电子电路和具有所述电子电路的半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及电子电路和具有所述电子电路的半导体装置。所述电子电路包含：第一晶体管,其包含与输入电压耦合的第一电极和第二电极；第二晶体管，其包含与所述第一晶体管的所述第二电极耦合的第一电极和耦合到接地的第二电极；第一电容器，其耦合在所述第一晶体管的所述第一电极与所述第二晶体管的所述第二电极之间；第一二极管，其包含与所述第一晶体管的所述第一电极耦合的第一端子和第二端子；第二二极管，其包含与所述第一二极管的所述第二端子耦合的第一端子和与所述第二晶体管的所述第二电极耦合的第二端子；第二电容器，其耦合在所述第一晶体管的所述第一电极与所述第一二极管的所述第二端子之间；以及第三电容器，其耦合在所述第一二极管的所述第二端子与所述第二晶体管的所述第二电极之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子电路和具有所述电子电路的半导体装置
本公开涉及一种电子电路，更具体地涉及具有所述电子电路的一种半导体装置。
技术介绍
需要充电器(电缆或无线充电器)以相对较高的速度对电子装置(例如，移动电话、膝上型电脑、电动汽车等)进行充电。可以包含功率放大器和其它组件的充电器的发射器可以向电子装置发射或提供功率。E类或D类功率放大器可以包含一些硅基晶体管(例如，MOSFET或CMOS)；然而，相对大的电压可能会损坏硅基晶体管。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供一种电子电路，其包含第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第一二极管、第二二极管、第二电容器和第三电容器。第一晶体管包含与输入电压耦合的第一电极和第二电极。第二晶体管包含与第一晶体管的第二电极耦合的第一电极和耦合到接地的第二电极。第一电容器耦合在第一晶体管的第一电极与第二晶体管的第二电极之间。第一二极管包含与第一晶体管的第一电极耦合的第一端子和第二端子。第二二极管包含与第一二极管的第二端子耦合的第一端子和与第二晶体管的第二电极耦合的第二端子。第二电容器耦合在第一晶体管的第一电极与第一二极管的第二端子之间。第三电容器耦合在第一二极管的第二端子与第二晶体管的第二电极之间。本公开的一些其它实施例提供了如上所描述的电子电路，并且所述电子电路进一步包含：第三晶体管和第四晶体管。第三晶体管包含与输入电压耦合的第一电极和与第一晶体管的第一电极耦合的第二电极。第四晶体管包含与第二晶体管的第二电极耦合的第一电极和与接地耦合的第二电极。本公开的更多的一些实施例提供了一种如上所描述的包含电子电路的集成电路。本公开的更多的一些实施例提供了一种如上所描述的包含电子电路的半导体装置。本公开的更多的一些实施例提供了一种如上所描述的包含电子电路的电路板。附图说明通过参考附图的以下详细描述，本公开的各方面将变得更加容易理解。应注意，各种特征可能未按比例绘制。实际上，为了清楚描述的目的，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。图1是根据本公开的一些实施例的无线充电系统的框图。图2是根据本公开的一些实施例的放大器的示意性电路图。图3示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图4示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图5示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图6示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图7示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图8是根据本公开的一些实施例的放大器、阻抗和线圈的示意性电路图。图9是根据本公开的一些实施例的示意性电路图。图10示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图11示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电流的波形。图12是根据本公开的一些实施例的放大器、阻抗和线圈的示意性电路图。图13是根据本公开的另一实施例的半导体装置的横截面图。图14是根据本公开的一些实施例的放大器的示意性电路图。图15示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图16示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电流的波形。图17是根据本公开的一些实施例的放大器的示意性电路图。图18示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。图19示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电流的波形。图20示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电流的波形。图21示出了根据本公开的一些实施例的放大器的电压的波形。具体实施方式以下公开提供了用于实现所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述组件和布置的具体实例。当然，这些描述仅是实例，并不旨在进行限制。在本公开中，在以下描述中，对形成在第二特征上或上方的第一特征的描述可以包含通过第一特征与第二特征之间的直接接触而形成的实施例，并且可以进一步包含其中可以在第一特征与第二特征之间形成附加特征以使得第一特征和第二特征不直接接触的实施例。此外，在本公开中，参考数字和/或字母可以在实例中重复。此重复是出于简化和清楚的目的，并且不指示所描述的各种实施例和/或配置之间的关系。下面详细描述本公开的实施例。然而，应当理解，本公开提供的许多可应用的概念可以在多个特定环境中实现。所描述的特定实施例仅是说明性的，并不限制本公开的范围。图1是根据本公开的一些实施例的无线充电系统100的框图。无线充电系统100包含功率发射单元110和功率接收单元120。功率发射单元110可以包含无线充电垫。功率接收单元120可以设置在移动电话、智能手表、电动汽车或其它电子装置中。功率发射单元110可以包含电源111、信令模块112、功率放大器113、匹配电路114和发射谐振器115。电源111可以与功率放大器113耦合以提供功率。功率放大器113可以与匹配电路114耦合以提供功率。匹配电路114可以与发射谐振器115耦合以提供功率。信令模块112可以与电源111和功率放大器113通信以发送和接收信号。电源111可以提供用于充电的AC功率。电源111可以向AC(交流电)功率放大器113提供AC功率。功率放大器113可以将来自电源的AC功率转换成相对高频的功率，例如，HF(高频)功率。HF功率可以指示频率范围从大约几十千赫到大约几兆赫的功率。例如，HF功率可以指示具有大约6.8MHz或大约13.6MHz频率的功率。信令模块112可以接收指示电源111和功率放大器113的配置的信号。信令模块112可以发送信号以修改电源111和功率放大器113的配置。HF功率可以被提供给匹配电路114。匹配电路114可以用于阻抗匹配。在阻抗匹配之后，最小量的HF功率将向后反射，并且功率效率将提高。然后HF功率可以被提供给发射谐振器115。发射谐振器115可以是线圈。HF功率可以通过电磁感应发射。功率接收单元120可以包含负载121、信令模块122、DC(直流)/DC转换器123、HF/DC整流器124和接收谐振器125。接收谐振器125可以通过电磁感应接收功率。HF/DC整流器124可以与接收谐振器125耦合以接收功率。DC/DC转换器123可以与HF/DC整流器124耦合以接收功率。负载121可以与DC/DC转换器123耦合以接收功率。信令模块122可以与负载121和DC/DC转换器123通信以发送和接收信号。接收谐振器125可以是与发射谐振器(例如，功率发射单元110的发射谐振器115)匹配的线圈。接收谐振器125从发射谐振器115(例如，通过磁感应或磁共振)接收功率。发射谐振器115和接收谐振器125之间的谐振耦合可以是大约6.78MHz或其它频率。由接收谐振器125接收的功率可以被提供到HF/DC整流器124。HF/DC整流器124可以对接收到的AC功率进行整流，并且提供经整流的DC功率。经整流的DC功率可以被提供到DC/DC转换器123。DC/DC转换器123可以将DC功率转换成用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子电路，其包括：/n第一晶体管，其包含与输入电压耦合的第一电极和第二电极；/n第二晶体管，其包含与所述第一晶体管的所述第二电极耦合的第一电极和耦合到接地的第二电极；/n第一电容器，其耦合在所述第一晶体管的所述第一电极与所述第二晶体管的所述第二电极之间；/n第一二极管，其包含与所述第一晶体管的所述第一电极耦合的第一端子和第二端子；/n第二二极管，其包含与所述第一二极管的所述第二端子耦合的第一端子和与所述第二晶体管的所述第二电极耦合的第二端子；/n第二电容器，其耦合在所述第一晶体管的所述第一电极与所述第一二极管的所述第二端子之间；以及/n第三电容器，其耦合在所述第一二极管的所述第二端子与所述第二晶体管的所述第二电极之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子电路，其包括：
第一晶体管，其包含与输入电压耦合的第一电极和第二电极；
第二晶体管，其包含与所述第一晶体管的所述第二电极耦合的第一电极和耦合到接地的第二电极；
第一电容器，其耦合在所述第一晶体管的所述第一电极与所述第二晶体管的所述第二电极之间；
第一二极管，其包含与所述第一晶体管的所述第一电极耦合的第一端子和第二端子；
第二二极管，其包含与所述第一二极管的所述第二端子耦合的第一端子和与所述第二晶体管的所述第二电极耦合的第二端子；
第二电容器，其耦合在所述第一晶体管的所述第一电极与所述第一二极管的所述第二端子之间；以及
第三电容器，其耦合在所述第一二极管的所述第二端子与所述第二晶体管的所述第二电极之间。


2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管交替地导通。


3.根据权利要求2所述的电子电路，其进一步包括：
第三晶体管，其包含与所述输入电压耦合的第一电极和与所述第一晶体管的所述第一电极耦合的第二电极；以及
第四晶体管，其包含与所述第二晶体管的所述第二电极耦合的第一电极和与所述接地耦合的第二电极。


4.根据权利要求3所述的电子电路，其进一步包括：
阻抗电路和线圈，其中所述阻抗电路和所述线圈耦合在所述第一二极管的所述第二端子和所述第一晶体管的所述第二电极之间。


5.根据权利要求3所述的电子电路，其中所述第三晶体管和所述第四晶体管交替地导通。


6.根据权利要求5所述的电子电路，其中所述第一晶体管的第一导通周期与所述第三晶体管的第二导通周期之间的相位差小于约90度。


7.根据权利要求3所述的电子电路，其进...

【专利技术属性】
技术研发人员：章涛，陈钰林，李继华，林文杰，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44