有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

提供一种新颖有机化合物的苯并呋喃并嘧啶衍生物或苯并噻吩并嘧啶衍生物。本发明专利技术是由下述通式(G1)表示的有机化合物。在通式(G1)中，Q表示氧或硫。另外，A是总碳原子数为12至100的基，并具有包含苯环、萘环、芴环、菲环、三亚苯环、二苯并噻吩环的杂芳环、包含二苯并呋喃环的杂芳环、包含咔唑环的杂芳环、苯并咪唑环和三苯胺结构中的任一个或者多个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
本专利技术的一个方式涉及一种有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置。本专利技术的一个方式不局限于上述
就是说，本专利技术的一个方式涉及一种物体、方法、制造方法或驱动方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。此外，具体而言，作为例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置等。
技术介绍
由于在一对电极之间夹有EL层的发光元件(也称为有机EL元件)具有薄型轻量、对输入信号的高速响应性及低功耗等特性，所以使用上述发光元件的显示器被期待用作下一代平板显示器。发光元件通过在一对电极之间施加电压，从各电极注入的电子和空穴在EL层中再结合而EL层所包含的发光物质(有机化合物)成为激发态，当该激发态返回到基态时发光。另外，作为激发态的种类，可以举出单重激发态(S*)和三重激发态(T*)，其中由单重激发态的发光被称为荧光，而由三重激发态的发光被称为磷光。另外，在发光元件中，单重激发态和三重激发态的统计学上的生成比例被认为是S*：T*＝1：3。从发光物质得到的发射光谱是该发光物质特有的，并且通过将不同种类的有机化合物用作发光物质，可以得到发射各种发光颜色的发光元件。关于这种发光元件，为了提高其元件特性，正在积极地进行元件结构的改进、材料的开发等(例如，参照专利文献1)。[先行技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2010-182699号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题于是，本专利技术的一个方式提供一种新颖有机化合物。另外，本专利技术的另一个方式提供一种新颖有机化合物的苯并呋喃并嘧啶衍生物或苯并噻吩并嘧啶衍生物。另外，本专利技术的一个方式提供一种可以用于发光元件的新颖有机化合物。另外，本专利技术的一个方式提供一种可以用于发光元件的EL层的新颖有机化合物。另外，本专利技术的一个方式提供一种使用本专利技术的一个方式的新颖有机化合物的可靠性高的新颖发光元件。另外，本专利技术的一个方式提供一种新颖发光装置、新颖电子设备或新颖照明装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，说明书、附图以及权利要求书等的记载中显然存在上述目的以外的目的，可以从说明书、附图以及权利要求书等的记载中获得上述目的以外的目的。解决技术问题的手段本专利技术的一个方式是苯并呋喃并嘧啶衍生物或苯并噻吩并嘧啶衍生物，并是由下述通式(G1)表示的有机化合物。此外，如下述通式(G1)表示那样，具有未取代的苯基键合到苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架的8位的结构。[化学式1]在上述通式(G1)中，Q表示氧或硫。另外，A是总碳原子数为12至100的基，并具有包含苯环、萘环、芴环、菲环、三亚苯环、二苯并噻吩环的杂芳环、包含二苯并呋喃环的杂芳环、包含咔唑环的杂芳环、苯并咪唑环和三苯胺结构中的任一个或者多个。此外，R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。另外，本专利技术的另一个方式是苯并呋喃并嘧啶衍生物或苯并噻吩并嘧啶衍生物，并是由下述通式(G2)表示的有机化合物。此外，如下述通式(G2)表示那样，具有未取代的苯基键合到苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架的8位。[化学式2]在上述通式(G2)中，Q表示氧或硫。α表示取代或未取代的亚苯基，n表示0至4的整数。另外，Htuni表示具有空穴传输性的骨架。R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。另外，本专利技术的另一个方式是苯并呋喃并嘧啶衍生物或苯并噻吩并嘧啶衍生物，并是由下述通式(G3)表示的有机化合物。此外，如下述通式(G3)表示那样，具有未取代的苯基键合到苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架的8位的结构。[化学式3]在上述通式(G3)中，Q表示氧或硫。Htuni表示具有空穴传输性的骨架。R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。另外，本专利技术的另一个方式是苯并呋喃并嘧啶衍生物或苯并噻吩并嘧啶衍生物，并是由下述通式(G4)表示的有机化合物。此外，如下述通式(G4)表示那样，具有未取代的苯基键合到苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架的8位的结构。[化学式4]在上述通式(G4)中，Q表示氧或硫。另外，Htuni表示具有空穴传输性的骨架。R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。此外，在上述各结构中，上述通式(G2)、(G3)及(G4)中的Htuni分别独立地具有吡咯环结构、呋喃环结构和噻吩环结构中的任一个。此外，在上述各结构中，上述通式(G2)、(G3)及(G4)中的Htuni分别独立为下述通式(Ht-1)至(Ht-26)中的任一个。[化学式5]在上述通式(Ht-1)至通式(Ht-26)中，Q表示氧或硫。R2至R71分别表示1至4的取代基，并分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基和取代或未取代的苯基中的任一个。Ar1表示取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基。另外，本专利技术的另一个方式是由结构式(100)、(101)、(102)、(117)和(200)中的任一个表示的有机化合物。[化学式6]另外，本专利技术的另一个方式是一种使用上述本专利技术的一个方式的有机化合物的发光元件。此外，不但包含上述有机化合物而且包含客体材料的发光元件也包括在本专利技术的范畴之内。本专利技术的另一个方式是包括上述本专利技术的一个方式的有机化合物的发光元件。此外，其一对电极之间的EL层及EL层中的发光层使用本专利技术的一个方式的有机化合物形成的发光元件也包括在本专利技术的范畴之内。另外，除了上述发光元件之外，本专利技术还包括包含如下层的发光元件，该层接触于电极并包含有机化合物(例如，盖层)。不但包括发光元件而且包括晶体管、衬底等的发光装置也包括在专利技术的范畴内。并且，不但包括上述发光装置而且包括麦克风、相机、操作按钮、外部连接部、外壳、盖、支撑台或扬声器等的电子设备和照明装置也包括在专利技术的范畴内。另外，本专利技术的一个方式不仅包括具有发光元件的发光装置，而且还包括具有发光装置的照本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由通式(G1)表示的有机化合物：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180531 JP 2018-1048921.一种由通式(G1)表示的有机化合物：
[化学式1]



在通式中：
Q表示氧或硫；
A是总碳原子数为12至100的基，并具有包含苯环、萘环、芴环、菲环、三亚苯环、二苯并噻吩环的杂芳环、包含二苯并呋喃环的杂芳环、包含咔唑环的杂芳环、苯并咪唑环和三苯胺结构中的任一个或者多个；以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。


2.一种由通式(G2)表示的有机化合物：
[化学式2]



在通式中：
Q表示氧或硫；
α表示取代或未取代的亚苯基；
n表示0至4的整数；
Htuni表示具有空穴传输性的骨架；以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。


3.一种由通式(G3)表示的有机化合物：
[化学式3]



在通式中：
Q表示氧或硫；
Htuni表示具有空穴传输性的骨架；以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。


4.一种由通式(G4)表示的有机化合物：
[化学式4]



在通式中：
Q表示氧或硫；
Htuni表示具有空穴传输性的骨架；以及
R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或者取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的有机化合物，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部智美，吉住英子，濑尾哲史，木户裕允，佐佐木俊毅，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP