单模光纤制造技术

技术编号:2692024 阅读:411 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种单模光纤,在第一波长λ↓[1](μm)下具有规定的模场直径MFD↓[1](μm),利用第二波长λ↓[2](μm)测定的、以弯曲半径r(mm)卷绕时的弯曲损耗为每圈L↓[b](dB),弯曲圈数为t↓[b],与在第一波长λ↓[1](μm)下具有上述规定的模场直径MFD↓[2i](μm)的光纤的连接损耗,在上述第二波长λ↓[2](μm)下为每个连接部位L↓[si](dB),连接部位为n↓[si]处,使用下式(B)计算出的总损耗系数L的模场直径依赖性,在MFD↓[1]±0.5μm的范围内达到极小值,L=∑n↓[si].L↓[si]+t↓[b].L↓[b]…(B),式中,n表示与上述单模光纤连接的光纤的数量,n↓[si]表示上述单模光纤与第i个光纤的连接次数,L↓[si]表示上述单模光纤与第i个光纤的连接损耗(dB)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单模光纤(以下称为SMF),该单模光纤可适于用 作光纤接入及小型部件等用途、特别是要求具有较低弯曲损耗的光纤, 具有良好的弯曲特性和连接特性。本申请对2004年8月10日提出的日本国专利申请第2004-233111 号申请以及2005年4月19日提出的日本国专利申请第2005-120996号 申请主张优先权,并在此引用其内容。
技术介绍
目前,为了扩大干线、长距离类的传输容量而使用了 WDM(波分 复用Wavelength Division Multiplexing)的传输系统及光纤的开发日 益活跃。WDM传输用光纤要求具有抑制非线性效应、和色散控制等特 性。近年来,人们提出了面向被称作城域网的具有数百公里左右跨度的 系统的、降低了色散斜率的光纤及几乎没有因OH而导致的损耗增加的 光纤等。在考虑将光纤接入办公室及家庭内(FTTH: Fiber To The Home) 时,要求具有不同于这些传输用光纤的特性。当在办公楼或住宅内铺设 光纤时,有可能产生30mm、 20mm这样非常小的弯曲。并且,在整理 多余光纤时,很重要的是即便以较小的弯曲直径巻绕,也能避免发生损 耗增加。即,作为面向FTTH的光纤,能够承受较小的弯曲直径为其非 常重要的特性。并且,其与在基站到办公楼或住宅之间所使用的光纤(多 为普通的波长1.3^1111的SMF)的连接性也是很重要的一个方面。专利文献1:美国专利申请公开第2004/0213531号i兌明书专利文献2:国际 >开第WO01/27667号小册子非专利文献1: I. Sakabe, et al" "Enhanced Bending Loss Insensitive Fiber and New Cables for CWDM Access Network," Proceedings of the 53rd IWCS, pp.112-118 (2004)非专利文献2: S. Matsuo et al, "Bend-insensitive and low國splice-loss optical fiber for indoor wiring in FTTH" , OFC2004, ThI3非专利文献3 :佐藤b、"光7夕iT7用小径曲W対応型光:7:r,A"、2003年電子情報通信学会y步,工x^大会、B-10-30非专利文献4:池田b,"接続損失低減型低曲〖f損失光:77,Z"、電 子情報通信学会研究報告、OCS2003-43非专利文献5:周b, "7才卜二5/夕結晶7:r一A0宅内、匕W内配 線"0適用K関t3検討"、電子情報通信学会研究報告、OFT2002-81非专利文献6 :姚b,"示一U—:7:r一Z0実用化^関卞^)一検討"、 電子情報通信学会研究報告、OFT2002-82以往,在办公室或家庭内, 一般使用普通的波长为1.3jim的SMF 或多模光纤。然而,这些以往的光纤一般只允许达到60mm左右的弯曲 直径,因此在其铺设时需要多加小心,以使其不产生过度的弯曲。另夕卜,最近在以作为波长1.3jtm用SMF的国际标准的ITU-T G.652 为基准的范围内,通过减小模场直径(以下称为MFD)而容许允许弯 曲直径达到30mm的SMF已实现了商品化,但是,在用于办公楼及住 宅内布线时,希望是对应更小弯曲直径的SMF。然而, 一般来讲,强化了弯曲特性的SMF的MFD较小而存在使 连接特性劣化的问题。即,在假定小直径弯曲的环境下,成为决定最佳光纤参数的指标的 参数还不为人所知。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述情况而做出的,其目的在于提供一种在假定小 直径弯曲的线路中损耗特性达到最佳的SMF。为了达成上述目的,本专利技术提供如下一种SMF,在第一波长、(jim ) 下具有规定的MFD (MFDi (nm)),利用第二波长^ (jim )测定的、 以弯曲半径r (mm)巻绕时的弯曲损耗为每圏(turn) Lb ( dB ),与在 第一波长^ (Jim)下具有规定的MFD2 (fim)的光纤的连接损耗,在 第二波长、"m)下为每个连接部位Ls (dB),使用下式(1)计算出 的总损耗系数L的MFD依赖性,在MFDi土0.5nm的范围内达到极小 值,L = ws Ls + wb Lb ... ( 1 ) ws + wb = 1 … (2 )ws>0, wb>0 ... (3)式(l)中,Ws和Wb是无量纲的权重系数,是在满足上式(2)和 (3)的范围内设定的。另外,本专利技术提供一种SMF,在第一波长、(jim)下具有规定的 MFD (MFDi (jim)),利用第二波长12 (jim )测定的、以弯曲半径r (mm)巻绕时的弯曲损耗为每圏Lb (dB),且弯曲圈数为tb,与在第 一波长^ (Jim)下具有规定的MFD (MFD2 (nm))的光纤的连接损 耗,在第二波长X2 (jim)下为每个连接部位Ls (dB)、且连接部位为 ns处,使用下式(4)计算出的总损耗系数L的MFD依赖性,在MFDi ± 0.5nm的范围内达到极小值,L = ns ■ Ls + tb " … (4 )其中,ns >0, tb>0。在本专利技术的SMF中,优选连接损耗Ls在0.5dB以下。在本专利技术的SMF中,优选MFDi变化士0.3nm时的总损耗系数L 的变化量在0.4dB以下。进一步优选变化量在0.2dB以下。在本专利技术的SMF中,优选弯曲半径r小于15mm。在本专利技术的SMF中,优选弯曲半径r = 10mm、第二波长X2 = 1550nm 时,弯曲损耗U在0.05dB以下。在本专利技术的SMF中,优选弯曲半径r = 7.5mm、第二波长X2 = 1550nm时,弯曲损耗U在0.05dB以下。优选的是,在本专利技术的SMF中,包括具有半径n、折射率m的 中心纤芯;和包围该中心纤芯且具有大致恒定的折射率n。的包层;并且 ih > nc。优选的是,在本专利技术的SMF中,包括具有半径n、折射率ih的 中心纤芯;设置于该中心纤芯的外周、且具有半径iv折射率n2的内侧 包层;设置于该内侧包层的外周、且具有半径r3、折射率n3的凹槽; 以及设置于该凹槽的外周、且具有半径iv折射率ne的外侧包层;并且优选的是,在本专利技术的SMF中,第一波长、-1310nm, MFD2在 满足国际标准ITU-T G.652的规格的范围内。优选的是,在本专利技术的SMF中, 接而测定的连接损耗。优选的是,在本专利技术的SMF中, 接而测定的连接损耗。优选的是,在本专利技术的SMF中, 连接而测定的连接损耗。连接损耗为对各光纤进行机械连 连接损耗为对各光纤进行熔接连 连接损耗为对各光纤进行连接器优选的是,在本专利技术的SMF中,包层的直径在125nm土lnm以内。优选的是,在本专利技术的SMF中,包层的直径的中心值在60nm~ 100nm的范围内。另外,本专利技术提供一种SMF,在第一波长、(nm)下具有规定的 MFD (MFDi (nm)),利用第二波长X2 (jim )测定的、以弯曲半径r(mm)巻绕时的弯曲损耗为每圏Lb (dB),与在第一波长、(jim)下 具有规定的MFD (MFD2i 本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种单模光纤,其特征在于, 在第一波长λ↓[1](μm)下具有规定的模场直径MFD↓[1](μm), 利用第二波长λ↓[2](μm)测定的、以弯曲半径r(mm)卷绕时的弯曲损耗为每圈L↓[b](dB),弯曲圈数为t↓[b],与在第一波长λ↓[1](μm)下具有上述规定的模场直径MFD↓[2i](μm)的光纤的连接损耗,在上述第二波长λ↓[2](μm)下为每个连接部位L↓[si](dB),连接部位为n↓[si]处, 使用下式(B)计算出的总损耗系数L的模场直径依赖性,在MFD↓[1]±0.5μm的范围内达到极小值, 【算式2】 L=*n↓[si].L↓[si]+t↓[b].L↓[b] …(B) 式中,n表示与上述单模光纤连接的光纤的数量,n↓[si]表示上述单模光纤与第i个光纤的连接次数,L↓[si]表示上述单模光纤与第i个光纤的连接损耗(dB)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:松尾昌一郎姬野邦治
申请(专利权)人:株式会社藤仓
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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