成分、其制造方法及其用途技术

提供一种成分，包括：(a)主相，其由具有属于R‑3m空间群的岩盐结构的层状混合金属氧化物提供；所述层状混合金属氧化物包括以下组成元素：45至55原子％的锂；20至55原子％一种或多种过渡金属，其选自铬、锰、铁、镍、钴及其组合；和0至25原子％一种或多种另外的掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铜、钌、锌、钼、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；其中所述原子％表示为所述层状氧化物的不包括氧的总原子的％；(b)次相，其由不具有层状混合金属氧化物的晶体结构的金属氧化物提供，该次相包括包含在层状混合金属氧化物中的过渡金属的一种或多种，该过渡金属选自铬、锰、铁、镍和钴。还提供制备所述成分的方法以及包含该成分的电极和单元电池、特别是固态电池。与化学组成相似的较光滑的晶体相比，所述晶体的粗糙形态赋予优势，特别是在固态电池中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成分、其制造方法及其用途
本专利技术涉及包含以下的成分(组合物)：由具有岩盐结构的层状混合金属氧化物提供的第一相和由不具有所述层状混合金属氧化物的晶体结构的金属氧化物提供的第二相。特别地，所述成分可包含Co3O4以及锂和钴的结晶氧化物，任选地包含一种或多种本文中所述的掺杂元素。本专利技术还涉及该成分的制造方法及其用途，特别是用作电极和用于电化学单元电池、特别是锂离子电池中的用途。
技术介绍
锂离子电池是一种可再充电电池，其中锂离子(Li+)在放电过程中从负极移动到正极，并在充电时移动回去。与不可再充电的锂离子电池中使用的金属锂相比，锂离子电池使用锂嵌入化合物作为一种电极材料。允许离子移动的电解质和两个电极是锂离子电池的组成组件。典型地，锂离子电池由至少三个组件组成。两个有源电极(负极和正极)被电解质隔开。这些组件中的每一个都形成为薄膜，依次沉积在支撑基底上。还可提供其他组件例如集流体、界面修饰件(interfacemodifiers)和封装件。在制造中，可例如按正极集流体、正极、电解质、负极、负极集流体和封装件的顺序沉积所述组件。在锂离子示例中，负极和正极能够可逆地存储锂。负极和正极材料的其他要求是可由低质量和体积的材料实现的高重量和体积存储容量，同时每单位存储的锂离子数量应尽可能多。所述材料还应表现出可接受的电子和离子传导性，以便在电池充电和放电过程中离子和电子可穿过电极移动。许多设备，特别地但不仅为手持电子设备，使用基于具有属于R-3m空间群的岩盐结构的层状混合金属氧化物的锂离子电池。这些层状混合金属氧化物是LixM’yO2式型的，其中M’为选自铬、锰、铁、镍、钴及其组合的过渡金属。在这种结构中，锂离子和过渡金属离子的交替层占据氧化物离子的立方密堆积晶格的八面体位点。锂离子的扩散优选沿锂平面发生。这种混合金属氧化物的实例包括LixMn1-yMyO2(其中M为选自铬、铁、镍、钴及其组合的过渡金属)和锂钴氧化物(LiCoO2)。LiCoO2具有六边形的层状晶体结构，其中Li+离子在O-Co-O片(片层，sheets)之间的八面体位点中。Li+扩散通过锂平面内的空位跳跃而发生。在本领域中已知Li+迁移率以及因此的LiCoO2的电化学性质将极大地取决于晶体取向。文献描述了对于具有取向(101)、(104)和(110)的正极实现了Li的优化扩散。如例如在下文引用的Bates等人和在下文引用的Trask等人中所描述的，这种锂钴氧化物织构比(003)更有利，在该(003)中，Li离子的扩散主要限于晶界区域。(110)取向具有垂直于基底排列的锂平面，这是有利的，因为它使锂离子易于进入并且相对地易于从结构中移除，从而实现快速的Li+扩散和高锂容量。与仍允许容易的Li+移除和Li+插入结构中的(110)取向相比，(101)和(104)取向具有呈微小角度的的锂平面。(003)取向由平行于基底排列的Li+平面组成：该取向较为不利，因为锂离子较不易接近而被有效地捕获在结构中。制造锂钴氧化物的许多方法是本领域已知的。例如，WO2015/104539描述了用于制备包括锂钴氧化物的结晶含锂化合物的气相沉积方法。当组成元素在基底上反应以形成结晶材料时，在基底上形成锂钴氧化物膜。WO2015/104539中描述的沉积是在物理气相沉积(PVD)系统中进行的，该系统先前已在文献(Guerin,S.和Hayden,B.E.,JournalofCombinatorialChemistry2006,8,66-73)中进行了描述。Bates等人，J.Electrochem.Soc.2000,147,59-70描述了通过使用AC电压(RF溅射)由LiCoO2靶材在氩气和O2的混合物中以100-1000nm/分钟的速率进行溅射来制造锂钴氧化物膜。Bates等人报告了非常薄的锂钴氧化物膜(厚度<0.5μm)生长(RF溅射)倾向于优选(003)取向以最小化表面能，而较厚的锂钴氧化物膜(厚度<1μm)形成优选的(101)-(104)取向以最小化在退火过程中产生的体积应变能。Bates等人描述了获得X射线无定形膜，其通过退火而结晶。在一些膜的X射线衍射图案中观察到了Co2O3、Co3O4、Li1.47Co3O4和Pt3O4，但没有进一步提及：可以理解，这些是退火过程的副产物，因为据称所述膜在加热之前是X射线无定形的。Bates等人还讨论了基底温度的影响。高温下的沉积导致较大的晶粒和增加的空隙分数(空隙率)(即，较大的材料中的空的空间的分数，作为空隙体积占总体积的分数)。Bates等人没有描述将Co3O4引入膜中或用作种子层的任何尝试，并且没有提供对膜组成的分析。Ceder等人，JAlloysandCompounds2006,417,304-310描述了基底对通过脉冲激光沉积(PLD)生长的0.3至0.5μm厚的锂钴氧化物膜的取向的影响。Ceder等人描述了不锈钢(SS)基底可提供具有粗糙表面和无规取向的膜，而二氧化硅/硅(SiO2/Si；SOS)基底可提供具有优选的(003)取向的相对光滑的表面。其中描述的电化学表明，沉积在SS上的粗糙的膜具有更高的膜利用率，而沉积在SOS上的光滑的膜具有更好的容量保持性和结构稳定性。参考文献指出，X射线衍射图案中的所有非基底峰均归因于LiCoO2薄膜，并且从XRD衍射图中看不到诸如Co3O4的杂质峰。Yoon等人，J.PowerSources2013,226,186-190使用基底温度和/或Li2O缓冲层来控制溅射的锂钴氧化物层的取向。在400℃下，获得具有(110)或(101)的优选取向的膜。另外，描述了Li2O缓冲层抑制(003)取向的形成并促进(110)取向。Bouwman等人，Solid-stateIonics2002152,181-188描述了使用RF溅射和PLD制造锂钴氧化物膜。据描述，RF溅射产生具有(110)取向的膜，而PLD沉积的膜具有(003)取向。(110)取向的膜在循环期间几乎利用了其全部理论容量，而(003)膜具有较差的可逆容量。(003)膜的电化学性质可通过如下方式来改善：通过热处理、使用不锈钢基底或光刻图案化技术将缺陷和不规则性引入膜中。根据Bouwman等人所述的方法，在使用从化学计量的LiCoO2靶材进行的RF溅射或脉冲激光沉积(PLD)之后，将膜在600℃下原位或非原位地退火。在退火过程中，挥发性Li2O的蒸发导致Co3O4形成(估计～5％Co3O4)。然而，该文献中教导的延长的高温处理方法没有提供对锂钴氧化物膜的形态的任何控制。具体而言，教导了当通过PLD将LiCoO2沉积在退火的RF种子(籽晶)层上时，存在的(110)取向不继续，而是以优先的(00l)取向过度生长。然而，膜结构与在空白硅基底上生长的膜结构不同，因为未观察到所有(00l)反射。Bouwman等人，J.Electrochem.Soc.2001,148(4),A311-A317进一步描述了在基底上形成锂钴氧化物膜，然后退火。它描述了在600℃下的退火过程中发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.成分，包括/n(a)主相，其由具有属于R-3m空间群的岩盐结构的层状混合金属氧化物提供；所述层状混合金属氧化物包括以下组成元素：/n45至55原子％的锂；/n20至55原子％的一种或多种过渡金属，其选自铬、锰、铁、镍、钴及其组合；和/n0至25原子％的一种或多种另外的掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铜、钌、锌、钼、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；/n其中所述原子％表示为所述层状氧化物的不包括氧的总原子的％；/n(b)次相，其由不具有所述层状混合金属氧化物的晶体结构的金属氧化物提供，所述次相包括包含在所述层状混合金属氧化物中的过渡金属的一种或多种，所述过渡金属选自铬、锰、铁、镍和钴，/n其中所述主相占所述成分的总质量的90％至99.5％，以及所述次相占所述成分的总质量的0.5％至10％。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180403 GB 1805627.51.成分，包括
(a)主相，其由具有属于R-3m空间群的岩盐结构的层状混合金属氧化物提供；所述层状混合金属氧化物包括以下组成元素：
45至55原子％的锂；
20至55原子％的一种或多种过渡金属，其选自铬、锰、铁、镍、钴及其组合；和
0至25原子％的一种或多种另外的掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铜、钌、锌、钼、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；
其中所述原子％表示为所述层状氧化物的不包括氧的总原子的％；
(b)次相，其由不具有所述层状混合金属氧化物的晶体结构的金属氧化物提供，所述次相包括包含在所述层状混合金属氧化物中的过渡金属的一种或多种，所述过渡金属选自铬、锰、铁、镍和钴，
其中所述主相占所述成分的总质量的90％至99.5％，以及所述次相占所述成分的总质量的0.5％至10％。


2.根据权利要求1所述的成分，其中所述次相包括少于1原子％的锂。


3.根据权利要求2所述的成分，其中所述次相基本不含锂。


4.根据前述权利要求中任一项所述的成分，其中所述层状混合金属氧化物包括：
45至55原子％的锂；
40至55原子％的一种或多种过渡金属，其选自铬、锰、铁、镍、钴及其组合；和
0至5原子％的一种或多种另外的掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铜、钌、锌、钼、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕。


5.根据权利要求4所述的成分，其中所述层状混合金属氧化物包括：
45至55原子％的锂；
45至55原子％的一种或多种过渡金属，其选自铬、锰、铁、镍、钴及其组合。


6.根据前述权利要求中任一项所述的成分，其中所述次相占所述成分的总质量的1％至10％。


7.根据前述权利要求中任一项所述的成分，其中所述次相占所述成分的总质量的2.5％至10％。


8.根据前述权利要求中任一项所述的成分，其中所述成分是薄膜层，其包括顶表面和底表面，并且具有1-50μm的在所述顶表面和所述底表面之间的高度。


9.根据权利要求8所述的成分，其中所述次相以与所述底表面对齐的种子层的形式存在。


10.根据前述权利要求中任一项所述的成分，其中所述层状混合金属氧化物具有通式Li1Co1-2yMnyNiyO2，并且所述次相包括一种或多种选自以下的过渡金属：钴、锰和镍。


11.根据权利要求1-9中任一项所述的成分，其中所述层状混合金属氧化物具有通式LixMn1-yMyO2，其中M为选自铬、镍、铁和钴的过渡金属。


12.根据权利要求1-9中任一项所述的成分，其中所述层状混合金属氧化物为结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物；所述结晶氧化物包括以下组成元素：
45至55原子％的锂；
20至55原子％的钴；和
0至25原子％的至少一种另外的掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铬、锰、铁、铜、钌、镍、锌、钼、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％；和
所述次相为Co3O4。


13.根据权利要求12所述的成分，进一步具有权利要求14-79和152中任一项的特征。


14.成分，包括：
(a)Co3O4；和
(b)结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物；所述结晶氧化物包括以下组成元素：
45至55原子％的锂；
20至55原子％的钴；和
0至25原子％的至少一种另外的掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铬、锰、铁、铜、钌、镍、锌、钼、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％；
其中所述成分的总质量的0.01％至10％是Co3O4；
其中所述成分的总质量的90％至99.99％是结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物；
其中所述成分具有底表面和顶表面；
其中所述结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物具有特征在于以下参数(a)至(c)中的至少一个的结晶结构：
(a)所述结晶结构的至少一部分相对于平行于所述底表面的平面具有选自(101)、(104)、(110)和(012)的晶体取向；
(b)包括以下的拉曼光谱：在484cm-1、593cm-1处的谱带，和至少一个选自690cm-1、526cm-1和625cm-1的谱带(所述谱带各自±25cm-1)；
(c)至少一个选自2θ(±0.2°)37.4°、39.1°、45.3°和66.4°的使用CuKαX射线源测量的X射线粉末衍射峰。


15.成分，包括：
(a)Co3O4；和
(b)结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物；所述结晶氧化物包括以下组成元素：
45至55原子％的锂；
20至55原子％的钴；和
0至25原子％的至少一种另外的掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铬、锰、铁、铜、钌、镍、锌、钼、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％；
其中所述成分的总质量的0.01％至10％是Co3O4；
其中所述成分的总质量的90％至99.99％是结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物；
其中所述成分具有底表面和顶表面；
其中所述结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物具有特征在于以下参数(a)至(c)中的至少一个的结晶结构：
(a)至少一种选自(101)、(104)、(110)和(012)的晶体取向；
(b)包括以下的拉曼光谱：在484cm-1、593cm-1处的谱带，和至少一个选自690cm-1、526cm-1和625cm-1的谱带(所述谱带各自±25cm-1)；
(c)至少一个选自2θ(±0.2°)37.4°、39.1°、45.3°和66.4°的X射线粉末衍射峰。


16.根据权利要求14或权利要求15所述的成分，其中所述结晶氧化物包括：
45至55原子％的锂；
40至55原子％的钴；和
0至5原子％的至少一种掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铬、锰、铁、铜、钌、镍、钼、锌、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％。


17.根据权利要求14或权利要求15所述的成分，其中所述结晶氧化物包括：
45至55原子％的锂；
42.5至55原子％的钴；和
0至2.5原子％的至少一种掺杂剂元素，其选自：镁、钙、锶、钛、锆、钒、铬、锰、铁、铜、钌、镍、钼、锌、硼、铝、镓、锡、铅、铋、镧、铈、钆和铕；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％。


18.根据权利要求14或权利要求15所述的成分，其中所述结晶氧化物包括：
45至55原子％的锂；和
45至55原子％的钴；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％。


19.根据权利要求14或权利要求15所述的成分，其中所述结晶氧化物包括：
47.0至53.0原子％的锂；和
47.0至53.0原子％的钴；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％。


20.根据权利要求14或权利要求15所述的成分，其中所述结晶氧化物包括：
47.5至49.1原子％的锂；和
50.9至52.5原子％的钴；
其中所述原子％表示为所述结晶氧化物的不包括氧的总原子的％。


21.根据权利要求14或权利要求15所述的成分，其中所述结晶氧化物具有式Li1Co1-2yMnyNiyO2。


22.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的0.5％至10％为Co3O4。


23.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的1.0％至10％为Co3O4。


24.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的2.5％至10％为Co3O4。


25.根据权利要求1-24中任一项所述的成分，其中所述顶表面和所述底表面的至少一个具有在10和250nm之间、优选在30和250nm之间、更优选在50和250nm之间的平均表面粗糙度(Ra)。


26.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的0.01％至5％为Co3O4。


27.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的5％至7.5％为Co3O4。


28.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的7.5％至10％为Co3O4。


29.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的0.01％至0.05％为Co3O4。


30.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的0.05％至0.1％为Co3O4。


31.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的0.1％至0.5％为Co3O4。


32.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的0.5％至1.0％为Co3O4。


33.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的1.0％至1.5％为Co3O4。


34.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的1.5％至2.0％为Co3O4。


35.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的2.0％至3.0％为Co3O4。


36.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的3.0％至4.0％为Co3O4。


37.根据权利要求14至20中任一项所述的成分，其中所述成分的总质量的4.0％至5.0％为Co3O4。


38.根据前述权利要求中任一项所述的成分，其中所述成分是包括所述顶表面、所述底表面和1-50μm的高度的薄膜层。


39.根据前述权利要求中任一项所述的成分，其中所述成分作为基底上的层提供。


40.根据权利要求14至37中任一项所述的成分，其中所述成分是包括所述顶表面、所述底表面和1-50μm的高度的薄膜层，并且所述薄膜层包括Co3O4的种子层。


41.根据权利要求40所述的成分，其中所述种子层在距所述底表面的高度的75％以内。


42.根据权利要求40所述的成分，其中所述种子层在距所述底表面的高度的50％以内。


43.根据权利要求40所述的成分，其中所述种子层在距所述底表面的高度的25％以内。


44.根据权利要求40所述的成分，其中所述种子层在距所述底表面的高度的10％以内。


45.根据权利要求40所述的成分，其中所述种子层在距所述底表面的高度的5％以内。


46.根据权利要求40所述的成分，其中所述种子层在距所述底表面的高度的2.5％以内。


47.根据权利要求40所述的成分，其中所述种子层构成所述薄膜层的底表面。


48.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为0.1-100nm厚。


49.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为0.1-50nm厚。


50.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为0.1-25nm厚。


51.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为0.1-10nm厚。


52.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为1-50nm厚。


53.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为1-25nm厚。


54.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为1-10nm厚。


55.根据权利要求40-47中任一项所述的成分，其中所述种子层为1-5nm厚。


56.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物包括选自(101)、(104)或(110)的任一种、两种或所有三种晶体取向。


57.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物包括(101)晶体取向。


58.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物包括(104)晶体取向。


59.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物包括(110)晶体取向。


60.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物包括(101)和(104)、(101)和(110)、或(104)和(110)晶体取向。


61.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少2.5％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


62.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少4.5％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


63.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少5％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


64.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少7.5％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


65.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少10％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


66.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少25％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


67.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少50％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


68.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少75％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


69.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少80％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


70.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少90％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


71.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的至少95％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


72.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的大于95％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


73.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的大于97.5％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


74.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的大于99％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


75.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述顶表面的大于99.5％是包括选自(101)、(104)、(110)或其组合的晶体取向的结晶氧化物。


76.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物包括(101)取向、(104)取向、(110)取向、(101)和(104)晶体取向、(101)和(110)晶体取向、或(104)和(110)晶体取向。


77.根据权利要求14-37和40-76中任一项所述的成分，其中所述结晶的锂钴氧化物或结晶的掺杂锂钴氧化物具有结晶的菱面体结构，空间群R-3m(166)。


78.根据权利要求40-55中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物包括不规则的柱状晶体结构和顶表面，所述顶表面包括无规取向的板或簇状角锥体。


79.根据权利要求14-37和40-64中任一项所述的成分，其中所述结晶氧化物具有表现出如下的X射线粉末衍射图案的结晶结构，所述X射线粉末衍射图案包括在选自以下的2θ(±0.2°)处的使用CuKαX射线源测量的X射线粉末衍射峰：37.4°、45.3°、或37.4°和45.3°两者。


80.制备根据权利要求1-13中任一项所述的成分的方法，所述方法包括以下步骤：
提供所述成分的各组成元素的单独的蒸气源，其中所述蒸气源至少包括：
·锂源，
·过渡金属源，所述过渡金属选自铬、锰、铁、镍和钴，
·氧源，和
·任...

【专利技术属性】
技术研发人员：L珀金斯，W理查森，L特纳，T里斯布里杰，S格林，B海登，O克拉克，R诺布尔，JP索莱，P凯西，K吉亚格洛格卢，
申请(专利权)人：伊利卡科技有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB