用于制造芯片卡层结构的方法以及芯片卡层结构技术

本发明专利技术涉及一种用于制造芯片卡层结构的方法。所述方法能够包括：将光学透明的或光学半透明的块体置入到不透明的层结构的开口中，其中块体能够具有比层结构更大的厚度，并且其中块体能够具有与开口基本上相同的体积(610)；以及层压块体和层结构，使得块体的材料基本上填满开口(620)。本发明专利技术还涉及一种芯片卡层结构。

【技术实现步骤摘要】
用于制造芯片卡层结构的方法以及芯片卡层结构
本专利技术涉及芯片卡层结构以及用于制造芯片卡层结构的方法。
技术介绍
在芯片卡、例如用于辨别目的的芯片卡(并且与此相应地也称为ID卡)中，越来越多地将透明窗用作为安全特征。附加地，例如可以应用激光雕刻或例如微压印，例如文本的微压印。在此，在芯片卡中实施这种透明窗的技术挑战在于：使用最佳适合于现有设备和现存工艺的方法，并且作为边界条件，能够实现生产具有最高质量的和高的可复现性的大件数的产品。最高质量的标志能够是：透明窗与不透明层之间无间隙、高的平面性以及对后续工艺的良好的粘附性。在图1中示出具有透明窗106的芯片卡100，所述透明窗借助于现今使用的方法引入到芯片卡卡体的不透明的层结构114中。在现今使用的方法中的一种方法中，能够将预先制造的透明窗106引入到层结构114的开口中。在此，透明窗106的尺寸设计成，使得所述透明窗具有与层结构的开口精确相同的面几何形状，使得实施过盈配合。这可能需要使用非常精确的、具有高的维护耗费的冲压工具和/或切割工具，或承担高的产量损失。在现今使用的方法中的另一方法中，在共同的工艺中，将透明窗106与不透明的层结构114的开口一起冲压，并且然后立即在下一工艺中嵌入。为此，需要特定的冲压工具以及所属的方法。特定的冲压工具已经被授予专利(并且与此相应地是价格昂贵的)，并且在全球范围内具有低的流行度。
技术实现思路
在不同的实施例中，提供一种用于制造芯片卡层结构的方法，所述方法能够实现，以低成本的方式在除此之外的不透明的剩余的层结构中提供具有可透光的窗的芯片卡。此外，提供一种相应的芯片卡层结构。在不同的实施例中，可透光的窗能够与不透明的层结构牢固地连接。在不同的实施例中，通过如下方式解决上述问题：为了产生窗而使用可透光的块体，所述可透光的块体在横向方向上具有比在芯片卡的(不透明的)层结构中的开口更小的尺寸，但是比开口深度更厚。在(例如借助于压力和可能的热量输送的)层压中，能够将块体改型，使得其至少基本上完全地填满开口。在不同的实施例中，将可透光的块体置入到不透明的层结构的开口中，其中可透光的块体具有比开口横向更小的尺寸，然而所述块体比开口深度更厚。随后，能够将块体和层结构层压，使得块体的材料基本上填满开口(例如贯通开口)。换言之，在不同的实施例中，在块体的外壁与开口的内壁之间的间隙能够借助于块体的增加的厚度通过如下方式来补偿：块体的体积安排成，使得块体的可透光的材料在改型之后至少填满开口的体积。在此，块体的体积能够安排成，使得在层压之后可透光的材料精确地或基本上精确地填满开口，或使得存在比开口能够容纳的材料更多的材料，以至于在层压时，可透光的材料重新分布，使得所述材料延伸到层结构的表面的至少一部分上。借此，尤其在材料延伸到层结构的两个表面上时，能够产生可透光的材料与不透明的层结构的强锚固。在不同的实施例中，块体的材料的一部分能够从开口中挤压出来并且覆盖层结构的表面的一部分。附图说明本专利技术的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。附图示出：图1示出根据现有技术的在层压之前的芯片卡层结构的示意性横截面视图；图2示出根据不同的实施例的芯片卡的三个示意图；图3示出根据不同的实施例的在层压之前的芯片卡层结构的示意性横截面视图；图4示出根据不同的实施例的在层压之后的芯片卡层结构的示意性横截面视图；图5示出具有多个芯片卡层结构的芯片卡层结构装置的示意性俯视图；以及图6示出用于制造根据不同的实施例的芯片卡层结构的方法的流程图。具体实施方式在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中为了图解说明而示出特定的实施方式，在所述实施方式中能够实施本专利技术。在所述方面，关于所描述的(多个)附图的定向，使用方向术语例如“上方”、“下方”、“前方”、“后方”、“前面”、“后面”等。因为实施方式的部件能够在一定数量的不同取向中定位，所以方向术语用于图解说明，并且绝不是限制性的。应当理解，能够使用另外的实施方式，并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不脱离本专利技术的保护范围。应当理解，只要未另外特别地说明，则在本文中描述的不同的示例性的实施方式的特征能够彼此组合。因此，下文中的详细描述不应该在限制性的意义上理解，并且本专利技术的保护范围通过所附的实施例限定。图2示出根据不同的实施例的芯片卡200的三个示意图，即，在上方示出芯片卡200的前侧的俯视图，在中间示出芯片卡200的后侧的俯视图，并且在下方示出示意性图解说明：芯片卡200的增益天线104能够设置在哪个区域中。图3示出根据不同的实施例的在层压之前的芯片卡层结构220的示意性横截面视图。图4示出根据不同的实施例的在层压之后的芯片卡层结构220的示意性横截面视图，例如图2中的芯片卡层结构220沿着线A-A’的横截面视图，并且图6示出用于制造根据不同的实施例的芯片卡层结构的方法的流程图600。芯片卡200能够具有：芯片卡层结构220，如在下文中更详细说明的那样；和还有芯片卡模块222，所述芯片卡模块具有芯片(未示出，而是仅仅示出与芯片连接的接触面；除了所示出的基于接触的使用之外，在不同的实施例中，芯片卡200能够以基本上已知的方式替选地或附加地设立用于非接触的使用)。图3和图4共同地图解说明用于制造根据不同的实施例的芯片卡层结构220的方法，所述方法在图6的流程图600中详述。因为图3示出在层压之前的芯片卡层结构220的图解说明，而图4示出在层压之后的芯片卡层结构220。如在图3中所示出的那样，芯片卡层结构220能够具有带有开口330的不透明的层结构114。在不同的实施例中，开口330能够是贯通开口。在另外的实施例中，开口330能够仅仅延伸经过不透明的层结构114的厚度的一部分。在该上下文中，将不透明的层结构114应当理解为：形成层结构114并在其中形成开口330的层110、108至少在开口330的周围是略微半透明的或透明的，使得在开口330中形成的可透光的窗106在其透光性方面与邻接的区域不同。在不同的实施例中，不透明的层结构114能够具有多个子层，例如在图3和图4中示出的子层108、110，其中一个子层或子层108、110中的至少一个子层的子子层(未示出)能够是透明的或半透明的。在不同的实施例中，在层结构114中能够设置有或设置多个可透光的窗106。层结构114能够基本上以已知的方式形成，或能够基本上是以已知的方式形成的。在不同的实施例中，层结构114能够具有至少一个电元件，例如作为所示出的子层108、110或其他的子层的一部分或嵌入所述子层中。示例性地，示出天线结构104。电元件的另外的示例是电容器和发光二极管。替选地或附加地，在不同的实施例中，层结构114能够具有光学元件、例如全息图。层结构114能够具有印刷的或以其他方式构造的元件，例如子层108、110。如在图3中所示出的那样，能够在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造芯片卡层结构的方法，所述方法包括：/n·将光学透明的或光学半透明的块体置入到不透明的层结构的开口中，其中所述块体具有比所述层结构更大的厚度，并且其中所述块体具有与所述开口基本上相同的体积；以及/n·层压所述块体和所述层结构，使得所述块体的材料基本上填满所述开口。/n

【技术特征摘要】
20190708 DE 102019118444.41.一种用于制造芯片卡层结构的方法，所述方法包括：
·将光学透明的或光学半透明的块体置入到不透明的层结构的开口中，其中所述块体具有比所述层结构更大的厚度，并且其中所述块体具有与所述开口基本上相同的体积；以及
·层压所述块体和所述层结构，使得所述块体的材料基本上填满所述开口。


2.根据权利要求1所述的方法，
其中在所述层压时，将所述块体的材料的一部分从所述开口中挤压出来，并且这部分覆盖所述层结构的表面的一部分。


3.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述层结构具有在大约200μm至大约450μm的范围内的厚度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，
其中所述块体在置入时比所述层结构厚大约2％至大约25％。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，
其中进行所述层压，使得所述块体的材料无间隙地填满所述开口。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，
其中在所述层结构中包括至少一个电元件，
其中所述至少一个电元件可选地具有如下组中的至少一个电元件：
天线结构；
电容器；以及
发光二极管。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，
其中所述开口是贯通开口。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，
其中在所述层结构中包括至少一个光学元件，
其中所述光学元件可选地具有全息图。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·皮施纳，西格弗里德·赫夫纳，彼得·斯坦普卡，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE