无源矩阵显示器中的交错电极制造技术

一种无源矩阵面内切换双稳态显示器（１），具有第一和第二电极（２０、３０），以及与第一电极（２０）和第二电极（３０）的交叉有关的像素（１０）。显示器（１）包括相同基板上包括第一电极（２０）以及每个像素（１０）的与第二组电极（Ｇ２）交错的第一组电极（Ｇ１）。第一和第二组电极（Ｇ１、Ｇ２）在相同的第一方向上延伸，并且在第一方向上相对于彼此进行设置，以在第一方向上获得仅存在所述第一组电极（Ｇ１）的第一区域（Ａ１）、仅存在所述第二组电极（Ｇ２）的第二区域（Ａ２）、以及在第一和第二区域（Ａ１、Ａ２）之间的所述第一和第二组电极（Ｇ１、Ｇ２）都存在的第三区域（Ａ３）。绝缘区（４０）至少位于第二电极（３０）必须与第一电极（２０）交叉的交叉位置处。第二电极（３０）在第二方向上延伸并设置成在交叉位置处与第一电极（２０）交叉，并且在第二区域（Ａ２）中接触第二组电极（Ｇ２）。每个像素（１０）的子电极（Ｓ１）设置在第二方向上以在第一区域中使第一组电极（Ｇ１）互连，并且将所述第一组（Ｇ１）连接到第一电极（２０）中的相关第一电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无源矩阵显示器中的交错电极本专利技术涉及一种用于无源矩阵面内切换双稳态显示器的像素的交错电极结构(interleaving electrode structure)的制造方法，并涉及 一种每个像素具有交错电极结构的无源矩阵面内切换双稳态显示器。JP-A-2002-311461公开了一种面内切换电泳显示器，其中当电极 产生电场时，颗粒相对于基板平行移动。在图33中，示出矩阵显示 器的几个像素。每个像素具有像素电极和非像素电极。非像素电极为 线状且在行方向上延伸。矩形像素电极在列方向上互连。像素电极之 间的这些连接与非像素电极交叉。该现有技术的图31示出像素的截 面，从其中清楚地看到，非像素电极和像素电极位于存在颗粒的单元 空间(volume)的相同侧上，使得在单元空间内产生面内场。该现有 技术的缺点在于所产生的电场相对较弱，尤其是在较大的像素中。JP-A-2002-169191公开了一种电泳显示器，其中颗粒在面内并且 在垂直于面内方向的方向上移动。该显示器单元包括含有颗粒的像素 空间。显示器侧电极位于显示器空间的一侧，交错的内侧电极和接地 电极位于显示器空间的相对侧。颗粒的面内移动通过内侧电极和接地 电极之间的适当电压而获得。为了能够分别选择矩阵的像素，需要交 叉电极。在该显示器中，显器侧电极在列方向上延伸，其垂直于行 方向，使内侧电极互连并使像素的接地电极互连的互联线位于该行方 向上。因此，尽管该现有技术示出位于显示器空间的相同侧上以产生 面内场的交错电极，但是这些电极不相互交叉。本专利技术的目的是容易地制造用于每像素的交错电极结构的布图 以产生面内场，其中这些电极相互交叉。本专利技术的第一方案提供一种如权利要求1所述的制造方法。第二方案提供一种如权利要求2所述的无源矩阵面内切换双稳态显示器。 在从属权利要求中限定了有利实施例。根据本专利技术第一方案的方法提供无源矩阵面内切换双稳态显示 器，第一和第二组交错电极存在于其每个像素中。该显示器具有交叉 的第一和第二电极。像素与第一电极和第二电极的互连有关。第一电 极应电连接到第一组电极，第二电极应电连接到第二组电极。第一电极、第一组电极和第二组电极设置在相同基板上。第一和 第二组的延长电极在相同的第一方向上延伸，并且在第一方向上相对 于彼此设置，以在第一方向上获得仅存在所述第一组电极的第一区 域、仅存在所述第二组电极的第二区域、以及第一和第二区域中间的 所述第一和第二组电极都存在的第三区域。至少在第二电极必须与第一电极交叉的交叉位置处设置绝缘体。 设置各自在第二方向上延伸的第二电极，以穿过交叉位置并与第二区 域中的第二组交错电极接触。在其中设置第一组电极的步骤期间或者在其间设置第二电极的 步骤期间，通过在第二方向上设置每个像素的子电极，而将每个像素 的第一组交错电极连接到第一电极，其中所述子电极使第一区域中的 第一组交错电极互连，并且将所述互连的第一组连接到第一电极中的 相关第一电极。在根据本专利技术的实施例中，绝缘体设置在第一电极上，并且第二 电极设置在第二组电极和绝缘体上，全部在相同的基板上。而且，子 电极位于第一基板上，并且可以与第一组电极一起设置，或者与第二 电极一起设置。在另一实施例中，在不同于第一电极、第一组电极和第二组电极 的另一基板上设置第二电极。现在，可以至少在交叉位置处将绝缘体 设置在第一电极上，或者至少在交叉位置处将绝缘体设置在第二电极上。而且，可以将子电极与第一组电极一起设置在第一上述基板上， 或者与第二电极一起设置在另一基板上。当叠置第一次提到的基板和另一基板时，在子电极与第一组电极有关的情况下，出现第二电极与 第二组电极的接触。在根据本专利技术的实施例中，在设置第一和第二组电极的步骤期间 进行设置每个像素的子电极的步骤。在该步骤期间，子电极设置在基 板上，以获得具有所述第一组电极和第一电极中的相关第一电极的一 个结构。因此，第一组电极在第一区域中互连，并且不需要与第二电 极交叉。可以容易地延伸该互连直到相关的第一电极，以将互连的第 一组电极连接到相关的第一电极，而不与第二电极交叉。在根据本专利技术的实施例中，设置第一组电极的步骤仅设置作为平 行设置的线状部件的第一组电极，并且在设置第二电极的步骤期间通 过在第一区域中设置子电极以使平行设置的线状部件电连接并且将 互连的平行设置的线状部件电连接到第一电极中的相关第一电极，来 进行设置每个像素的子电极的步骤。此外，使第一组电极互连并将其 连接到第一区域中的相关第一电极，而不必与第二电极交叉。平行设置的线状部件特别容易制造，例如通过辊到辊(roll-to-roll)工艺。在根据本专利技术的实施例中，第一方向上的第一区域的尺寸大于子 电极中的相关子电极的宽度。这考虑到子电极位置的偏差。如果不在 与第一组电极相同的步骤中设置子电极，则该偏差特别有关。在根据本专利技术的实施例中，在设置第一和第二组电极的步骤期 间，通过与在第二方向上延伸并位于第二区域中的部件一起设置所述 第二组电极，以使每个像素获得具有所述第二组电极的一个结构，来 进行设置所述第二组电极的步骤。该部件没有延伸到如此之远以至于 电连接第一电极中的相关第一电极。在设置第二电极的步骤期间所设 置的第二电极中的相关第二电极接触所述部件。因此，在一个制造步 骤中，将第二组电极设置为梳状互连组。当在随后步骤中以电连接的方式将第二电极设置在互连部件之上时获得与相关第二电极的连接。 在根据本专利技术的实施例中，第一方向上的互连部件的宽度大于第 二电极中的相关第二电极的宽度。这考虑到第二电极相对于互连部件 的位置的偏差，这有助于制造，因为在不同于互连部件的随后步骤中 设置第二电极。在根据本专利技术的实施例中，设置第二组电极的步骤仅设置作为平 行设置的线状部件的第二组电极。在随后步骤中，将第二电极设置成 接触第二区域中的平行设置的线状部件。平行设置的线状部件特别容 易制造，例如通过辊到辊工艺。在根据本专利技术的实施例中，第一方向上的第二区域的尺寸大于第 二电极中的相关第二电极的宽度。现在，即使第一方向上的第二电极 的位置有一些偏差，也可以较容易地使平行设置的线状部件与第二电 极可靠互连。通过以下所述的实施例本专利技术的这些和其它方案是显而易见的， 并且将参考以下所述的实施例对本专利技术的这些和其它方案进行说明。在附图中附图说明图1示意性示出现有技术的无源矩阵显示器布图，其中在交叉的 顶电极和底电极之间产生垂直电场；图2示出现有技术的电泳显示器的一部分的横截面；图3A和3B示出根据本专利技术实施例的用于无源矩阵双稳态显示 器的像素的交错电极结构；图4A和4B示出根据本专利技术另一实施例的用于无源矩阵双稳态 显示器的像素的交错电极结构；图5示意性示出根据本专利技术实施例的像素阵列；以及图6示意性示出辊到辊制造工艺。图1示意性示出现有技术的无源矩阵显示器布图，其中在交叉的顶电极30和底电极20之间产生垂直电场。传统上，无源矩阵显示器 使用包括与平行设置的第二电极30垂直交叉的一组平行设置的第一 电极20的电极结构。位于像素10中的显示材料的光学状态取决于施 加在相关的第一和第二电极之间的电压V，所述像素IO位于第一和 第二电极交叉点之间。在双稳态显示器中，该显示材料具有双稳态特 性。至少存在两个在相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于无源矩阵面内切换双稳态显示器（１）的像素（１０）的第一组电极（Ｇ１）与第二组电极（Ｇ２）的交错电极结构的制造方法，所述像素（１０）与第一电极（２０）和第二电极（３０）的交叉有关，该方法包括以下步骤：（ｉ）在相同的基板上设置所 述第一电极（２０）以及每个像素（１０）的所述第一组电极（Ｇ１）和所述第二组电极（Ｇ２），其中所述第一和第二组电极基本上在相同的第一方向上延伸，并且在所述第一方向上相对于彼此进行设置，以在所述第一方向上获得仅存在所述第一组电极（Ｇ１）的第一区域（Ａ１）、仅存在所述第二组电极（Ｇ２）的第二区域（Ａ２）、以及在所述第一和第二区域（Ａ１、Ａ２）之间的所述第一和第二组电极（Ｇ１、Ｇ２）都存在的第三区域（Ａ３），（ｉｉ）设置各自在所述第二方向上延伸并设置成在所述第二区域（Ａ２）中 接触所述第二组电极（Ｇ２）的所述第二电极（３０），（ｉｉｉ）至少在所述第二电极（３０）必须与所述第一电极（２０）相交的交叉位置处设置绝缘区（４０），以及在步骤（ｉ）或（ｉｉ）期间，在所述第二方向上设置每个像素（１０）的子电极 （Ｓ１），用于在所述第一区域（Ａ１）中使所述第一组电极（Ｇ１）互连，并且用于将所述第一组电极（Ｇ１）连接到所述第一电极（２０）中的相关第一电极。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MT约翰逊，EI哈斯克尔，AG纳普，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]