功率因数校正电路、电路板及空调器制造技术

技术编号:26894400 阅读:23 留言:0更新日期:2020-12-29 16:17
本发明专利技术提供了一种功率因数校正电路、电路板及空调器,包括:交流输入端;共模电感,包括第一绕组;升压整流模块,包括功率电感和储能器件,功率电感包括第二绕组;第一绕组和第二绕组绕制在同一磁芯上,磁芯包括呈封闭形的第一芯体和呈半开口形的第二芯体,第二芯体的开口朝向第一芯体,第一绕组绕制在第一芯体上,第二绕组绕制在第二芯体上。本发明专利技术将第一绕组绕制在第一芯体上,同时将第二绕组绕制在第二芯体上,并且第二芯体的开口朝向第一芯体使得第二芯体和第一芯体可以形成完整的闭合磁路,由于第一芯体和第二芯体可以组成形成一个磁芯,因此本发明专利技术可以缩小磁芯的体积,从而缩小功率因数校正电路在电路板上的占用面积。

【技术实现步骤摘要】
功率因数校正电路、电路板及空调器
本专利技术涉及磁集成
,特别是涉及一种功率因数校正电路、电路板及空调器。
技术介绍
目前,在电力电子功率变换、变频空调系统等应用领域中,各种滤波器、变压器、电感器应用广泛。其中,共模电感主要是起补偿杂散容性电流、滤除电力系统中的有害次谐波等作用;功率电感是实现直流电压转换滤波的重要磁性器件。但是,在现有的功率因数校正电路中,功率电感和共模电感均为两个独立的磁性器件,磁性器件的总体积较大,从而导致磁性器件在电路板上的占用面积较大,不利于产品的小型化。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种功率因数校正电路、电路板及空调器,能够缩小功率因数校正电路在电路板上的占用面积。根据本专利技术的第一方面实施例的功率因数校正电路,包括:交流输入端,用于输入交流电信号;共模电感,用于滤除所述交流电信号的共模噪声及谐波干扰,所述共模电感连接至所述交流输入端,所述共模电感包括第一绕组;升压整流模块,连接至所述共模电感,所述升压整流模块包括功率电感和储能器件,所述功率电感用于对所述储能器件充电,所述功率电感包括第二绕组;其中,所述第一绕组和所述第二绕组绕制在同一磁芯上,所述磁芯包括呈封闭形的第一芯体和呈半开口形的第二芯体,所述第二芯体的开口朝向所述第一芯体,所述第一绕组绕制在所述第一芯体上,所述第二绕组绕制在所述第二芯体上。根据本专利技术实施例的功率因数校正电路,至少具有如下有益效果:在功率因数校正电路中,本专利技术实施例可以将共模电感的第一绕组绕制在呈封闭形的第一芯体上,同时可以将升压整流模块中的功率电感的第二绕组绕制在呈半开口形的第二芯体上,并且第二芯体的开口朝向第一芯体使得第二芯体和第一芯体可以形成完整的闭合磁路,由于第一芯体和第二芯体可以组成形成一个磁芯,因此,本专利技术实施例可以缩小磁芯的体积,从而缩小功率因数校正电路在电路板上的占用面积。根据本专利技术的一些实施例,所述第一芯体包括四条边柱,四条所述边柱依次连接并围绕成所述第一芯体,所述第一绕组绕制在至少一条所述边柱上。根据本专利技术的一些实施例,所述第一芯体包括第一中柱和四条边柱,四条所述边柱依次连接并围绕成所述第一芯体,所述第一绕组绕制在所述第一中柱上或者绕制在所述第一中柱两侧的所述边柱上或者绕制在所述第一中柱同一侧的所述边柱上。根据本专利技术的一些实施例,所述第一芯体设置有若干段气隙。根据本专利技术的一些实施例,所述第二绕组绕制在所述第二芯体的中部和/或绕制在所述第二芯体的至少一端。根据本专利技术的一些实施例,所述第二芯体设置有第二中柱,所述功率电感包括单路功率电感、双路功率电感或者三路功率电感。根据本专利技术的一些实施例,所述第二芯体设置有若干段气隙。根据本专利技术的一些实施例,所述第二中柱设置有若干段气隙。根据本专利技术的一些实施例,所述第二芯体的两端的第一截面积相等,所述第二中柱的第二截面积大于或等于所述第一截面积并且小于或等于两倍所述第一截面积。根据本专利技术的一些实施例,还包括耦合电感,所述耦合电感包括第三绕组,所述第三绕组绕制在所述第二芯体上。根据本专利技术的第二方面实施例的电路板,包括如上述第一方面所述的功率因数校正电路。根据本专利技术实施例的电路板,至少具有如下有益效果:在功率因数校正电路中,本专利技术实施例可以将共模电感的第一绕组绕制在呈封闭形的第一芯体上,同时可以将升压整流模块中的功率电感的第二绕组绕制在呈半开口形的第二芯体上,并且第二芯体的开口朝向第一芯体使得第二芯体和第一芯体可以形成完整的闭合磁路,由于第一芯体和第二芯体可以组成形成一个磁芯,因此,本专利技术实施例可以缩小磁芯的体积,从而缩小功率因数校正电路在电路板上的占用面积。根据本专利技术的第三方面实施例的空调器,包括如上述第一方面所述的功率因数校正电路或如上述第二方面所述的电路板。根据本专利技术实施例的空调器,至少具有如下有益效果:在功率因数校正电路中,本专利技术实施例可以将共模电感的第一绕组绕制在呈封闭形的第一芯体上,同时可以将升压整流模块中的功率电感的第二绕组绕制在呈半开口形的第二芯体上,并且第二芯体的开口朝向第一芯体使得第二芯体和第一芯体可以形成完整的闭合磁路,由于第一芯体和第二芯体可以组成形成一个磁芯,因此,本专利技术实施例可以缩小磁芯的体积,从而缩小功率因数校正电路在电路板上的占用面积。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点结合下面附图对实施例的描述将变得明显和容易理解,其中:图1是本专利技术一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图2是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图3是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图4是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图5是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图6是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图7是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图8是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图9是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图10是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图11是本专利技术另一个实施例提供功率因数校正电路的结构示意图;图12为本专利技术一个实施例提供的第一芯体的结构示意图;图13为本专利技术另一个实施例提供的第一芯体的结构示意图;图14为本专利技术另一个实施例提供的第一芯体的结构示意图;图15为本专利技术一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图16为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图17为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图18为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图19为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图20为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图21为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图22为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图23为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图24为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图25为本专利技术另一个实施例提供的第二芯体的结构示意图;图26为本专利技术一个实施例提供的磁芯的结构示意图;图27为本专利技术另一个实施例提供的磁芯的结构示意图;图28为本专利技术另一个实施例提供的磁芯的结构示意图;图29为本专利技术另一个实施例提供的磁芯的结构示意图;图30为本专利技术另一个实施例提供的磁芯的结构示意图;图31为本专利技术另一个实施例提供的磁芯的结构示意图;图32为本专利技术另一个实施例提供的磁芯的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率因数校正电路,其特征在于,包括:/n交流输入端,用于输入交流电信号;/n共模电感,用于滤除所述交流电信号的共模噪声及谐波干扰,所述共模电感连接至所述交流输入端,所述共模电感包括第一绕组;/n升压整流模块,连接至所述共模电感,所述升压整流模块包括功率电感和储能器件,所述功率电感用于对所述储能器件充电,所述功率电感包括第二绕组;/n其中,所述第一绕组和所述第二绕组绕制在同一磁芯上,所述磁芯包括呈封闭形的第一芯体和呈半开口形的第二芯体,所述第二芯体的开口朝向所述第一芯体,所述第一绕组绕制在所述第一芯体上,所述第二绕组绕制在所述第二芯体上。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率因数校正电路,其特征在于,包括:
交流输入端,用于输入交流电信号;
共模电感,用于滤除所述交流电信号的共模噪声及谐波干扰,所述共模电感连接至所述交流输入端,所述共模电感包括第一绕组;
升压整流模块,连接至所述共模电感,所述升压整流模块包括功率电感和储能器件,所述功率电感用于对所述储能器件充电,所述功率电感包括第二绕组;
其中,所述第一绕组和所述第二绕组绕制在同一磁芯上,所述磁芯包括呈封闭形的第一芯体和呈半开口形的第二芯体,所述第二芯体的开口朝向所述第一芯体,所述第一绕组绕制在所述第一芯体上,所述第二绕组绕制在所述第二芯体上。


2.根据权利要求1所述的功率因数校正电路,其特征在于:所述第一芯体包括四条边柱,四条所述边柱依次连接并围绕成所述第一芯体,所述第一绕组绕制在至少一条所述边柱上。


3.根据权利要求1所述的功率因数校正电路,其特征在于:所述第一芯体包括第一中柱和四条边柱,四条所述边柱依次连接并围绕成所述第一芯体,所述第一绕组绕制在所述第一中柱上或者绕制在所述第一中柱两侧的所述边柱上或者绕制在所述第一中柱同一侧的所述边柱上。


4.根据权利要求1至3任一所述的功率因数校正电路,其特征在于:所述第一芯体设置有若干段气...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄招彬徐锦清岑长岸谢鸣静杨土权赵鸣
申请(专利权)人:重庆美的制冷设备有限公司广东美的制冷设备有限公司
类型:发明
国别省市:重庆;50

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