一种光罩工艺误差修正方法技术

本发明专利技术公开了一种光罩工艺误差修正方法，涉及元器件制造技术领域。该方法包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。上述方法根据曝光处理后光罩图案的变化数据，对曝光光线的反射量进行预估，并对预设曝光强度进行调整，动态地修正光罩工艺中的参数，使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动，降低了光罩生产的成本，也使光罩的品质维持在较高的水平内。

【技术实现步骤摘要】
一种光罩工艺误差修正方法
本专利技术涉及元器件制造
，具体而言，涉及一种光罩工艺误差修正方法。
技术介绍
曝光(exposure)过程是使用电子束与特定位置光刻胶发生曝光反应。光罩(Mask)在进行曝光操作会由于反射光的干扰程度不同，使曝光后的线宽(CD)值产生变化达不到预期理想的CD值。当图案周围其他图案过多，在曝光时光刻胶内部会存在反射光干扰使该图案曝光后CD值偏大，与预期发生偏差。同时，当曝光次数过多时，曝光设备PRX值(CD密区与CD疏区的差值)偏移量会逐渐增大。所以，曝光参数的设置成为光罩生产过程影响曝光质量的重要因素。现有技术中，通常使用经验估算法或多次静态调整法，在生产的中长期后根据得到的反馈数据进行调整。上述方法通常需要寻找有经验的工程师根据经验进行多次调整曝光强度、光刻胶的厚度和对光源的灵敏度，需要不断改善光刻胶材料。多次的实验和研究导致时间、人力和材料成本耗费巨大，无法适应每次生产所产生的特异性问题，也无法长期将产品维持在高品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光罩工艺误差修正方法，以解决现有技术中，光罩生产成本高，品质无法保证的技术问题。本专利技术的实施例是这样实现的：本专利技术实施例提供一种光罩工艺误差修正方法，包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。可选地，上述获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽包括：对应于每一个区域，分别获取区域内每个光罩图案的线宽；对多个线宽计算均值作为区域的线宽。可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：若密区的线宽和疏区的线宽的差值大于零，则减小对应密区的预设曝光强度。可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：若密区的线宽和疏区的线宽的差值小于零，则增大对应密区的预设曝光强度。可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：依据公式E(x)＝eta*∫∫D(x’)g(x-x’)dx计算预设曝光强度的调整量，其中，E(x)为预设图案处预设曝光强度的调整量，eta为曝光处理使用的光刻胶的反射系数，D(x’)为相邻图案的光照强度，g(x-x’)为相邻图案反射至预设图案的光照强度。可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：依据公式Δη＝A×B×ΔCD计算预设曝光强度的调整比值，其中，Δη为预设图案处预设曝光强度的调整量，A为曝光处理使用的光刻胶的灵敏度，B为制程参数，ΔCD为密区的线宽与疏区的线宽的差值。可选地，上述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理包括：设置曝光调整周期，一个曝光调整周期内依次曝光处理N个器件，N为大于等于1的整数；计算密区的预设曝光强度的调整量之后，方法还包括：计算N个器件对应密区的预设曝光强度的调整量的均值，作为密区的预设曝光强度的调整量。可选地，上述设置曝光调整周期包括：确定器件的总产量；根据总产量确定器件的单次生产量；根据总产量和单次生产量的比值确定曝光调整周期。可选地，在上述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理之前，方法还包括：确定器件的曝光需求，根据曝光需求确定预设曝光强度。可选地，上述曝光需求包括光罩图案的预设线宽。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的光罩工艺误差修正方法中，该方法包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。本专利技术的方法，根据曝光处理后光罩图案的变化数据，对曝光光线的反射量进行预估，并对预设曝光强度进行调整，动态地修正光罩工艺中的参数，使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动，降低了光罩生产的成本，也使光罩的品质维持在较高的水平内。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为对器件进行曝光处理时光线在光刻胶内部的分布示意图；图2为期望光罩图案与实际光罩图案的对比图；图3为本专利技术实施例提供的一种光罩工艺误差修正方法的流程图；图4为本专利技术实施例提供的另一种光罩工艺误差修正方法的流程图；图5为本专利技术实施例提供的不同位置处光罩图案所受曝光强度的示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种光罩工艺误差修正方法的流程图；图7为本专利技术实施例提供的再一种光罩工艺误差修正方法的流程图。图标：100-器件；101-光刻胶层；102-曝光光线；103-反射光线；200-实际光罩图案；201-期望光罩图案；202-线宽误差；300-实际曝光强度；301-预设曝光强度；302-反射曝光强度；303-预设曝光强度的调整量。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。光罩又称光掩模版、掩膜版，光罩工艺是将石英玻璃作为衬底，在其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩工艺误差修正方法，其特征在于，包括：/n根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；/n获取曝光处理后的所述器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，所述区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；/n根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量。/n

【技术特征摘要】
1.一种光罩工艺误差修正方法，其特征在于，包括：
根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；
获取曝光处理后的所述器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，所述区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；
根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量。


2.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述获取曝光处理后的所述器件表面光罩图案的各区域的多个线宽包括：
对应于每一个所述区域，分别获取所述区域内每个所述光罩图案的线宽；
对多个所述线宽计算均值作为所述区域的线宽。


3.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：
若所述密区的线宽和所述疏区的线宽的差值大于零，则减小对应所述密区的所述预设曝光强度。


4.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：
若所述密区的线宽和所述的疏区的线宽的差值小于零，则增大对应所述密区的所述预设曝光强度。


5.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：
依据公式E(x)＝eta*∫∫D(x’)g(x-x’)dx计算所述预设曝光强度的调整量，其中，E(x)为预设图案处所述预设曝光强度的调整量，et...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家玮，蔡奇澄，黄钲为，周育润，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37