液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种液晶显示器，该液晶显示器包括：第一基底；第一场发生电极，排列在第一基底上，并包括第一切口和第二切口；第二基底，面对第一基底。第二场发生电极排列在第二基底上，并包括第三切口，液晶层置于第一场发生电极和第二场发生电极之间。圆柱形分隔件置于第一基底和第二基底之间，并设置在第一切口区域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。通常，LCD包括具有场发生电极如像素电极和共电极的两个显示面板以及置于这两个显示面板之间的液晶层。LCD通过向场发生电极施加电压以在液晶层中产生电场来显示图像，由此，液晶层中的液晶分子的取向控制入射光的偏振。因为竖直取向(VA)模式的LCD可具有高对比度和可提供宽视角，所以VA模式的LCD已被广泛使用。在没有电场的情况下，VA模式的LCD中的液晶分子的主轴可垂直于面板排列。在VA模式的LCD中，可使用多种方法来提供宽视角。例如，可在场发生电极中形成切口，或者可在场发生电极上形成突出。因为可使用切口和突出来确定液晶分子的倾斜方向，所以可通过改变切口和突出的排列从而提供各个方向的液晶分子倾斜方向来加宽参考视角。然而，对于包括切口的LCD，与切口相对应的液晶分子可能不适应地排列，因而导致纹理。此外，当LCD中包括诸如圆柱形分隔件的结构时，会出现电场扭曲，因而增加纹理。在该
技术介绍
部分公开的上述信息只是为了增强对本专利技术背景的了解，因此它可能含有不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术提供了一种LCD，该LCD通过减小由圆柱形分隔件引起的电场扭曲而能够减小纹理。在下面的描述中将阐述本专利技术的其它特征，这些特征部分从描述中将是清楚的，或者部分可通过本专利技术的实施来了解。本专利技术公开了一种液晶显示器，包括第一基底；第一场发生电极，排列在所述第一基底上，并包括第一切口和第二切口；第二基底，面对所述第一基底。第二场发生电极排列在所述第二基底上，并包括第三切口。液晶层置于所述第一场发生电极和所述第二场发生电极之间。圆柱形分隔件排列在所述第一基底和所述第二基底之间，并且排列在基本与所述第一切口相对应的区域中。应该理解，上面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，意在对如权利要求的本专利技术提供进一步解释。附图说明附图示出了本专利技术的实施例，并与描述部分一起用来解释本专利技术的原理，包括这些附图以提供对本专利技术的进一步理解，附图结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。图1是示出根据本专利技术示例性实施例的LCD的版图。图2是示出图1中的LCD的薄膜晶体管阵列面板的版图。图3是示出图1中的LCD的共电极面板的版图。图4是沿着图1中的线IV-IV截取的剖视图。图5是沿着图1中的线V-V截取的剖视图。图6是沿着图1中的线VI-VI截取的剖视图。具体实施例方式下面，参照附图更加全面地描述本专利技术，附图中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以多种不同的方式实施，不应理解为限于这里阐述的实施例。此外，提供这些实施例以使本公开是透彻的，并将本专利技术的范围完全传达给本领域技术人员。附图中，为了清晰起见，层和区域的尺寸及相对尺寸可被夸大。附图中相同的标号表示相同的元件。应该理解，当元件诸如层、膜、区域或基底称为“在另一元件或层上”、“连接到另一元件或层”或者“结合到另一元件或层”时，这个元件可以“直接在另一元件或层上”、“直接连接到另一元件或层”或者“直接结合到另一元件或层”，或者也可存在中间元件或层。相反，当元件称为“直接在另一元件或层上”、“直接连接到另一元件或层”或者“直接结合到另一元件或层”时，不存在中间元件或层。下面，将参照附图详细地描述本专利技术的示例性实施例。图1是示出根据本专利技术示例性实施例的液晶显示器(LCD)的版图，图2是示出图1中的LCD的薄膜晶体管阵列面板的版图，图3是示出图1中的LCD的共电极面板的版图。图4、图5和图6分别是沿着图1中的线IV-IV、V-V和VI-VI截取的剖视图。根据本专利技术示例性实施例的LCD包括薄膜晶体管阵列面板100、面对薄膜晶体管阵列面板100的共电极面板200以及置于面板100和200之间的液晶层3。首先，将参照图1、图2、图4、图5和图6来详细地描述薄膜晶体管阵列面板100。多条栅极线121和多条存储电极线131排列在绝缘基底110上。栅极线121传输栅极信号，并且水平地延伸。此外，每条栅极线121包括多个向上和向下突出的栅电极124和用于连接到其它层或外部驱动电路的较大面积的端部129。产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可装配在附于基底110上的柔性印刷电路膜(未示出)上、可直接装配在基底110上或者可集成在基底110上。当栅极驱动电路集成在基底110上时，栅极线121可延伸为直接连接到栅极驱动电路。存储电极线131可被提供预定的电压。此外，每条存储电极线131包括基本平行于栅极线121延伸的干线，从干线分支的多个存储电极组133a、133b、133c和133d，以及连接件133e。各存储电极线131设置在两条相邻的栅极线121之间，并且存储电极线131的干线可更靠近两条相邻的栅极线121中的较上的一条。各存储电极组包括第一存储电极133a和第二存储电极133b，竖直地延伸并彼此分开；第三存储电极133c和第四存储电极133d，倾斜地延伸。第一存储电极133a和第二存储电极133b各包括连接到相应的存储电极线131的固定端和位置与固定端相对的自由端。各第一存储电极133a的自由端具有突出部分。第三存储电极133c从存储电极线131的中心部分向第一存储电极133a倾斜地延伸，第四存储电极133d连接到第一存储电极133a，并朝向第二存储电极133b的自由端倾斜地延伸。第三存储电极133c和第四存储电极133d关于两条相邻的栅极线121之间的中心线形成反对称。连接件133e连接相邻的存储电极组133a至133d中的彼此相邻的第一存储电极133a和第二存储电极133b。栅极线121和存储电极线131可由铝(Al)、Al合金、银(Ag)、Ag合金、铜(Cu)、Cu合金、钼(Mo)、Mo合金、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)制成。栅极线121和存储电极线131可具有多层结构，该多层结构包括彼此具有不同物理特性的两个导电层(未示出)。例如所述两个导电层之一可由低阻金属制成，以减小信号延迟或电压降，所述低阻金属诸如Al、Ag、Cu或它们的合金。另一导电层可由具有良好的物理特性、化学特性以及具有与氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的良好的电接触特性的金属诸如Mo、Mo合金、Cr、Ti和Ta制成。层的示例性组合包括下Cr层和上Al(合金)层，以及下Al(合金)层和上Mo(合金)层。可选择地，栅极线121和存储电极线131可由各种金属或导体材料制成。栅极线121和存储电极线131的侧边可相对于基底110的表面倾斜大约30°至大约80°的角度。可由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。可由氢化非晶硅(a-Si)或多晶硅制成的多个半导体带151形成在栅极绝缘层140上。每个半导体带151竖直地延伸，并包括朝向栅电极124延伸的多个突出154。半导体带151在栅极线121和存储电极线131附近变宽，以覆盖栅极线121和存储电极线131。多个欧姆接触带(未示出)和欧姆接触岛165形成在半导体带151上。欧姆接触岛165可由硅化物或诸如以高浓度n型杂质掺杂的n+氢化a-Si的材料制成，所述n型杂质例如磷。每个欧姆接触带包括多个突出16本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：第一基底；第一场发生电极，排列在所述第一基底上，所述第一场发生电极包括第一切口和第二切口；第二基底，面对所述第一基底；第二场发生电极，排列在所述第二基底上，所述第二场发生电极包括第三切口 ；液晶层，置于所述第一场发生电极和所述第二场发生电极之间；圆柱形分隔件，排列在所述第一基底和所述第二基底之间，所述圆柱形分隔件排列在基本与所述第一切口相对应的区域中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张良圭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]