本发明专利技术提出一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置，其特征在于，包含：解调电路，pause识别电路，NVM读写电路和控制电路。使用本发明专利技术的有益效果是，使用本发明专利技术所述的一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置，可以将芯片对NVM的读写操作转移至pause之后有稳定的时钟的情况下进行，从而避免了传统NVM读写装置有可能在pause来临时正在进行NVM读写的情况发生，提高了在读卡器发送命令阶段对于NVM读写的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置
本专利技术属于集成电路设计领域，具体来说，属于非接触式IC卡芯片设计领域。
技术介绍
非接触式IC(IntegratedCircuit，集成电路)卡芯片需要从载波上获取能量并使用从载波中恢复出的时钟作为芯片的工作时钟。芯片内部都有NVM(Non-VolatileMemory)用于存储芯片ID等数据信息，在芯片工作时往往需要从NVM中读取或写入相关数据信息。读写NVM的电路都使用从载波中恢复出的工作时钟来产生NVM读写所需要的时序信号。读卡器和非接触式IC卡是通过对载波调制来进行通信的，一般地说，读卡器会先对载波进行调制，使载波产生若干pause来表示需要传输的命令，在pause阶段解调电路无法恢复出时钟。传统的NVM读写装置对NVM进行读写的时间和pause出现的时间都是随机的，当芯片正在对NVM进行读取或者写入的操作时，如果此时读卡器正好发送了pause，由于pause期间没有时钟，那么产生出的NVM读写信号就有可能不满足NVM对于读写信号的时序要求，从而造成NVM的读写失败，影响芯片的正常工作。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺点，本专利技术提出一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置，其特征在于，包含：解调电路，pause识别电路，NVM读写电路和控制电路。所述解调电路，其输出为射频输出数据rf_dataout以及射频输出时钟rf_clkout。解调电路的功能是对载波进行解调，解出载波上的数据信号即rf_dataout，并从载波中恢复出时钟信号即rf_clkout。所述pause识别电路，其输入连接所述解调电路的射频输出数据rf_dataout和射频输出时钟rf_clkout，其输出信号为pause_done，连接至所述控制电路。所述pause识别电路的功能是判断pause已经结束，并产生pause_done指示信号。所述pause识别电路其特征在于，包括第一触发器，第二触发器和一个异或门电路，所述第一触发器的D端连接rf_dataout，CK端连接rf_clkout，其输出连接所述第二触发器的D端和所述异或门电路的第一输入端，所述第二触发器的D端连接所述第一触发器的输出，CK端连接rf_clkout，所述第二触发器的输出连接所述异或门电路的第二输入端，所述异或门电路的第一输入端连接所述第一触发器的输出端，第二输入端连接所述第二触发器的输出端，所述异或门电路的输出信号即为pause_done。所述控制电路，其输入连接所述pause识别电路的输出信号pause_done，其输出信号为nvm_wren和nvm_rden，nvm_wren信号为NVM写使能，nvm_rden信号为NVM读使能，连接至NVM读写电路。所述控制电路的功能是根据pa，use_done信号的指示，产生NVM开始读或者写的使能信号，将NVM的读写转移至pause之后，有稳定时钟的情况下进行。所述NVM读写电路，其输入连接所述控制电路的输出信号nvm_wren和nvm_rden，其输出即为NVM读写时序信号。所述NVM读写电路的功能是只有收到了nvm_wren或nvm_rden信号后，才开始产生NVM的读写时序信号，由于不同类型的NVM，如eeprom，flash等，对读写时序信号的时序要求不同，所述NVM读写电路依据NVM的类型产生不同的NVM读写时序信号。使用本专利技术的有益效果是，使用本专利技术所述的一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置，可以将芯片对NVM的读写操作转移至pause之后有稳定的时钟的情况下进行，从而避免了传统NVM读写装置有可能在pause来临时正在进行NVM读写的情况发生，提高了在读卡器发送命令阶段对于NVM读写的可靠性。附图说明图1为本专利技术提出的一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置的结构图图2为本专利技术所述pause识别电路结构图具体实施方式以下根据附图，具体说明本专利技术的较佳实施例。如图1所示，一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置，其特征在于，包含：解调电路，pause识别电路，NVM读写电路和控制电路。所述解调电路，其输出为射频输出数据rf_dataout以及射频输出时钟rf_clkout。解调电路的功能是对载波进行解调，解出载波上的数据信号即rf_dataout，并从载波中恢复出时钟信号即rf_clkout。所述pause识别电路，其输入连接所述解调电路的射频输出数据rf_dataout和射频输出时钟rf_clkout，其输出信号为pause_done，连接至所述控制电路。pause识别电路的功能是判断pause已经结束，并产生pause_done指示信号。如图2所示，所述pause识别电路其特征在于，包括第一触发器，第二触发器和一个异或门电路，所述第一触发器的D端连接rf_dataout，CK端连接rf_clkout，其输出连接所述第二触发器的D端和所述异或门电路的第一输入端，所述第二触发器的D端连接所述第一触发器的输出，CK端连接rf_clkout，所述第二触发器的输出连接所述异或门电路的第二输入端，所述异或门电路的第一输入端连接所述第一触发器的输出端，第二输入端连接所述第二触发器的输出端，所述异或门电路的输出信号即为pause_done。所述控制电路，其输入连接所述pause识别电路的输出信号pause_done，其输出信号为nvm_wren和nvm_rden，nvm_wren信号为NVM写使能，nvm_rden信号为NVM读使能，连接至NVM读写电路。所述控制电路的功能是根据pause_done信号的指示，产生NVM开始读或者写的使能信号，由此将NVM的读写转移至pause之后，有稳定时钟的情况下进行。所述NVM读写电路，其输入连接所述控制电路的输出信号nvm_wren和nvm_rden，其输出即为NVM读写时序信号。所述NVM读写电路的功能是只有收到了nvm_wren或nvm_rden信号后，才开始产生NVM的读写时序信号，由于不同类型的NVM，本实施例中使用eeprom，故所述NVM读写电路在收到了nvm_wren之后会产生eeprom的写时序信号，所述NVM读写电路在收到了nvm_rden之后会产生eeprom的读时序信号。尽管本专利技术的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本专利技术的多种修改和替代都将是显而易见的。以上的描述和附图仅仅是实施本专利技术的范例，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本专利技术的限制。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置，其特征在于，包含：解调电路，pause识别电路，NVM读写电路和控制电路；所述解调电路，其输出为射频输出数据rf_dataout以及射频输出时钟rf_clkout，解调电路的功能是对载波进行解调，解出载波上的数据信号即rf_dataout，并从载波中恢复出时钟信号即rf_clkout；所述pause识别电路，其输入连接所述解调电路的射频输出数据rf_dataout和射频输出时钟rf_clkout，其输出信号为pause_done，连接至所述控制电路，pause识别电路的功能是判断pause已经结束，并产生pause_done指示信号；所述控制电路，其输入连接所述pause识别电路的输出信号pause_done，其输出信号为nvm_wren和nvm_rden，nvm_wren信号为NVM写使能，nvm_rden信号为NVM读使能，连接至NVM读写电路，所述控制电路的功能是根据pause_done信号的指示，产生NVM开始读或者写的使能信号；所述NVM读写电路，其输入连接所述控制电路的输出信号nvm_wren和nvm_rden，其输出即为NVM读写时序信号，所述NVM读写电路的功能是只有收到了nvm_wren或nvm_rden信号后，才开始产生NVM的读写时序信号，由于不同类型的NVM，如eeprom，flash等，对读写时序信号的时序要求不同，所述NVM读写电路依据NVM的类型产生不同的NVM读写时序信号。/n...
【技术特征摘要】
1.一种高可靠性非接触式IC卡芯片的NVM读写装置，其特征在于，包含：解调电路，pause识别电路，NVM读写电路和控制电路；所述解调电路，其输出为射频输出数据rf_dataout以及射频输出时钟rf_clkout，解调电路的功能是对载波进行解调，解出载波上的数据信号即rf_dataout，并从载波中恢复出时钟信号即rf_clkout；所述pause识别电路，其输入连接所述解调电路的射频输出数据rf_dataout和射频输出时钟rf_clkout，其输出信号为pause_done，连接至所述控制电路，pause识别电路的功能是判断pause已经结束，并产生pause_done指示信号；所述控制电路，其输入连接所述pause识别电路的输出信号pause_done，其输出信号为nvm_wren和nvm_rden，nvm_wren信号为NVM写使能，nvm_rden信号为NVM读使能，连接至NVM读写电路，所述控制电路的功能是根据pause_done信号的指示，产生NVM开始读或者写的使能信号；所述NVM读写电路，其输入连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：武鹏，张建伟，
申请(专利权)人：上海明矽微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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