本发明专利技术公开了一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法,包括:在钢液浇铸过程中,根据塞棒位置,确定监测结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段;在监控时间段内,当监控到浸入式水口两侧液位波动的差值大于液位波动阈值时,控制流动控制结晶器FC‑MOLD电磁制动的上线圈电流范围为200A~400A,下线圈电流范围为600A~800A;通过上述方法显著减轻了钢液偏流产生的影响,提高液面波动合格率,减少铸坯凝固过程中卷渣、漏钢现象的发生,提高铸坯质量。
【技术实现步骤摘要】
降低结晶器内钢液偏流的控制方法及控制装置
本申请涉及钢铁冶炼
,尤其涉及一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法及控制装置。
技术介绍
在生产低碳或超低碳铝镇静钢时,如果RH精炼后期镇静时间短或保护浇铸工作做得不好,浇铸过程中钢水脱氧生成的Al2O3类型夹杂物及二次氧化产生的Al2O3夹杂物会沉积在水口内壁,引起水口堵塞。当堵塞物聚集到一定程度后造成脱落并随钢水流入结晶器,被凝固铸坯捕获后形成大颗粒夹杂物,影响铸坯质量,制约连浇炉数提高,严重时需被迫更换浸入式水口(简称SEN)或导致非计划停浇事故。结晶器内钢水偏流会导致结晶器内浸入式水口两侧对称位置的钢液流速不等,偏流的特点是从SEN的两个侧孔吐出的流量不一样,堵塞一侧液面波动明显小于未堵塞一侧,液面波动相对较大一侧更容易产生卷渣现象,水口两侧下回流在窄面的冲击深度和冲击压力不等将导致结晶器窄面坯壳厚度不均,甚至产生漏钢的风险。在实际生产过程中,偏流造成的液面波动会造成卷渣,保护渣的卷入不仅污染钢液,增加钢液中的夹杂物水平,而且会影响铸坯以及板卷的表面质量。当发生水口堵塞的时候只能采取换水口的操作,换水口操作为降低拉速,操作工人安装新烘烤后水口,再提升拉速至正常水平。目前现场工人通过肉眼观察结晶器水口两侧发生偏流情况时,即SEN的两个侧孔吐出的流量不一样,一侧液面翻滚,一侧液面过于不活跃,SEN两侧对称位置的上反转流股不一样,导致弯月面下的流速和液位波高不一致。目前在遇到结晶器偏流时,往往采用降低塞棒吹氩流量,使未堵塞一侧液面翻滚减弱,减少卷渣的发生,但降低塞棒吹氩流量更容易导致水口堵塞的加剧。形成恶性循环。
技术实现思路
本专利技术提供了一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法及控制装置,以解决或者部分解决现有技术中随着浇铸的进行,因为水口堵塞引起钢液偏流、导致卷渣或漏钢的技术问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法,包括:在钢液浇铸过程中,根据塞棒位置,确定监测结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段;在监控时间段内,当监控到浸入式水口两侧液位波动的差值大于液位波动阈值时,控制流动控制结晶器FC-MOLD电磁制动的上线圈电流范围为200A~400A,下线圈电流范围为600A~800A。可选的,根据塞棒位置,确定监测结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段,具体包括:确定塞棒的棒位初始值S0与棒位最大值Smax;将塞棒的棒位实际值达到棒位阈值S以上的时间段确定为监控时间段;棒位阈值S=S0+(Smax-S0)×50%。可选的,液位波动阈值的取值范围为3~5mm。基于前述技术方案相同的专利技术构思,本专利技术还提供了一种降低结晶器内钢液偏流的控制装置,包括:确定模块,用于在钢液浇铸过程中,根据塞棒位置,确定监测结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段;FC-MOLD控制模块,用于在监控时间段内,当监控到浸入式水口两侧液位波动的差值大于液位波动阈值时,控制流动控制结晶器FC-MOLD电磁制动的上线圈电流范围为200A~400A,下线圈电流范围为600A~800A。可选的,确定模块具体用于:确定塞棒的棒位初始值S0与棒位最大值Smax;将塞棒的棒位实际值达到棒位阈值S以上的时间段确定为监控时间段;棒位阈值S1=S0+(Smax-S0)×50%。通过本专利技术的一个或者多个技术方案,本专利技术具有以下有益效果或者优点:本专利技术提供了一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法,通过塞棒位置确定监测结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段,当液位波动超过阈值时,控制FC-MOLD上线圈电流范围为200A~400A,下线圈电流范围为600A~800A,以减弱钢液从浸入式水口未堵塞侧的大量喷出,通过电磁力的增加抑制钢液惯性力的增加,从而显著减轻钢液偏流产生的影响,提高液面波动合格率,减少铸坯凝固过程中卷渣、漏钢现象的发生,提高铸坯质量。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:图1示出了根据本专利技术一个实施例的降低结晶器内钢液偏流的控制方法流程示意图;图2示出了根据本专利技术一个实施例的降低结晶器内钢液偏流的控制装置示意图。具体实施方式为了使本申请所属
中的技术人员更清楚地理解本申请,下面结合附图,通过具体实施例对本申请技术方案作详细描述。在整个说明书中,除非另有特别说明,本文使用的术语应理解为如本领域中通常所使用的含义。因此,除非另有定义,本文使用的所有技术和科学术语具有与本专利技术所属领域技术人员的一般理解相同的含义。若存在矛盾,本说明书优先。除非另有特别说明,本专利技术中用到的各种设备等,均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。为了解决水口堵塞引起的偏流问题,在一个可选的实施例中,如图1所示,提供了一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法,包括:S1:在钢液浇铸过程中,根据塞棒位置,确定监测结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段;具体的,在连铸浇铸过程中,中间包内的钢水经由浸入式水口(SEN)进入结晶器,而钢水的流量大小则是由于水口碗部相匹配的塞棒控制。在连铸开浇之前,塞棒棒头的圆弧面与水口碗部的圆弧面相接触,它们之间的间隙为0,当塞棒向上抬起的一瞬间,在塞棒棒头与水口碗部之间产生了间隙,钢水进入水口的流钢中孔,并从水口的出钢口注入结晶器。由此可见,塞棒向上抬升的距离(塞棒的棒位值)直接控制塞棒棒头与水口碗部之间的间隙大小,进而控制钢水进入浸入式水口的流量大小。在浇铸过程中若水口发生了一定程度的堵塞,也将继续提高塞棒的棒位值,从而保证注入结晶器的钢液的流量稳定。因此,根据塞棒的棒位实际值可以反映出水口的堵塞情况,从而间接判断此时钢液偏流的程度,当钢液偏流明显时将导致浸入式水口两侧液位波动明显。故而可以通过棒位值的大小确定出液位波动的监控时间段,具体如下:可选的,根据塞棒位置,确定监测结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段,具体包括:确定塞棒的棒位初始值S0与棒位最大值Smax;将塞棒的棒位实际值达到棒位阈值S以上的时间段确定为监控时间段;棒位阈值S=S0+(Smax-S0)×50%。实践表明,根据塞棒棒位值上升到棒位阈值S后,开始水口两侧液位波动检测是最为有效的,可以避免因为开启时机靠前导致的不必要的浪费,或者开启时机靠后无法及时消除偏流。S2:在监控时间段内,当监控到浸入式水口两侧液位波动的差值大于液位波动阈值时,控制流动控制结晶器FC-MOLD电磁制动的上线圈本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:/n在钢液浇铸过程中,根据塞棒位置,确定监测所述结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段;/n在所述监控时间段内,当监控到所述浸入式水口两侧液位波动的差值大于液位波动阈值时,控制流动控制结晶器FC-MOLD电磁制动的上线圈电流范围为200A~400A,下线圈电流范围为600A~800A。/n
【技术特征摘要】
1.一种降低结晶器内钢液偏流的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:
在钢液浇铸过程中,根据塞棒位置,确定监测所述结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段;
在所述监控时间段内,当监控到所述浸入式水口两侧液位波动的差值大于液位波动阈值时,控制流动控制结晶器FC-MOLD电磁制动的上线圈电流范围为200A~400A,下线圈电流范围为600A~800A。
2.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述根据塞棒位置,确定监测所述结晶器内浸入式水口两侧液位波动的监控时间段,具体包括:
确定所述塞棒的棒位初始值S0与棒位最大值Smax;
将所述塞棒的棒位实际值达到棒位阈值S以上的时间段确定为所述监控时间段;所述棒位阈值S=S0+(Smax-S0)×50%。
3.如权利要求1所述的控制方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗衍昭,季晨曦,董文亮,贾刘兵,赵新宇,刘金刚,徐海卫,于孟,刘洋,何文远,关顺宽,杨晓山,刘延强,杨敬铭,赵长亮,
申请(专利权)人:首钢集团有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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