液晶装置及电子设备制造方法及图纸

液晶装置（１００）具有被夹持在对置配置的第一基板（１０）与第二基板（２０）之间的液晶层（５０），使该液晶层（５０）的取向状态从喷射取向转移到弯曲取向来进行显示。第一基板（１０）上设有：分别设置于被扫描线（３ａ）及数据线（６ａ）包围的区域内的像素电极（１５）；转移电极（６０），其设置于扫描线（３ａ）及数据线（６ａ）的上层、像素电极（１５）的下层，并与像素电极（１５）之间产生电位差。由此，可以提供一种以低电压短时间内进行ＯＣＢ模式的初始取向转移的液晶装置及电子设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶装置及电子设备。 '
技术介绍
尤其在以液晶电视机等为代表的液晶装置的领域中，近几年，以提高运动图像的图像质量为目的且响应速度快的OCB (Optical Compensated Bend)模式的液晶装置备受瞩目。在OCB模式中，初始状态下液晶在2 枚基板间成为打开为喷射(spray)状的喷射取向，在显示动作时液晶需要 呈弯曲成弓形的状态(弯曲取向)。即，在显示动作时通过以弯曲取向的 弯曲程度对透过率进行调制，从而实现高速响应性。在为这种OCB模式的装置的情况下，在切断电源时液晶为喷射取向， 因此需要进行所谓的初始转移操作，即在接通电源时通过对液晶施加某个 阈值电压以上的电压，从而使液晶的取向状态从初始的喷射取向转移到显 示动作时的弯曲取向。因此，在专利文献l中，公开了一种利用与像素电 极之间产生的横向电场、促进液晶的初始取向转移的技术。专利文献1特幵2001-296519号公报然而，在专利文献l记载的技术中，为了在像素电极的规定位置形成 转移核而需要高电压。因此，在用于上述电子设备的小容量电源中，电场 强度不足，无法充分且均匀地生成转移核，存在显示不良或得不到所希望 的高速响应性的问题。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供一种能以低电压 且短时间内进行OCB模式的初始取向转移的液晶装置及电子设备。本专利技术的液晶装置，其具有被夹持在对置配置的第一基板与第二基板之间的液晶层，使该液晶层的取向状态从喷射取向向弯曲取向转移来进行 显示，其特征在于，上述第一基板上设有互相交叉的扫描线及数据线、 多个像素电极，该液晶装置还设有转移电极，其设置得比上述扫描线或数 据线更靠近上述液晶层侧，且比上述像素电极更靠近上述第一基板侧，并 与上述像素电极之间产生电位差。根据本专利技术的液晶装置，通过在像素电极与转移电极之间使电场产 生；从而可以形成作为初始转移的起点的转移核。再有，由于采用上述转移电极与上述像素电极上下配置的结构，故例如通过减小设置于电极间的 绝缘层(电介质膜)的膜厚，从而与现有的采用横向电场的电极结构相比， 可以縮短电极间的距离，结果能以低电压在短时间内进行初始转移。再有，在上述液晶装置中，优选上述像素电极的端部与上述转移电极重叠。由此，可以在像素电极与转移电极之间良好地产生形成作为上述的初 始转移的起点的转移核的电场。进而，可以使得像素电极端部上的液晶分 子也取向，可以在像素电极上的宽范围内使初始转移产生。进而，在上述液晶装置中，优选在上述像素电极与上述转移电极之间设置电介质膜，该电介质膜的与上述转移电极重叠的部分的膜厚在lpm以 下。一般通过光刻法等形成电极及布线层，因此将各自的间隔设为2pm左 右在技术上成为界限。因此，若采用本专利技术，则由于存在于像素电极与转 移电极之间的电介质膜的膜厚在lKim以下，故可以使得电极彼此之间接 近，与现有的横向电场方式相比，以更低的电压即可使初始转移产生。另外，在上述液晶装置中，优选上述像素电极或上述转移电极中形成 有弯曲部。由此，由于借助弯曲部可以在像素电极与转移电极之间使电场产生于 各种方向，故可以利用弯曲部更可靠地产生转移核，可以进一步提高初始 转移的均匀性、高速性。再有，在上述液晶装置中，优选上述转移电极形成为岛状。 由此，能够将转移电极配置在像素区域内的所希望的位置，可以将使 作为初始取向转移的起点的转移核产生的场所设定于任意位置。还有，在上述液晶装置中，优选上述转移电极与形成于上述像素电极 的狭缝重叠。这样，能够将转移电极配置在像素区域内的所希望的位置，可以将使 作为初始取向转移的起点的转移核产生的场所设定于任意位置。还有，在上述液晶装置中，优选在俯视状态下与上述像素电极分离的 位置且与上述转移电极重叠的位置上设置突起部。这样，利用突起部，能够使初始的液晶分子在各种方向倾斜取向，还 能借助施加初始转移电压而使各种方向的倾斜电场产生。由此，可以使旋 转位移在突起部周边产生，可以进一步提高初始转移的均匀性及高速性。另外，在上述液晶装置中；优选上述转移电极与上述扫描线为相同电位。由此，通过向扫描线施加电压，从而可以与像素电极之间产生作为初 始转移起点的电场。再有，通过层叠扫描线与转移电极，从而可以连续形 成，因此可以简化制造工序。本专利技术的电子设备，其特征在于具备上述液晶装置。根据本专利技术的电子设备，由于具备能够以低电压并且在短时间内进行OCB模式的初始取向转移的液晶装置，故显示品质优越。 附图说明图1 (a)、 (b)是表示第一实施方式涉及的液晶装置的概略构成的图。图2是表示液晶装置的等效电路的图。图3是子像素区域的平面构成图。图4 (a)、 (b)是表示液晶装置的剖面结构的图。图5是表示液晶分子的取向状态的示意图。图6 (a)、 (b)是表示第二实施方式涉及的液晶装置的概略构成的图。 图7 (a)、 (b)是表示第三实施方式涉及的液晶装置的概略构成的图。 图8是表示第四实施方式涉及的液晶装置的概略构成的剖视图。 图9是作为本专利技术的电子设备的一实施方式的移动电话的概略构成图。图中3a—扫描线，6a—数据线，IO —元件基板(第一基板)，14一电介质膜，20 —对置基板(第二基板)，50 —液晶层，60 —转移电极，70 — 突起部，71a、 71b、 72a、 72b —弯曲部，IOO —液晶装置，IIOO —移动电 话(电子设备)，S —狭缝。具体实施方式(第一实施方式)以下参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在以下说明中参 照的各附图中，为了使各构成要素为能辨识的大小而适当地变更各部分的 尺寸比例等。进而，在本说明书中，，将图像显示的最小单位称为"子像 素"，将具备各色滤色器的多个子像素的集合称为"像素"。图1 (a)是表示本实施方式的液晶装置的俯视图，图1 (b)是沿图1 (a)的H—H，线的剖视图。图2是表示液晶装置的等效电路图，图3是 子像素区域的平面构成图，图4是液晶装置的剖视图，图4 (a)是沿图3 的A—A'线的剖视图，图4(b)是沿图3的B-B'线的剖视图。图5是 表示液晶分子的取向状态的示意图。本实施方式涉及的液晶装置是将TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶体 管)用作像素开关元件的TFT方式有源矩阵型的液晶装置。如图1所示，液晶装置100具备元件基板(第一基板)10;与元件 基板IO对置配置的对置基板(第二基板)20;被元件基板IO及对置基板 20夹持的液晶层50。作为液晶层50，采用介电常数各向异性为正的液晶 材料。再有，液晶装置100通过密封部件52粘合元件基板10及对置基板20， 将液晶层50密封在由密封部件52划分的区域内。沿密封部件52的内周 形成有周边分型面53，将被周边分型面53围起来的俯视状态(从对置基 板20 —侧观察元件基板10的状态)下呈矩形的区域作为图像显示区域 10a。还有，液晶装置100备有设置于密封部件52的外侧区域的数据线 驱动电路101及扫描线驱动电路104;与数据线驱动电路101及扫描线驱 动电路104导通的连接端子102;连接扫描线驱动电路104的布线105。如图2所示，在液晶装置100的图像显示区域10a中，多个子像素区域排列为俯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶装置，具有被夹持在对置配置的第一基板与第二基板之间的液晶层，使该液晶层的取向状态从喷射取向向弯曲取向转移来进行显示，所述第一基板上设有：互相交叉的扫描线和数据线、以及多个像素电极，该液晶装置还设有转移电极，其设置得比 所述扫描线或数据线更靠近所述液晶层侧，且比所述像素电极更靠近所述第一基板侧，并与所述像素电极之间产生电位差。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：泽渡彩映，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]