一种半导体加工设备的辅助加热器制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体加工设备的辅助加热器，所公开的辅助加热器包括绝缘壳体、绝缘支撑管(120)和抗氧化电阻丝(130)；其中：抗氧化电阻丝(130)至少部分缠绕于绝缘支撑管(120)的外周，且在绝缘支撑管(120)上形成加热区，绝缘壳体具有容纳空间，加热区和绝缘支撑管(120)均设置于容纳空间中，抗氧化电阻丝(130)的两端延伸至容纳空间之外。上述方案能够解决辅助加热器使用寿命较短以及故障率较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工设备的辅助加热器
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体加工设备的辅助加热器。
技术介绍
光伏发电系统是一种利用太阳能电池半导体材料的“光伏效应”将太阳光辐射能直接装换为电能的一种新型发电系统。太阳能电池，又称光伏电池，是光伏发电系统中核心的器件。目前，技术最成熟，并具有商业价值的、市场应用最广的太阳能电池是晶体硅太阳能电池。太阳光在晶体硅表面的反射损失率高达35％左右，严重影响太阳能电池的最终转换效率。为提高转换效率，即，减少晶体硅表面对太阳光的反射，增加太阳光的折射率，常在晶体硅表面蒸镀一层或多层二氧化硅或氮氧硅或氮化硅减反射膜。减反射膜不但可以减少晶体硅表面对太阳光的发射，而且可以对晶体硅表面起到钝化和保护作用。PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)设备采用的等离子体增强化学气相沉积技术，在低压条件下，利用射频电场使反应气体产生辉光放电，电离出等离子体，促进反应活性基团的生成，从而使得硅烷和氨气能在较低的温度(200℃～450℃)下反应，减少了工艺的复杂性，并有效防止了晶体硅太阳能电池寿命的衰减，广泛应用于晶体硅太阳能电池表面减反射膜的蒸镀。目前，PECVD设备的辅助加热器为钨丝灯管结构，如图1所示，钨丝10在高温时容易氧化，所以需要对石英灯管20抽真空或真空封装，导致该辅助加热器的制备过程较为复杂，同时，此种结构的辅助加热器故障率较高，需要经常更换和维修，导致PECVD设备的产能提升受限。技术内容本技术公开一种半导体加工设备的辅助加热器，能够解决辅助加热器使用寿命较短以及故障率较高的问题。为了解决上述问题，本技术采用下述技术方案：本技术实施例公开一种半导体加工设备的辅助加热器，包括绝缘壳体、绝缘支撑管和抗氧化电阻丝；其中：所述抗氧化电阻丝至少部分缠绕于所述绝缘支撑管的外周，且在所述绝缘支撑管上形成加热区，所述绝缘壳体具有容纳空间，所述加热区和所述绝缘支撑管均设置于所述容纳空间中，所述抗氧化电阻丝的两端延伸至所述容纳空间之外。本技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：本技术实施例公开的辅助加热器中，使用抗氧化电阻丝代替钨丝，抗氧化电阻丝在高温的情况下较难氧化，以使抗氧化电阻丝的使用寿命较长，且无需对绝缘壳体抽真空，简化辅助加热器的制备过程，同时，绝缘壳体无需特殊处理(例如涂光反射层)，从而使得辅助加热器的成本较低。该辅助加热器均采用高温稳定的零部件，以使该辅助加热器在高温的情况下较难损坏，从而减少该辅助加热器的故障率，提高该辅助加热器的稳定性，延长辅助加热器的使用时间，避免经常更换和维修该辅助加热器，减少维修时间，进而能够提高半导体加工设备的产能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或
技术介绍
中的技术方案，下面将对实施例或
技术介绍
中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中一种典型的辅助加热器的部分结构示意图；图2为本技术实施例公开的辅助加热器的结构示意图；图3为本技术实施例公开的辅助加热器的部分结构示意图；图4为本技术实施例公开的半导体加工设备的结构示意图。附图标记说明：10-钨丝、20-石英灯管；100-辅助加热器、110-绝缘套管、120-绝缘支撑管、130-抗氧化电阻丝、140-绝缘封头、150-热电偶；200-主加热部；300-晶片承载部；400-石英管。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本技术各个实施例公开的技术方案。请参考图2至图4，本技术实施例公开一种半导体加工设备的辅助加热器100，所公开的辅助加热器100包括绝缘壳体、绝缘支撑管120和抗氧化电阻丝130。其中，抗氧化电阻丝130至少部分缠绕于绝缘支撑管120的外周，且抗氧化电阻丝130在绝缘支撑管120上形成加热区，具体地，抗氧化电阻丝130至少部分可以螺旋缠绕于绝缘支撑管120，以使抗氧化电阻丝130形成螺旋加热区。在具体的制备过程中，可以先将抗氧化电阻丝130烧制为螺旋状，然后再将螺旋状的抗氧化电阻丝130安装到绝缘支撑管120，当然，也可以先将抗氧化电阻丝130螺旋缠绕至绝缘支撑管120上，然后进行烧至为螺旋状，本技术实施例中对抗氧化电阻丝130的缠绕方式以及缠绕过程不做限制。抗氧化电阻丝130在通电的情况下能够产生较多的热量，以使该辅助加热器100对晶片承载部300的加热效果较好，且加热速度较快。绝缘支撑管120起到承载抗氧化电阻丝130的作用，且能够防止加热区中任意相邻的两个加热子圈之间短路，从而避免加热区出现发热效果较差的问题，进而提高加热区的稳定性。晶片承载部300通常为石墨舟，晶片承载部300的结构为已知技术，为了文本简洁，在此不再赘述。为了进一步提高加热区的稳定性，加热区可以包括多个依次相连的螺旋子圈，任意相邻的两个螺旋子圈之间的距离与抗氧化电阻丝130的直径可以满足P≥1.5d，其中：P为相邻的两个螺旋子圈之间的距离，d为抗氧化电阻丝130的直径，以使加热区中任意相邻的两个螺旋子圈之间的距离较大，防止任意相邻的两个螺旋子圈之间出现短路或打火击穿的现象，进一步提高加热区的稳定性，延长抗氧化电阻丝130的使用寿命，从而降低辅助加热器100的故障率，进而提高辅助加热器100的稳定性，避免经常更换和维修该辅助加热器100，减少维修时间，最终能够提高半导体加工设备的产能。进一步地，P可以大于或等于1.5d，且P可以小于等于2.5d，以使加热区的螺旋子圈较为密集，提高加热区的发热量，以使该辅助加热器100能够产生较多的热量，从而使得该辅助加热器100对晶片承载部300的加热效果更好，且加热速度更快。抗氧化电阻丝130在高温的情况下可能出现变形的现象，导致加热区收缩，致使加热区中各螺旋子圈之间的距离变小，进而导致加热区中相邻的两个螺旋子圈之间出现短路或打火击穿的现象。基于此，在一种可选的实施例中，加热区可以包括多个如上文所述的螺旋子圈，且多个螺旋子圈依次相连，任意相邻的两个螺旋子圈之间设置有耐火材料部。该耐火材料部能够防止任意相邻的两个螺旋子圈之间出现短路或打火击穿的现象，以更进一步提高加热区的稳定性，延长抗氧化电阻丝130的使用寿命，从而降低辅助加热器100的故障率，进一步提高该辅助加热器100的稳定性，避免经常更换和维修该辅助加热器100，减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工设备的辅助加热器，其特征在于，包括绝缘壳体、绝缘支撑管(120)和抗氧化电阻丝(130)；其中：/n所述抗氧化电阻丝(130)至少部分缠绕于所述绝缘支撑管(120)的外周，且在所述绝缘支撑管(120)上形成加热区，所述绝缘壳体具有容纳空间，所述加热区和所述绝缘支撑管(120)均设置于所述容纳空间中，所述抗氧化电阻丝(130)的两端延伸至所述容纳空间之外。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备的辅助加热器，其特征在于，包括绝缘壳体、绝缘支撑管(120)和抗氧化电阻丝(130)；其中：
所述抗氧化电阻丝(130)至少部分缠绕于所述绝缘支撑管(120)的外周，且在所述绝缘支撑管(120)上形成加热区，所述绝缘壳体具有容纳空间，所述加热区和所述绝缘支撑管(120)均设置于所述容纳空间中，所述抗氧化电阻丝(130)的两端延伸至所述容纳空间之外。


2.根据权利要求1所述的一种半导体加工设备的辅助加热器，其特征在于，所述加热区包括多个依次相连的螺旋子圈，任意相邻的两个所述螺旋子圈之间设置有耐火材料部。


3.根据权利要求2所述的一种半导体加工设备的辅助加热器，其特征在于，任意相邻的两个所述螺旋子圈之间的距离与所述抗氧化电阻丝(130)的直径满足P≥1.5d，其中：P为相邻的两个所述螺旋子圈之间的距离，d为所述抗氧化电阻丝(130)的直径。


4.根据权利要求2所述的一种半导体加工设备的辅助加热器，其特征在于，所述耐火材料部由高纯氧化铝纤维组成。


5.根据权利要求1所述的一种半导体加工设备的辅助加热器，其特征在于，所述绝缘壳体包括绝缘套管(110)和绝缘封头(140)，所述绝缘封头(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝晓明，郑建宇，侯鹏飞，赵福平，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11