微发光二极管及其制作方法，显示面板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种微发光二极管及其制作方法，显示面板的制作方法。微发光二极管包括：第一掺杂类型半导体层，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；发光层，位于第一掺杂类型半导体层的第二区域上；第二掺杂类型半导体层，位于发光层上；以及第一凸出电极和第二凸出电极，第一凸出电极位于第一区域并与第一掺杂类型半导体层电连接，第二凸出电极位于第二区域并与第二掺杂的类型半导体层电连接，其中，第一凸出电极和第二凸出电极的远离第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，插接部垂直于第一掺杂类型半导体层延伸。根据本发明专利技术实施例的微发光二极管，能够提高微发光二极管与基板绑定连接时的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管及其制作方法，显示面板的制作方法
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种微发光二极管(MicroLightEmittingDiode，Micro-LED)及其制作方法，显示面板的制作方法。
技术介绍
随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的微发光二极管(MicroLightEmittingDiode，Micro-LED)技术具有显著的性能优势，越来越引起人们的广泛关注。Micro-LED可视为微小化的LED，可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势。Micro-LED显示面板在制作过程中，需要将制作完成的Micro-LED发光元件绑定(bonding)连接在待接收发光元件的基板上，然而，随着Micro-LED发光元件尺寸逐渐缩小，热压绑定连接的过程中容易由于热失配导致Micro-LED发光元件偏离预先设定的位置。
技术实现思路
本专利技术提供一种微发光二极管及其制作方法，显示面板的制作方法，提高微发光二极管与基板绑定连接时的稳定性。第一方面，本专利技术实施例提供一种微发光二极管，其包括：第一掺杂类型半导体层，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；发光层，位于第一掺杂类型半导体层的第二区域上；第二掺杂类型半导体层，位于发光层上；以及第一凸出电极和第二凸出电极，第一凸出电极位于第一区域并与第一掺杂类型半导体层电连接，第二凸出电极位于第二区域并与第二掺杂的类型半导体层电连接，其中，第一凸出电极和第二凸出电极的远离第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，插接部垂直于第一掺杂类型半导体层延伸。根据本专利技术第一方面的前述实施方式，插接部呈垂直于第一掺杂类型半导体层延伸的片状。根据本专利技术第一方面的前述任一实施方式，插接部包括第一侧面，第一侧面垂直于第一掺杂类型半导体层设置。根据本专利技术第一方面的前述任一实施方式，第一凸出电极的第一侧面与第二凸出电极的第一侧面相互平行且相向设置。根据本专利技术第一方面的前述任一实施方式，插接部包括远离第一掺杂类型半导体层的插接端，插接部在垂直于第一侧面上的厚度，自插接端向第一掺杂类型半导体层的方向递增。根据本专利技术第一方面的前述任一实施方式，插接部的垂直于第一侧面的厚度在0.2微米至2微米。根据本专利技术第一方面的前述任一实施方式，插接部沿垂直于第一掺杂类型半导体层方向上的长度为3微米至10微米。根据本专利技术第一方面的前述任一实施方式，微发光二极管还包括：第一钝化层，覆盖于第二掺杂类型半导体层以及第一掺杂类型半导体层，第一钝化层包括位于第一区域的第一通孔以及位于第二区域的第二通孔；第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极位于第一钝化层上且处于第一区域，第一接触电极经由第一通孔与第一掺杂类型半导体层电连接，第二接触电极位于第一钝化层上且处于第二区域，第二接触电极经由第二通孔与第二掺杂类型半导体层电连接；以及第二钝化层，位于第一接触电极和第二接触电极上，第二钝化层包括位于第一区域的第一开口和位于第二区域的第二开口，第一开口暴露第一接触电极的一部分，第二开口暴露第二接触电极的一部分，第一凸出电极设置于第一接触电极背离第一掺杂类型半导体层一侧，第一凸出电极经由第一开口与第一接触电极电连接，第二凸出电极设置于第二接触电极背离第二掺杂类型半导体层一侧，第二凸出电极经由第二开口与第二接触电极电连接。第二方面，本专利技术实施例提供一种微发光二极管的制作方法，其包括：在生长衬底上依次形成第一掺杂类型半导体层、发光层、第二掺杂类型半导体层并图案化，以在生长衬底上形成彼此间隔的叠层结构，每个叠层结构包括层叠设置的第一掺杂类型半导体层、发光层、第二掺杂类型半导体层；图案化叠层结构，使得第一掺杂类型半导体层的第一区域暴露，且第二区域由发光层和第二掺杂类型半导体层覆盖；在第二掺杂类型半导体层以及第一掺杂类型半导体层上形成图案化的第一钝化层；在第一钝化层上形成第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极在第一区域与第一掺杂类型半导体层电连接，第二接触电极在第二区域与第二掺杂类型半导体层电连接；在第一接触电极以及第二接触电极上形成图案化的第二钝化层，第二钝化层包括位于第一区域的第一开口和位于第二区域的第二开口；在第二钝化层上形成牺牲层，牺牲层包括背离第一掺杂类型半导体层的第一表面以及分别与第一掺杂类型半导体层垂直的第三侧面和第四侧面，第三侧面与第四侧面相对设置；在牺牲层上形成图案化的第二导电层，第二导电层包括第一凸出电极、第二凸出电极以及待去除部，第一凸出电极与第三侧面接触并经由第一开口与第一接触电极连接，第二凸出部与第四侧面接触并经由第二开口与第二接触电极连接，待去除部与第一表面接触并连接于第一凸出电极和第二凸出电极之间；去除待去除部，使得第一凸出电极和第二凸出电极彼此间隔；以及去除牺牲层，使得第一凸出电极和第二凸出电极的远离第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，插接部垂直于第一掺杂类型半导体层延伸。第三方面，本专利技术实施例提供一种显示面板的制作方法，其包括：在基板的发光元件接收面形成阵列排布的电连接部；提供多个根据前述任一实施方式的微发光二极管；将多个微发光二极管转移至基板的发光元件接收面，其中，将每个发光二极管的第一凸出电极、第二凸出电极的插接部分别插入对应的电连接部，以预连接；以及将每个发光二极管的第一凸出电极、第二凸出电极分别与对应的电连接部绑定连接。根据本专利技术第三方面的前述实施方式，第一凸出电极、第二凸出电极的硬度大于电连接部的硬度。根据本专利技术实施例的微发光二极管，包括第一凸出电极和第二凸出电极，第一凸出电极和第二凸出电极的远离第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，插接部垂直于第一掺杂类型半导体层延伸。在形成微发光二极管显示面板时，将多个微发光二极管转移至基板的发光元件接收面，其中，可以先将每个发光二极管的第一凸出电极、第二凸出电极的插接部分别与基板的发光元件接收面插接，从而在常温下预连接，使得微发光二极管在基板上的位置相对稳定，使得微发光二极管的位置在之后进行的绑定(bonding)工艺中仍然保持稳定，减少绑定过程中绑定点处过度挤压而溢出、断路等问题，同时能够避免绑定工艺中的热失配导致的问题，一定程度能够提高单次微发光二极管转移面积和良率。在一些可选的实施方式中，插接部呈垂直于第一掺杂类型半导体层延伸的片状，使得第一凸出电极和第二凸出电极在微发光二极管上的横向面积占用更小，有利于微发光二极管的进一步微型化。在一些可选的实施方式中，插接部在垂直于第一侧面上的厚度，自插接端向第一掺杂类型半导体层的方向递增，即插接部在插接端处的厚度较薄，而距离发光功能区域更近处的厚度较大，使得微发光二极管更容易插入基板的发光元件接收面，且插接部的厚度逐渐增大使得插接后的微发光二极管连接更稳固。附图说明通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。图1是根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：/n第一掺杂类型半导体层，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；/n发光层，位于所述第一掺杂类型半导体层的所述第二区域上；/n第二掺杂类型半导体层，位于所述发光层上；以及/n第一凸出电极和第二凸出电极，所述第一凸出电极位于所述第一区域并与所述第一掺杂类型半导体层电连接，所述第二凸出电极位于所述第二区域并与所述第二掺杂的类型半导体层电连接，/n其中，所述第一凸出电极和所述第二凸出电极的远离所述第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，所述插接部垂直于所述第一掺杂类型半导体层延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：
第一掺杂类型半导体层，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；
发光层，位于所述第一掺杂类型半导体层的所述第二区域上；
第二掺杂类型半导体层，位于所述发光层上；以及
第一凸出电极和第二凸出电极，所述第一凸出电极位于所述第一区域并与所述第一掺杂类型半导体层电连接，所述第二凸出电极位于所述第二区域并与所述第二掺杂的类型半导体层电连接，
其中，所述第一凸出电极和所述第二凸出电极的远离所述第一掺杂类型半导体层的端部分别被配置为插接部，所述插接部垂直于所述第一掺杂类型半导体层延伸。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述插接部呈垂直于所述第一掺杂类型半导体层延伸的片状。


3.根据权利要求2所述的微发光二极管，其特征在于，所述插接部包括第一侧面，所述第一侧面垂直于所述第一掺杂类型半导体层设置；所述第一凸出电极的所述第一侧面与所述第二凸出电极的所述第一侧面相互平行且相向设置。


4.根据权利要求3所述的微发光二极管，其特征在于，所述插接部包括远离所述第一掺杂类型半导体层的插接端，所述插接部在垂直于所述第一侧面上的厚度，自所述插接端向所述第一掺杂类型半导体层的方向递增。


5.根据权利要求3所述的微发光二极管，其特征在于，所述插接部的垂直于所述第一侧面的厚度在0.2微米至2微米。


6.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述插接部沿垂直于所述第一掺杂类型半导体层方向上的长度为3微米至10微米。


7.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
第一钝化层，覆盖于所述第二掺杂类型半导体层以及所述第一掺杂类型半导体层，所述第一钝化层包括位于所述第一区域的第一通孔以及位于所述第二区域的第二通孔；
第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极位于所述第一钝化层上且处于所述第一区域，所述第一接触电极经由所述第一通孔与所述第一掺杂类型半导体层电连接，所述第二接触电极位于所述第一钝化层上且处于所述第二区域，所述第二接触电极经由所述第二通孔与所述第二掺杂类型半导体层电连接；以及
第二钝化层，位于所述第一接触电极和所述第二接触电极上，所述第二钝化层包括位于所述第一区域的第一开口和位于所述第二区域的第二开口，所述第一开口暴露所述第一接触电极的一部分，所述第二开口暴露所述第二接触电极的一部分，
所述第一凸出电极设置于所述第一接触电极背离所述第一掺杂类型半导体层一侧，所述第一凸出电极经由所述第一开口与所述第一接触电极电连接，所述第二凸出电极设置于所述第二接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭恩卿，王程功，姚志博，夏继业，姜博，黄秀颀，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51