分层电磁屏蔽封装结构和封装结构制作方法技术

本申请提供的一种分层电磁屏蔽封装结构和封装结构制作方法，涉及封装技术领域。该分层电磁屏蔽封装结构中，屏蔽器件包括层叠设置的底部屏蔽层、中间层和顶部屏蔽层，模组基板上设有第一接地点和第二接地点，底部屏蔽层与第一接地点电性连接，顶部屏蔽层与第二接地点电性连接；模组基板上设有第一封装体，用于塑封屏蔽器件和多个芯片，第一封装体表面的外表面设有金属层，底部屏蔽层和顶部屏蔽层分别与金属层电性连接。通过设置分层屏蔽区，可以实现封装结构顶部和底部抗电磁干扰的目的，封装结构的中部起到减弱电磁屏蔽性能的效果，以适应不同种类的电子产品抗干扰需求。

【技术实现步骤摘要】
分层电磁屏蔽封装结构和封装结构制作方法
本专利技术涉及封装
，具体而言，涉及一种分层电磁屏蔽封装结构和封装结构制作方法。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，系统级封装（SysteminaPackage，简写SIP）模组结构广泛应用于半导体行业中。并且，随着电子产品广泛运用于通信领域高频信号，故需要对电子产品进行抗电磁干扰设计。目前，通过在电子产品中设置分区电磁屏蔽结构，以防止各种芯片和元器件互相产生的电磁干扰现象发生。电磁屏蔽结构常常采用在封装结构中挖槽填充导电材料，通过导电材料以实现封装体外金属层的接地，达到电磁屏蔽的效果。这种方式封装工艺繁琐，并且整体封装结构的屏蔽性能一致，难以满足某些电子产品的个性化屏蔽需求。
技术实现思路
本专利技术的目的包括提供了一种分层电磁屏蔽封装结构和封装结构制作方法，其能够简化工艺流程，提高封装质量，同时能够实现封装结构在底部和顶部的电磁屏蔽效果较好，在封装结构中部的电磁屏蔽性能减弱的特点，以满足不同种类的电子产品的电磁屏蔽要求。本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术提供一种分层电磁屏蔽封装结构，包括模组基板、屏蔽器件和多个芯片，多个所述芯片间隔设置在所述模组基板上，至少两个相邻的所述芯片之间设有所述屏蔽器件；所述屏蔽器件包括层叠设置的底部屏蔽层、中间层和顶部屏蔽层，所述模组基板上设有第一接地点和第二接地点，所述底部屏蔽层与所述第一接地点电性连接，所述顶部屏蔽层与所述第二接地点电性连接；所述模组基板上设有第一封装体，用于塑封所述屏蔽器件和多个所述芯片，所述第一封装体表面的外表面设有金属层，所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层分别与所述金属层电性连接。在可选的实施方式中，所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层分别包括第一基板，所述第一基板的正面设有第一焊盘，所述第一基板的反面设有第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘电性连接；所述底部屏蔽层的所述第一焊盘和所述第二焊盘两者中，其中一个与所述第一接地点电性连接，另一个与所述金属层电性连接；所述顶部屏蔽层的所述第一焊盘和所述第二焊盘两者中，其中一个与所述第二接地点电性连接，另一个与所述金属层电性连接。在可选的实施方式中，所述第一焊盘连接有金属柱，所述金属柱与所述第一接地点或所述第二接地点电性连接；所述第一基板上设有第二封装体，用于塑封所述金属柱。在可选的实施方式中，所述第二封装体的塑封料中设有导电颗粒。在可选的实施方式中，所述中间层采用阻挡块，所述阻挡块的一侧与所述底部屏蔽层连接，另一侧与所述顶部屏蔽层连接。在可选的实施方式中，所述阻挡块上开设有通孔。在可选的实施方式中，所述阻挡块包括第二基板和设于所述第二基板上的第三封装体，所述第二基板和所述第三封装体两者中，其中一个与所述底部屏蔽层连接，另一个与所述顶部屏蔽层连接。第二方面，本专利技术提供一种封装结构制作方法，包括：制作屏蔽器件，所述屏蔽器件包括底部屏蔽层、中间层和顶部屏蔽层；提供模组基板，所述模组基板上设置第一接地点和第二接地点；在所述模组基板上间隔贴装多个芯片，在至少两个相邻的所述芯片之间贴装所述屏蔽器件，其中，所述底部屏蔽层贴装在所述模组基板上，所述中间层叠装于所述底部屏蔽层远离所述模组基板的一侧，所述顶部屏蔽层叠装于所述中间层远离所述底部屏蔽层的一侧；且所述底部屏蔽层与所述第一接地点电性连接，所述顶部屏蔽层与所述第二接地点电性连接；在所述模组基板的一侧形成第一封装体，以塑封所述屏蔽器件和多个所述芯片；在所述第一封装体表面的外表面设置金属层，所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层分别与所述金属层电性连接。在可选的实施方式中，所述制作屏蔽器件的步骤包括：制作所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层的步骤分别包括：提供第一基板，在所述第一基板的正面设置第一焊盘，在所述第一基板的反面设置第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘电性连接；在所述第一焊盘上设置金属柱，所述金属柱用于与所述第一接地点或所述第二接地点电性连接；在所述第一基板远离所述第二焊盘的一侧设置第二封装体，以塑封所述金属柱，且所述金属柱露出所述第二封装体；制作所述中间层的步骤包括：提供第二基板，在所述第二基板上设置第三封装体，所述第二基板和所述第三封装体两者中，其中一个与所述底部屏蔽层连接，另一个与所述顶部屏蔽层连接。在可选的实施方式中，所述制作所述中间层的步骤还包括：在所述第三封装体上开设通孔。本专利技术实施例提供的分层电磁屏蔽封装结构和封装结构制作方法，其有益效果包括：该电磁屏蔽封装结构中，屏蔽器件包括层叠设置的底部屏蔽层、中间层和顶部屏蔽层，模组基板上设有第一接地点和第二接地点，底部屏蔽层与第一接地点电性连接，顶部屏蔽层与第二接地点电性连接，且底部屏蔽层和顶部屏蔽层分别与封装结构外层的金属层电性连接，达到抗电磁干扰的效果。由于屏蔽器件设有中间层，中间层没有接地连接，因此，整个封装结构在顶部和底部的电磁屏蔽效果较好，在中部的电磁屏蔽效果较弱，能够满足不同电子产品的电磁屏蔽要求。该封装结构制作方法，通过制作单独的屏蔽器件，采用贴装方式将屏蔽器件设置在模组基板上，采用贴装方式可以避免传统工艺中挖槽填充导电材料的繁琐流程，减少设备成本，从而降低封装成本。并且避免了挖槽造成的槽深浅不一、填充不均等缺陷，有利于提高封装质量。此外，该屏蔽器件采用分层设计，顶部和底部的抗电磁干扰能力强，中部能够起到减弱电磁屏蔽的效果，适用于不同电子产品的屏蔽需求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术第一实施例提供的分层电磁屏蔽封装结构的剖面结构示意图；图2为本专利技术第一实施例提供的分层电磁屏蔽封装结构的底部屏蔽层的结构示意图；图3为本专利技术第一实施例提供的分层电磁屏蔽封装结构的中间层的结构示意图；图4为本专利技术第一实施例提供的分层电磁屏蔽封装结构的平面结构示意图；图5为本专利技术第二实施例提供的封装结构的制作方法中底部屏蔽层的制程示意图；图6为本专利技术第二实施例提供的封装结构的制作方法中，中间层的制程示意图；图7为本专利技术第二实施例提供的封装结构的制作方法制程示意图。图标：100-分层电磁屏蔽封装结构；110-模组基板；111-第一接地点；114-接地焊盘；115-连接焊盘；116-锡球；121-第一芯片；123-第二芯片；125-第三芯片；130-屏蔽器件；140-底部屏蔽层；141-第一基板；142-第一焊盘；143-第二焊盘；144-金属柱；145-第二封装体；150-中间层；151-第二基板；153-第三封装体；160-顶部屏蔽层；170-第一封装体；180-金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括模组基板、屏蔽器件和多个芯片，多个所述芯片间隔设置在所述模组基板上，至少两个相邻的所述芯片之间设有所述屏蔽器件；/n所述屏蔽器件包括层叠设置的底部屏蔽层、中间层和顶部屏蔽层，所述模组基板上设有第一接地点和第二接地点，所述底部屏蔽层与所述第一接地点电性连接，所述顶部屏蔽层与所述第二接地点电性连接；/n所述模组基板上设有第一封装体，用于塑封所述屏蔽器件和多个所述芯片，所述第一封装体表面的外表面设有金属层，所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层分别与所述金属层电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括模组基板、屏蔽器件和多个芯片，多个所述芯片间隔设置在所述模组基板上，至少两个相邻的所述芯片之间设有所述屏蔽器件；
所述屏蔽器件包括层叠设置的底部屏蔽层、中间层和顶部屏蔽层，所述模组基板上设有第一接地点和第二接地点，所述底部屏蔽层与所述第一接地点电性连接，所述顶部屏蔽层与所述第二接地点电性连接；
所述模组基板上设有第一封装体，用于塑封所述屏蔽器件和多个所述芯片，所述第一封装体表面的外表面设有金属层，所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层分别与所述金属层电性连接。


2.根据权利要求1所述的分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述底部屏蔽层和所述顶部屏蔽层分别包括第一基板，所述第一基板的正面设有第一焊盘，所述第一基板的反面设有第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘电性连接；
所述底部屏蔽层的所述第一焊盘和所述第二焊盘两者中，其中一个与所述第一接地点电性连接，另一个与所述金属层电性连接；所述顶部屏蔽层的所述第一焊盘和所述第二焊盘两者中，其中一个与所述第二接地点电性连接，另一个与所述金属层电性连接。


3.根据权利要求2所述的分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第一焊盘连接有金属柱，所述金属柱与所述第一接地点或所述第二接地点电性连接；所述第一基板上设有第二封装体，用于塑封所述金属柱。


4.根据权利要求3所述的分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述第二封装体的塑封料中设有导电颗粒。


5.根据权利要求1所述的分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述中间层采用阻挡块，所述阻挡块的一侧与所述底部屏蔽层连接，另一侧与所述顶部屏蔽层连接。


6.根据权利要求5所述的分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述阻挡块上开设有通孔。


7.根据权利要求5所述的分层电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔德荣，钟磊，李利，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33