【技术实现步骤摘要】
显示设备相关申请的交叉引用本申请要求于2019年7月10日提交的韩国专利申请第10-2019-0083435号的优先权以及所有权益,其公开内容通过引用其整体被并入本文。
一个或多个实施例涉及一种设备,尤其涉及一种显示设备。
技术介绍
随着信息社会的发展,对用于显示图像的显示设备的使用已经在以各种形式增长。显示设备的领域已经迅速转变到替代阴极射线管(“CRT”)的平板显示设备(“FPD”)。FPD具有相对大的体积,并且相对薄、轻、且能够具有相对大的显示区域。FPD的示例包括液晶显示器(“LCD”)、等离子体显示面板(“PDP”)、有机发光显示设备、以及电泳显示设备(“ED”)。诸如FPD的这些显示设备包括薄膜晶体管(“TFT”)。可以使用制造低温多晶硅(“LTPS”)的工艺来形成TFT。
技术实现思路
一个或多个实施例包括一种具有高可靠性的显示设备。然而,该目的仅仅是示例,本公开的范围并不由此而限定,并且本领域技术人员将从本公开的描述中清楚地理解其他未提及的目的。根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基板,限定从基板的顶表面凹陷的凹入部分;下导电层,在凹入部分中;上导电层,连接到下导电层;绝缘层,在下导电层与上导电层之间,并且在该绝缘层中限定有接触孔,上导电层在该接触孔处连接到下导电层;薄膜晶体管,包括半导体层和在半导体层上的栅电极;以及显示元件,连接到薄膜晶体管。绝缘层可以包括:层间绝缘层,在上导电层与栅电极之间,并且在该层间绝缘层中限定有接触孔。显示设备 ...
【技术保护点】
1.一种显示设备,包括:/n基板,限定从所述基板的顶表面凹陷的凹入部分;/n下导电层,在所述凹入部分中;/n上导电层,连接到所述下导电层;/n绝缘层,在所述下导电层与所述上导电层之间,并且在所述绝缘层中限定有接触孔,所述上导电层在所述接触孔处连接到所述下导电层;/n薄膜晶体管,在所述基板上,并且包括半导体层和在所述半导体层上的栅电极;以及/n显示元件,连接到所述薄膜晶体管。/n
【技术特征摘要】
20190710 KR 10-2019-00834351.一种显示设备,包括:
基板,限定从所述基板的顶表面凹陷的凹入部分;
下导电层,在所述凹入部分中;
上导电层,连接到所述下导电层;
绝缘层,在所述下导电层与所述上导电层之间,并且在所述绝缘层中限定有接触孔,所述上导电层在所述接触孔处连接到所述下导电层;
薄膜晶体管,在所述基板上,并且包括半导体层和在所述半导体层上的栅电极;以及
显示元件,连接到所述薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述绝缘层包括层间绝缘层,所述层间绝缘层在所述上导电层与所述栅电极之间,并且在所述层间绝缘层中限定有所述接触孔。
3.根据权利要求2所述的显示设备,进一步包括:
中间导电层,在所述接触孔内,所述中间导电层将所述上导电层与所述下导电层彼此连接。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,
所述绝缘层进一步包括栅极绝缘层,所述栅极绝缘层在所述层间绝缘层与所述栅电极之间,并且在所述栅极绝缘层中限定有所述接触孔的第一接触孔部分,
所述层间绝缘层限定所述接触孔的第二接触孔部分,所述第二接触孔部分连接到所述第一接触孔部分,并且
在所述接触孔处,
所述下导电层和所述中间导电层在所述第一接触孔部分彼此连接,并且
所述上导电层和所述中间导电层在所述第二接触孔部分彼此连接。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述上导电层限定所述栅电极。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述下导电层对应于所述薄膜晶体管的所述半导体层的位置。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
在所述接触孔内,所述上导电层直接连接到所述下导电层。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述基板包括:
基底层,包括聚合物树脂,以及
阻挡层,包括无机材料,所述阻挡层比所述基底层更靠近所述薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,
所述阻挡层的顶表面限定所述基板的所述顶表面,
所述凹入部分从所述阻挡层的所述顶表面在朝向所述基底层的方向上凹陷,并且
所述凹入部分的底部对应于所述基底层的顶表面。
10.根据权利要求8所述的显示设备,其中,
所述阻挡层的顶表面限定所述基板的...
【专利技术属性】
技术研发人员:白炅旼,申相原,申铉亿,李周炫,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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