一种硅胶表面涂层处理装置制造方法及图纸

技术编号:26933649 阅读:16 留言:0更新日期:2021-01-05 20:01
本实用新型专利技术提供一种硅胶表面涂层处理装置,包括电离腔体、氧气模块、真空模块及电源模块,氧气模块、真空模块均与电离腔体连通,电源模块与电离腔体内的高压电极电连接。通过真空模块将电离腔体内部空气抽干,使电离腔体内部形成真空环境,氧气模块持续向电离腔体内部注入纯氧,电源模块使高压电极产生高压电弧,将氧气电离为高压氧离子,撞击硅胶表面形成羟基分子链。硅胶表面形成羟基后,测试水滴角度,由原来的90°~120°降低到15°~30°,达到可直接喷涂标准。

【技术实现步骤摘要】
一种硅胶表面涂层处理装置
本技术属于涂层粘接的
,具体涉及一种硅胶表面涂层处理装置。
技术介绍
目前,跟多产品都用到了硅胶,很多功能性的涂层需要粘接涂装在硅胶表面。但是硅胶是一种表面张力极强的,水滴角度测试能达到最大角度90°~120°,导致很多特殊功能性涂料在不破坏硅胶表面情况下,无法直接涂装在硅胶表面。因此现有技术多将硅胶表面先涂装一层转接层,再将功能涂层涂在转接层表面上,这样工艺复杂,生产效率底下。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的一些问题,本技术的目的是提供一种硅胶表面涂层处理装置,可直接在硅胶表面进行涂层喷涂。为实现上述目的,本技术提供一种硅胶表面涂层处理装置,包括电离腔体、氧气模块、真空模块及电源模块,氧气模块、真空模块均与电离腔体连通,电源模块与电离腔体内的高压电极电连接。进一步地,电离腔体内部设置有多个用于放置产品的搁置板,高压电极设置在每个搁置板上。进一步地,电源模块的正极和负极交错间隔地与高压电极电连接。进一步地,电源模块为中频电源发生器。进一步地,真空模块为真空机,抽真空使电离腔体内的气压小于30Pa。进一步地,其总功率为800-1000瓦。与现有技术相比,本技术提供的硅胶表面涂层处理装置,通过真空模块将电离腔体内部空气抽干,使电离腔体内部形成真空环境,氧气模块持续向电离腔体内部注入纯氧,电源模块使高压电极产生高压电弧,将氧气电离为高压氧离子,高压氧离子在高速无序运动中,撞击硅胶表面使硅胶表面分子链断开并与氧离子结合,形成羟基分子链,因为离子是无序的在真空环境下随机运动,所以最终在硅胶表面是均匀分布的。硅胶表面形成羟基后,测试水滴角度,由原来的90°~120°降低到15°~30°,达到可直接喷涂标准。避免使用中间转接涂层,提高了生产效率,并同时减少作业工序和原材料使用,降低了生产成本且使用原理简单。附图说明图1是本技术实施例一种硅胶表面涂层处理装置的结构示意图;具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。本技术实施例提供一种硅胶表面涂层处理装置,如图1所示,包括电离腔体1、氧气模块2、真空模块3及电源模块4,氧气模块2、真空模块3均与电离腔体1连通,电源模块4与电离腔体内1的高压电极电连接。采用上述结构,本实施例通过真空模块3将电离腔体1内部空气抽干,使电离腔体1内部形成真空环境,氧气模块2持续向电离腔体1内部注入浓度为99.9%以上的纯氧,电源模块4使高压电极产生高压电弧,将氧气电离为高压氧离子,高压氧离子在高速无序运动中,撞击硅胶表面使硅胶表面分子链断开并与氧离子结合,形成羟基分子链,因为离子是无序的在真空环境下随机运动,所以最终在硅胶表面是均匀分布的。硅胶表面形成羟基后,测试水滴角度,由原来的90°~120°降低到15°~30°,达到可直接喷涂标准。电离腔体1内部设置有多个用于放置产品的搁置板5,高压电极设置在每个搁置板5上。电源模块4的正极和负极交错间隔地与高压电极电连接。这样使相邻的两个搁置板5中间形成高压电弧,使氧气电离形成氧离子,作用到到搁置板5上的硅胶上,形成羟基。电源模块4为中频电源发生器,可以使电离出来的离子具有足够的能量打断稳定的硅胶分子链,利于形成羟基。真空模块3为真空机,抽真空使电离腔体1内的气压小于30Pa,接近真空环境,避免空气中的其他气体和杂质在电离腔体内被电离。本实施例硅胶表面涂层处理装置的总功率为800-1000瓦,每次工作的处理时间为100-120秒,充分保证了工作需要的负荷,也缩短了工作时间,提升了生产效率。具体的工作流程为:首先真空模块3抽真空,然后氧气模块2持续注入浓度为99.9%以上的氧气,电源模块4开始工作,产品搁置板5之间产生高压电弧,使电离腔体1内部的氧气电离形成氧离子,作用在硅胶表面上形成羟基,最后解除真空,完成作业,取出硅胶产品。以上所述,仅为本技术较佳的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此,本技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种硅胶表面涂层处理装置,其特征在于,包括电离腔体(1)、氧气模块(2)、真空模块(3)及电源模块(4),所述氧气模块(2)、所述真空模块(3)均与所述电离腔体(1)连通,所述电源模块(4)与所述电离腔体(1)内的高压电极电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅胶表面涂层处理装置,其特征在于,包括电离腔体(1)、氧气模块(2)、真空模块(3)及电源模块(4),所述氧气模块(2)、所述真空模块(3)均与所述电离腔体(1)连通,所述电源模块(4)与所述电离腔体(1)内的高压电极电连接。


2.根据权利要求1所述的硅胶表面涂层处理装置,其特征在于,所述电离腔体(1)内部设置有多个用于放置产品的搁置板(5),所述高压电极设置在每个所述搁置板(5)上。


3.根据权利要求2所述的硅胶表面涂...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖文杰罗丰羊辉
申请(专利权)人:广东乐普泰新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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