像素电路及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种像素电路及显示装置，所述像素电路包括发光控制单元、复位单元、补偿单元和初始化单元，所述发光控制单元设置在第一电源信号输入端和发光单元之间，所述复位单元设置在复位信号输入端和所述发光单元之间，所述发光控制单元和所述复位单元共同电性连接控制信号输入端，所述补偿单元和所述初始化单元均包括金属氧化物晶体管。通过将所述复位单元电性连接至控制信号输入端，利用控制信号输入端输出的信号控制复位单元的开启，以增加发光单元的复位时间，改善显示装置的暗态画质；同时，所述补偿单元和初始化单元中设置的金属氧化物晶体管，有利于改善电路中的漏电流和因漏电流而导致的闪屏问题。

【技术实现步骤摘要】
像素电路及显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种像素电路及显示装置。
技术介绍
随着多媒体的发展，显示装置变得越来越重要。相应地，对各种类型的显示装置的要求也越来越高，尤其是智能手机领域，超高频驱动显示、低功耗驱动显示以及低频驱动显示都是现阶段和未来的重要发展方向。显示装置实现其显示功能离不开像素电路的驱动。像素电路作为驱动显示装置的发光单元进行发光的重要元件，其工作性能的稳定性及灵敏性直接影响显示装置的显示效果。像素电路中包含有多个晶体管元件，较为常见的晶体管类型有非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管、及金属氧化物(MetalOxide)薄膜晶体管。其中，非晶硅薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管为硅基薄膜晶体管，具有开关速度快、驱动电流大的优点，但是容易产生较大的漏电流；而金属氧化物薄膜晶体管则具有漏电流小、均一性良好等优点。像素电路的现有设计中容易出现两个问题：一是像素电路的驱动晶体管的控制端存在较大的漏电流，导致发光单元异常发光而使显示装置出现闪屏的问题；二是像素电路中用于驱动阳极进行复位的晶体管开启不及时或开启时间过短而导致显示装置的暗态画质差的问题。
技术实现思路
基于上述现有技术中存在的问题，本申请提供一种像素电路及应用该像素电路的显示装置，通过将复位单元的控制端直接电性连接至控制信号输入端来改善显示装置的暗态画质，并在像素电路中使用金属氧化物晶体管来改善因漏电流大而导致的闪屏问题。本申请提供一种像素电路，包括：发光控制单元，设置在第一电源信号输入端和发光单元之间，并与控制信号输入端电性连接；复位单元，设置在复位信号输入端和所述发光单元之间，并与所述控制信号输入端电性连接；补偿单元，与第一扫描信号输入端电性连接；初始化单元，与第二扫描信号输入端电性连接；其中，所述补偿单元和所述初始化单元均包括金属氧化物晶体管。根据本申请一实施例，所述复位单元包括金属氧化物晶体管。根据本申请一实施例，所述发光控制单元包括第一发光控制单元和第二发光控制单元，所述第一发光控制单元和所述第二发光控制单元均与所述控制信号输入端电性连接。根据本申请一实施例，所述第一发光控制单元和所述第二发光控制单元均包括金属氧化物晶体管。根据本申请一实施例，所述控制信号输入端包括第一控制信号输入端和第二控制信号输入端。根据本申请一实施例，所述第一发光控制单元与所述第一控制信号输入端电性连接，所述第二发光控制单元和所述复位单元均与所述第二控制信号输入端电性连接。根据本申请一实施例，所述第一发光控制单元和所述复位单元均包括金属氧化物晶体管。根据本申请一实施例，所述第一发光控制单元和所述复位单元均与所述第一控制信号输入端电性连接，所述第二发光控制单元与所述第二控制信号输入端电性连接。根据本申请一实施例，所述第一发光控制单元和所述第二发光控制单元均包括金属氧化物晶体管。根据本申请一实施例，所述像素电路还包括：数据传输单元，设置于数据信号输入端和所述发光控制单元之间；驱动单元，设置于所述第一发光控制单元和所述第二发光控制单元之间；存储单元，设置于所述第一电源信号输入端和所述驱动单元之间。根据本申请一实施例，所述第一发光控制单元包括第五晶体管，所述第五晶体管的栅极电性连接所述控制信号输入端，所述第五晶体管的源极电性连接所述第一电源信号输入端，所述第五晶体管的漏极电性连接第一节点；所述第二发光控制单元包括第六晶体管，所述第六晶体管的栅极电性连接所述控制信号输入端，所述第六晶体管的源极电性连接第二节点，所述第六晶体管的漏极电性连接所述发光单元；所述复位单元包括第七晶体管，所述第七晶体管的栅极电性连接所述控制信号输入端，所述第七晶体管的源极电性连接所述复位信号输入端，所述第七晶体管的漏极电性连接所述发光单元；所述补偿单元包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极电性连接所述第一扫描信号输入端，所述第三晶体管的源极电性连接所述第二节点，所述第三晶体管的漏极电性连接第三节点；所述初始化单元包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极电性连接所述第二扫描信号输入端，所述第四晶体管源极电性连接所述复位信号输入端，所述第四晶体管的漏极电性连接所述第三节点；所述数据传输单元包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极电性连接第三扫描信号输入端，所述第二晶体管的源极电性连接所述数据信号输入端，所述第二晶体管的漏极电性连接所述第一节点；所述驱动单元包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极电性连接所述第三节点，所述第一晶体管的源极电性连接所述第一节点，所述第一晶体管的漏极电性连接所述第二节点；所述存储单元包括存储电容，所述存储电容的第一极电性连接所述第一电源信号输入端，所述存储电容的第二极电性连接所述第三节点。本申请还提供一种显示装置，包括如上所述的像素电路。本申请的有益效果是：本申请提供的像素电路及显示装置，通过将所述像素电路的复位单元直接电性连接至控制信号输入端，利用控制信号输入端输出的信号控制复位单元的开启，以增加发光单元的复位时间，改善显示装置的暗态画质；同时，在所述像素电路的补偿单元和初始化单元中设置金属氧化物晶体管，使电路中的漏电流和因漏电流而导致的闪屏问题得到显著改善。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的像素电路的第一种实施方式的结构示意图；图2是本申请实施例提供的像素电路的第二种实施方式的结构示意图；图3是本申请实施例提供的像素电路的第三种实施方式的结构示意图；图4是本申请实施例提供的像素电路的第四种实施方式的结构示意图。图5是本申请实施例提供的包含低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管的有机发光二极管显示装置的截面结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本申请实施例提供一种像素电路，通过将所述像素电路的发光控制单元和复位单元直接电性连接至控制信号输入端，利用控制信号输入端输出的信号控制复位单元开启，以增加发光单元的复位时间，改善显示装置的暗态画质；同时，在所述像素电路的补偿单元和初始化单元中设置金属氧化物晶体管，改善电路中的漏电流及因漏电流而导致的闪屏问题。根据本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：/n发光控制单元，设置在第一电源信号输入端和发光单元之间，并与控制信号输入端电性连接；/n复位单元，设置在复位信号输入端和所述发光单元之间，并与所述控制信号输入端电性连接；/n补偿单元，与第一扫描信号输入端电性连接；/n初始化单元，与第二扫描信号输入端电性连接；/n其中，所述补偿单元和所述初始化单元均包括金属氧化物晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：
发光控制单元，设置在第一电源信号输入端和发光单元之间，并与控制信号输入端电性连接；
复位单元，设置在复位信号输入端和所述发光单元之间，并与所述控制信号输入端电性连接；
补偿单元，与第一扫描信号输入端电性连接；
初始化单元，与第二扫描信号输入端电性连接；
其中，所述补偿单元和所述初始化单元均包括金属氧化物晶体管。


2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述复位单元包括金属氧化物晶体管。


3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光控制单元包括第一发光控制单元和第二发光控制单元，所述第一发光控制单元和所述第二发光控制单元均与所述控制信号输入端电性连接。


4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述第一发光控制单元和所述第二发光控制单元均包括金属氧化物晶体管。


5.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述控制信号输入端包括第一控制信号输入端和第二控制信号输入端。


6.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述第一发光控制单元与所述第一控制信号输入端电性连接，所述第二发光控制单元和所述复位单元均与所述第二控制信号输入端电性连接。


7.根据权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述第一发光控制单元和所述复位单元均包括金属氧化物晶体管。


8.根据权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述第一发光控制单元和所述复位单元均与所述第一控制信号输入端电性连接，所述第二发光控制单元与所述第二控制信号输入端电性连接。


9.根据权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述第一发光控制单元和所述第二发光控制单元均包括金属氧化物晶体管。


10.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，还包括：
数据传输单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：王选芸，赵晟焕，戴超，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42