端与电阻Rin的第一端相连，电阻Rin的第二端分别与电阻Rf的第一端和放大器的负极输入端相连，电阻Rf的第二端连接放大器的输出端，放大器的正极输入端接地，放大器的输出端输出负载信号。由图2可以得出：1、比较器侦测上臂MOSFET(M1)之V_HS_D与V_HS_S两端电压；2、轻载时,上臂MOSF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源控制电路，其特征在于，包括相连接的电源电路、峰值侦测电路和调节电路；/n所述电源电路将所述电源电路的侦测电压信号发送给所述峰值侦测电路，其中所述侦测电压信号包括汲极电压信号和源极电压信号；/n所述峰值侦测电路根据所述汲极电压信号和所述源极电压信号进行计算，得到负载信号并发送给所述调节电路；/n所述调节电路根据所述负载信号调节所述电源电路的输出。/n

【技术特征摘要】
1.一种电源控制电路，其特征在于，包括相连接的电源电路、峰值侦测电路和调节电路；
所述电源电路将所述电源电路的侦测电压信号发送给所述峰值侦测电路，其中所述侦测电压信号包括汲极电压信号和源极电压信号；
所述峰值侦测电路根据所述汲极电压信号和所述源极电压信号进行计算，得到负载信号并发送给所述调节电路；
所述调节电路根据所述负载信号调节所述电源电路的输出。


2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述峰值侦测电路包括比较器、电阻Rin、电阻Rf和放大器；
所述比较器与所述电源电路相连，输入所述侦测电压信号，所述比较器的输出端与所述电阻Rin的第一端相连，所述电阻Rin的第二端分别与所述电阻Rf的第一端和所述放大器的负极输入端相连，所述电阻Rf的第二端连接所述放大器的输出端，所述放大器的正极输入端接地，所述放大器的输出端输出所述负载信号。


3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负载信号包括第一负载信号和第二负载信号，所述调节电路包括轻比较器、重比较器、场效应管M3和场效应管M4；
所述轻比较器的输入端输入所述第一负载信号，所述轻比较器的输出端与所述场效应管M4的闸极相连，所述场效应管M4的源极接地，汲极与所述电源电路的低压输出端相连，所述重比较器的输入端输入所述第二负载信号；所述重比较器的输出端与所述场效应管M3的闸极相连，所述场效应管M3的源极接地，汲极与所述电源电路的高压输出端相连。

【专利技术属性】
技术研发人员：王圣尧，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32