一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺制造技术

本发明专利技术提供一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺，包括以下步骤，S1：预备用于进行蚀刻加工处理的金属材料，对该金属材料的表面进行清洁处理S2：在上述预备的金属材料层表面贴附或涂覆一层抗蚀刻膜层或胶带层；S3：进行激光加工刻蚀处理；利用激光光束刻蚀去除部分预设的待刻蚀金属材料，形成激光槽孔；S4：采用激光进行刻蚀处理的过程中，对所述抗蚀刻膜层或胶带层进行局部去除处理，用于后续进行再次刻蚀图形，利用在平面的材料上，透过事先局部加工好槽孔，方便在药水蚀刻时，药水更容易的进入材料的中间，从材料的中间与表面同步刻蚀，降低传统蚀刻，只能从材料的表面蚀刻，从而导致严重的侧蚀现象。

【技术实现步骤摘要】
一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺[
]本专利技术涉及线路板蚀刻加工
，尤其涉及一种应用效果突出的高纵横比精密蚀刻器件加工工艺。[
技术介绍
]传统的精密器件蚀刻，因为“水滴”效应造成，产品的厚度越厚，其蚀刻的精度越低，其加工产品的侧壁的锥度越大，侧蚀的现象越明显，不能满足现代产品的精度要求。怎样才能有效的减少传统湿制层的污染程度，减少清洁水，药水，化学品的使用量，蚀刻干膜，显影，等化学品等水制层的污染，是本领域技术人员经常考虑的问题，也进行了大量的研发与实验，并取得了较好的成绩。[
技术实现思路
]为克服现有技术所存在的问题，本专利技术提供一种应用效果突出的高纵横比精密蚀刻器件加工工艺。本专利技术解决技术问题的方案是提供一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺，包括以下步骤，S1：预备用于进行蚀刻加工处理的金属材料，对该金属材料的表面进行清洁处理；S2：在上述预备的金属材料层表面贴附或涂覆一层抗蚀刻膜层或胶带层；S3：进行激光加工刻蚀处理；利用激光光束刻蚀去除部分预设的待刻蚀金属材料，形成激光槽孔；S4：采用激光进行刻蚀处理的过程中，对所述抗蚀刻膜层或胶带层进行局部去除处理，用于后续进行再次刻蚀图形；S5：将刻蚀完成的金属材料层放入常规线路板、金属蚀刻线体，获得预设的蚀刻面积和蚀刻体积；S6：退膜，去膜，清洗；获得最终的蚀刻加工成品。优选地，所述步骤S2中的抗蚀刻膜层为干膜、抗蚀刻膜或油墨材料；所述胶带层为高温胶带。优选地，所述步骤S3中的槽孔为半刻的盲槽孔或刻穿的通槽孔；且保证利用所述激光光束刻蚀的槽孔面积为产品最终需要刻蚀掉面积与体积的20％-80％。优选地，所述步骤S3中进行激光雕刻处理的激光器为波长范围为492nm-577nm之间的绿光光源激光器、波长范围为300nm-400nm之间的UV紫光光源激光器、波长范围为200nm-299nm之间的UV深紫光光源激光器或者是波长范围为10nm-199nm之间的极紫外光源激光器。与现有技术相比，本专利技术一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺利用在平面的材料上，透过事先局部加工好槽孔，方便在药水蚀刻时，药水更容易的进入材料的中间，从材料的中间与表面同步刻蚀，降低传统蚀刻，只能从材料的表面蚀刻，从而导致严重的侧蚀现象。[附图说明]图1是本专利技术一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺的流程示意图。[具体实施方式]为使本专利技术的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，并不用于限定此专利技术。请参阅图1，本专利技术一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺1包括以下步骤，S1：预备用于进行蚀刻加工处理的金属材料，对该金属材料的表面进行清洁处理；S2：在上述预备的金属材料层表面贴附或涂覆一层抗蚀刻膜层或胶带层；S3：进行激光加工刻蚀处理；利用激光光束刻蚀去除部分预设的待刻蚀金属材料，形成激光槽孔；S4：采用激光进行刻蚀处理的过程中，对所述抗蚀刻膜层或胶带层进行局部去除处理，用于后续进行再次刻蚀图形；S5：将刻蚀完成的金属材料层放入常规线路板、金属蚀刻线体，获得预设的蚀刻面积和蚀刻体积；S6：退膜，去膜，清洗；获得最终的蚀刻加工成品。本申请利用在平面的材料上，透过事先局部加工好槽孔，方便在药水蚀刻时，药水更容易的进入材料的中间，从材料的中间与表面同步刻蚀，降低传统蚀刻，只能从材料的表面蚀刻，从而导致严重的侧蚀现象。优选地，所述步骤S2中的抗蚀刻膜层为干膜、抗蚀刻膜或油墨材料；所述胶带层为高温胶带。优选地，所述步骤S3中的槽孔为半刻的盲槽孔或刻穿的通槽孔；且保证利用所述激光光束刻蚀的槽孔面积为产品最终需要刻蚀掉面积与体积的20％-80％。优选地，所述步骤S3中进行激光雕刻处理的激光器为波长范围为492nm-577nm之间的绿光光源激光器、波长范围为300nm-400nm之间的UV紫光光源激光器、波长范围为200nm-299nm之间的UV深紫光光源激光器或者是波长范围为10nm-199nm之间的极紫外光源激光器。专利技术适用产品：线路板，可折叠屏的金属衬底(折叠区域网状蚀刻)，其它的精密元器件本专利技术可以明显有效的减少传统湿制层的污染程度，减少清洁水，药水，化学品的使用量，蚀刻干膜，显影，等化学品等水制层的污染。与现有技术相比，本专利技术一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺1利用在平面的材料上，透过事先局部加工好槽孔，方便在药水蚀刻时，药水更容易的进入材料的中间，从材料的中间与表面同步刻蚀，降低传统蚀刻，只能从材料的表面蚀刻，从而导致严重的侧蚀现象。以上所述的本专利技术实施方式，并不构成对本专利技术保护范围的限定。任何在本专利技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的权利要求保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺，其特征在于：包括以下步骤，/nS1：预备用于进行蚀刻加工处理的金属材料，对该金属材料的表面进行清洁处理；/nS2：在上述预备的金属材料层表面贴附或涂覆一层抗蚀刻膜层或胶带层；/nS3：进行激光加工刻蚀处理；利用激光光束刻蚀去除部分预设的待刻蚀金属材料，形成激光槽孔；/nS4：采用激光进行刻蚀处理的过程中，对所述抗蚀刻膜层或胶带层进行局部去除处理，用于后续进行再次刻蚀图形；/nS5：将刻蚀完成的金属材料层放入常规线路板、金属蚀刻线体，获得预设的蚀刻面积和蚀刻体积；/nS6：退膜，去膜，清洗；获得最终的蚀刻加工成品。/n

【技术特征摘要】
1.一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺，其特征在于：包括以下步骤，
S1：预备用于进行蚀刻加工处理的金属材料，对该金属材料的表面进行清洁处理；
S2：在上述预备的金属材料层表面贴附或涂覆一层抗蚀刻膜层或胶带层；
S3：进行激光加工刻蚀处理；利用激光光束刻蚀去除部分预设的待刻蚀金属材料，形成激光槽孔；
S4：采用激光进行刻蚀处理的过程中，对所述抗蚀刻膜层或胶带层进行局部去除处理，用于后续进行再次刻蚀图形；
S5：将刻蚀完成的金属材料层放入常规线路板、金属蚀刻线体，获得预设的蚀刻面积和蚀刻体积；
S6：退膜，去膜，清洗；获得最终的蚀刻加工成品。


2.如权利要求1所述的一种高纵横比精密蚀刻器件加工工艺，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴子明，
申请(专利权)人：深圳光韵达激光应用技术有限公司，吴子明，曹汉宜，
类型：发明
国别省市：广东;44