包括桥式晶片的半导体封装制造技术

提供一种包括桥式晶片的半导体封装。一种半导体封装包括第一半导体晶片和第二半导体晶片、第一重分布线结构和第二重分布线结构、第一桥式晶片以及垂直连接器。第一半导体晶片和第一桥式晶片设置在第一重分布线结构上。第一桥式晶片被设置成提供第一半导体晶片与第一桥式晶片之间的水平差，第一桥式晶片的高度小于第一半导体晶片的高度。第二重分布线结构具有突出部，当从平面图观察时，突出部从第一半导体晶片的侧表面横向突出，并且第二重分布线结构的底表面与第一半导体晶片的顶表面接触。第二半导体晶片设置在第二重分布线结构上。垂直连接器设置在桥式晶片和第二重分布线结构的突出部之间以支撑突出部。

【技术实现步骤摘要】
包括桥式晶片的半导体封装
本公开的各个实施方式总体上涉及半导体封装技术，并且更具体地，涉及一种包括桥式晶片(bridgedie)的半导体封装。
技术介绍
最近，已经在各种电子系统中需要具有高密度并且能够高速操作的半导体封装。另外，已经开发出具有相对小的形状因子的结构的半导体封装。为了实现这些半导体封装，已经对倒装芯片层叠技术集中投入了大量努力。此外，为了实现厚度减小的半导体封装，已经对晶圆级封装技术集中投入了大量努力。
技术实现思路
根据一个实施方式，一种半导体封装包括：第一半导体晶片，其设置在第一重分布线结构上；第一桥式晶片，其设置在第一重分布线结构上以提供第一半导体晶片和第一桥式晶片之间的水平差，第一桥式晶片的高度小于第一半导体晶片的高度；以及第二重分布线结构，其层叠在第一半导体晶片上，使得第二重分布线的底表面与第一半导体晶片的顶表面接触。第二重分布线结构被设置成具有突出部，当从平面图观察时，突出部从第一半导体晶片的侧表面横向突出。第二半导体晶片设置在第二重分布线结构上。垂直连接器设置在第一桥式晶片与第二重分布线结构的突出部之间以支撑突出部。第一桥式晶片中包括第一通孔。根据另一实施方式，一种半导体封装包括：第一子封装，其包括中间部分和凹入边缘部分，凹入边缘部分的顶表面低于中间部分的顶表面。第二子封装层叠在第一子封装上，使得第二子封装的底表面与第一子封装的中间部分的顶表面接触。第二子封装具有与第一子封装的凹入边缘部分垂直间隔开的突出部。垂直连接器设置在凹入边缘部分上以支撑第二子封装的突出部。第一子封装包括：第一重分布线结构；第一半导体晶片，其设置在第一重分布线结构上；以及第一桥式晶片，其设置在第一重分布线结构上以提供第一半导体晶片和第一桥式晶片之间的水平差，第一桥式晶片的高度小于第一半导体晶片的高度。第一桥式晶片包括第一通孔和第一柱凸块。第一模制层围绕第一桥式晶片和第一半导体晶片以露出第一柱凸块的顶表面。垂直连接器连接到第一柱凸块。附图说明图1、图2和图3是例示根据实施方式的半导体封装的截面图。图4和图5是例示根据实施方式的半导体封装的平面图。图6是例示根据实施方式的半导体封装的截面图。图7是例示根据实施方式的半导体封装的截面图。图8是例示根据实施方式的半导体封装的截面图。图9是例示根据实施方式的半导体封装的截面图。图10是例示根据实施方式的半导体封装的子封装的截面图。图11是例示根据实施方式的半导体封装的子封装的平面图。图12是例示根据实施方式的半导体封装的桥式晶片的截面图。图13是例示根据实施方式的半导体封装的子封装的截面图。图14是例示根据实施方式的半导体封装的截面图。图15是被包括在图14的半导体封装中的桥式晶片的放大图。图16是例示根据实施方式的半导体封装的截面图。图17是例示采用包括至少一个根据各个实施方式的半导体封装存储卡的电子系统的框图。图18是例示包括至少一个根据各个实施方式的半导体封装的另一电子系统的框图。具体实施方式本文中使用的术语可以对应于考虑到它们在本公开的实施方式中的功能而选择的词语，并且术语的含义可以被解释为根据本公开的实施方式所属的领域中的普通技术人员是不同的。如果被详细地定义，则术语可以根据所述定义来解释。除非另有定义，否则本文中使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有本公开的实施方式所属的领域中的普通技术人员通常理解的相同的含义。应该理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开，而不是用于仅定义元件本身或意指特定的顺序。还应该理解，当一元件或层被称为在另一元件或层“上”、“上方”、“下”、“下方”或“外部”时，该元件或层可以直接与另一元件或层接触，或者可以存在中间元件或层。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应该以类似的样式来解释(例如，“在…之间”与“直接在…之间”或者“相邻”与“直接相邻”)。可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“在…之下”、“在…上方”、“在…之上”、“顶”、“底”等这样的空间相对术语来描述如例如图中例示的一个元件和/或特征与另一元件和/或特征的关系。应该理解，空间上相对的术语旨在除了附图中描绘的方位之外还涵盖使用和/或操作中装置的不同方位。例如，当将附图中的装置进行翻转时，被描述为在其它元件或特征下方或之下的元件随后将被定向为在所述其它元件或特征上方。装置可以按其它方式来定向(旋转90度或处于其它方位)，并且相应解释本文中使用的空间上相对的描述符。半导体封装可以包括诸如半导体晶片或半导体晶片这样的电子器件。可以通过使用晶片锯切处理将诸如晶圆这样的半导体基板分成多个件来获得半导体晶片或半导体晶片。半导体晶片可以对应于存储芯片、逻辑芯片(包括专用集成电路(ASIC)芯片)或片上系统(SoC)。存储芯片可以包括集成在半导体基板上的动态随机存取存储器(DRAM)电路、静态随机存取存储器(SRAM)电路、NAND型闪存电路、NOR型闪存电路、磁性随机存取存储器(MRAM)电路、电阻式随机存取存储器(ReRAM)电路、铁电随机存取存储器(FeRAM)电路或相变随机存取存储器(PcRAM)电路。逻辑芯片可以包括集成在半导体基板上的逻辑电路。可以在诸如移动电话、与生物技术或健康护理关联的电子系统或者可穿戴电子系统这样的通信系统中采用半导体封装。在整篇说明书中，相同的参考标号指代相同的元件。即使没有参照一幅图提及或描述一参考标号，也可以参照另一幅图提及或描述该参考标号。另外，即使在一幅图中没有示出一参考标号，也可以参照另一幅图提及或描述该参考标号。图1、图2和图3是例示根据实施方式的半导体封装10的截面图。图4和图5是例示图1至图3的半导体封装10的平面图。图1是沿着图4和图5的线X1-X1’截取的截面图。图2是沿着图4和图5的线X1-X1’的部分截取的放大截面图。图3是沿着图4和图5的线X2-X2’的部分截取的放大截面图。图4是在包括在图1的半导体封装10中的半导体晶片100的第一表面101的水平处截取的平面图。为了容易和方便说明的目的，在图4中省略了图1中例示的介电层390和连接器600。图5是在包括在图1的半导体封装10中的半导体晶片100的第二表面102的水平处截取的平面图。参照图1，半导体封装10可以被配置为包括半导体晶片100、桥式晶片200和重分布线300。在平面图中，桥式晶片200可以与半导体晶片100间隔开地设置。桥式晶片200可以包括仅设置在半导体晶片100的一侧的一个晶片，或者可以包括分别设置在半导体晶片100的两侧的两个晶片。重分布线300中的每一条可以被配置为包括将半导体晶片100电连接到桥式晶片200的导电图案。半导体封装10还可以包括附接到桥式晶片200的导电的柱凸块400和模具层500。另外，半导体封装10还可以包括连接器600，连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，所述半导体封装包括：/n第一半导体晶片，所述第一半导体晶片设置在第一重分布线结构上；/n第一桥式晶片，所述第一桥式晶片设置在所述第一重分布线结构上以提供所述第一半导体晶片和所述第一桥式晶片之间的水平差，所述第一桥式晶片的高度小于所述第一半导体晶片的高度；/n第二重分布线结构，所述第二重分布线结构层叠在所述第一半导体晶片上，使得所述第二重分布线结构的底表面与所述第一半导体晶片的顶表面接触，其中，所述第二重分布线结构被设置成具有突出部，当从平面图观察时，所述突出部从所述第一半导体晶片的侧表面横向突出；/n第二半导体晶片，所述第二半导体晶片设置在所述第二重分布线结构上；以及/n垂直连接器，所述垂直连接器设置在所述第一桥式晶片与所述第二重分布线结构的所述突出部之间以支撑所述突出部，/n其中，所述第一桥式晶片包括第一通孔。/n

【技术特征摘要】
20190715 KR 10-2019-00853911.一种半导体封装，所述半导体封装包括：
第一半导体晶片，所述第一半导体晶片设置在第一重分布线结构上；
第一桥式晶片，所述第一桥式晶片设置在所述第一重分布线结构上以提供所述第一半导体晶片和所述第一桥式晶片之间的水平差，所述第一桥式晶片的高度小于所述第一半导体晶片的高度；
第二重分布线结构，所述第二重分布线结构层叠在所述第一半导体晶片上，使得所述第二重分布线结构的底表面与所述第一半导体晶片的顶表面接触，其中，所述第二重分布线结构被设置成具有突出部，当从平面图观察时，所述突出部从所述第一半导体晶片的侧表面横向突出；
第二半导体晶片，所述第二半导体晶片设置在所述第二重分布线结构上；以及
垂直连接器，所述垂直连接器设置在所述第一桥式晶片与所述第二重分布线结构的所述突出部之间以支撑所述突出部，
其中，所述第一桥式晶片包括第一通孔。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一桥式晶片包括：
第一主体，所述第一通孔垂直穿过所述第一主体；以及
第一柱凸块，所述第一柱凸块设置在所述第一主体上以从所述第一主体向上突出，并且所述第一柱凸块电连接到所述第一通孔；
其中，所述垂直连接器将所述第一柱凸块电连接到所述第二重分布线结构的所述突出部。


3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，由于从所述第一重分布线结构到所述第一柱凸块的顶表面的水平的第一高度小于从所述第一重分布线结构到所述第一半导体晶片的顶表面的水平的第二高度，所以存在所述水平差。


4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述垂直连接器具有与所述第一高度和所述第二高度之差相对应的第三高度。


5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述垂直连接器包括焊球。


6.根据权利要求2所述的半导体封装，所述半导体封装还包括围绕所述第一桥式晶片和所述第一半导体晶片的第一模制层，
其中，所述第一模制层围绕所述第一柱凸块并且覆盖所述第一桥式晶片的所述第一主体。


7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述第一模制层被设置成露出所述第一半导体晶片的侧表面的上部和所述第一半导体晶片的顶表面。


8.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一柱凸块具有大于所述第一通孔的第一直径的第二直径。


9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一重分布线结构包括：
重分布线图案，所述重分布线图案将所述第一半导体晶片电连接到所述第一通孔；以及
介电层，所述介电层隔离所述重分布线图案。


10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述垂直连接器被设置为使得所述第一半导体晶片的侧表面面向所述垂直连接器的侧表面。


11.根据权利要求1所述的半导体封装，所述半导体封装还包括有机材料层，所述有机材料层设置在所述第一半导体晶片的顶表面与所述第二重分布线结构的底表面之间。


12.根据权利要求1所述的半导体封装，所述半导体封装还包括：
第二桥式晶片，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：任尚赫，成基俊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR