一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法技术

本发明专利技术为一种贴片式(SMD型)单颗小尺寸及阵列型(Array Type)的芯片半导体元件新封装方法，利用线路板双面连通设计方式将双面线路板的内外层预留两或多个连接端点，并利用钻孔和电镀的制程方式将内外层的线路作一连结，内层两或多个连接端点作为内电极与半导体晶粒连结用，外层两或多个连接端点作为外电极供SMT焊接时使用。

【技术实现步骤摘要】
一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法
本案涉及一种芯片半导体封装的新制作方法，尤其涉及一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体封装的新制作方法。
技术介绍
半导体封装的公知技术为导线架以环氧树脂100封装后，于芯片两端留下外引脚101，方便后续焊接制程，因为制程及应用面的不同，外引脚的形式各有不同，如图1所示。
技术实现思路
本专利技术提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，包含：提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的线路板，双面的该线路板上预留两或多个连接端点，再利用钻孔和电镀的制程方法将上下两面电路垂直方式连接；以烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与薄膜或厚膜双面线路，以淋膜、涂布、刮刀..等方法，于表面布上整面的绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；于该晶粒的外的位置进行切割，即可形成无外引脚的封装结构，即完成单颗小尺寸芯片型半导体的制作；以及依据晶粒设计方式，制作成正向、反向或双向的芯片型半导体元件。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中该晶粒具有一上电极一下电极、一上电极二下电极、二上电极一下电极、二下电极、一上电极多下电极或多上电极一下电极…等。本专利技术提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，包含提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的线路板，双面的该线路板上预留两或多个连接端点，再利用钻孔和电镀的制程方法将上下两面电路垂直方式连接；利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与该薄膜或厚膜双面线路的线路板；以及于上盖板表面涂布一层黏着剂，以连接该上盖板与该晶粒，且以灌注方法，于内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中该上盖板为陶瓷板(例如：氧化铝板、氮化铝板..等)、塑料板(例如：PE、PP、PC、聚亚酰胺、工程塑料..等)、复合材料板(例如：碳纤板、玻纤板..等)..等，亦可黏贴散热板，以增加散热性能。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中含薄膜或厚膜双面线路的该线路板更包含双面连通设计的阵列式外电极。本专利技术提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，包含：提供含三电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；利用烘烤方式使用导电胶连接该晶粒的三电极与该薄膜或厚膜线路；以及以灌注方式，填充绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中封装的该贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件具有电流方向一进二出或正向加接地引出、反向加接地引出及双向+接地引出的型式。本专利技术提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，包含：提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与该薄膜或厚膜线路；以灌注方法，内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；切割后以涂布、沾银、薄膜制程等方式制作单边端电极，使单边端电极与预留电极接点进行连通，即完成单颗小尺寸芯片半导体的制作；以及进行电镀制程以制成单颗SMD型半导体芯片元件。本专利技术提供一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，包含：提供含三电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；利用烘烤方式使用导电胶连接该晶粒的三电极与该薄膜或厚膜线路；以及以灌注方法，于内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；切割后以涂布、沾银、薄膜制程等方式制作两端电极，使两端电极与预留电极接点进行连通，即完成单颗小尺寸三电极芯片半导体的制作；以及进行电镀制程以制成单颗SMD型半导体芯片元件。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中含薄膜或厚膜双面线路的该线路板更包含双面连通设计的阵列式外电极，且该线路板单面更具有连通制成的两端水平引出电极，切割后以涂布、沾银、薄膜制程等方式制作两端电极，使两端电极与预留电极接点进行连通。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中该芯片的规格包含：芯片类型端电极数量长宽厚备注单颗010052个0.4mm0.2mm0.2mm厚度可微调单颗0201≦3个0.6mm0.3mm0.3mm厚度可微调单颗0402≦3个1.0mm0.5mm0.5mm厚度可微调ArrayType0204≥4个1.0mm0.5mm0.3mm厚度可微调ArrayType0306≥4个1.6mm0.8mm0.4mm厚度可微调ArrayType0405≥4个1.3mm1.0mm0.4mm厚度可微调ArrayType0508≥4个2.0mm1.3mm0.5mm厚度可微调ArrayType0510≥4个2.5mm1.3mm0.5mm厚度可微调ArrayType0612≥4个3.0mm1.5mm0.6mm厚度可微调本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中该芯片种类包含TVS二极管、萧特基二极管、开关二极管、齐纳二极管、整流二极管及晶体管...等，但不限于此六种半导体晶粒，举凡半导体晶粒植晶制程皆适用。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中该线路板是将薄膜或厚膜线路制作于陶瓷板(例如：氧化铝板、氮化铝板..等)、塑料板(例如：PE、PP、PC、聚亚酰胺、工程塑料..等)及复合材料板(例如：碳纤板、玻纤板..等)..等，亦可印刷于散热板上，以增加散热性能。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中该导电胶是各式导电胶(例如：银胶、银钯胶、钯胶、白金胶、铜胶、镍胶、铝胶、锡胶及锡铅胶..等)连接半导体晶粒与印刷线路。可使用无铅导电胶(例如：银胶、银钯胶、钯胶、白金胶、铜胶、镍胶、铝胶及锡胶..等)，以取代公知的有铅锡膏，以制作出无铅化半导体封装产品。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其中该绝缘封装材料是以淋膜、涂布、刮刀、灌注…等方法覆盖该晶粒、导电胶及内部线路板，达到保护晶粒电性及物性特性的功能。本专利技术的贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：/n提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的线路板，双面的该线路板上预留两或多个连接端点，再利用钻孔和电镀的制程方法将上下两面电路垂直方式连接；/n以烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与薄膜或厚膜双面线路，以淋膜、涂布、刮刀的其中一种方法，于表面布上整面的绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；/n于该晶粒的外的位置进行切割，即可形成无外引脚的封装结构，即完成单颗小尺寸芯片型半导体的制作；以及/n依据晶粒设计方式，制作成正向、反向或双向的芯片型半导体元件。/n

【技术特征摘要】
20190627 TW 1081224941.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：
提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的线路板，双面的该线路板上预留两或多个连接端点，再利用钻孔和电镀的制程方法将上下两面电路垂直方式连接；
以烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与薄膜或厚膜双面线路，以淋膜、涂布、刮刀的其中一种方法，于表面布上整面的绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；
于该晶粒的外的位置进行切割，即可形成无外引脚的封装结构，即完成单颗小尺寸芯片型半导体的制作；以及
依据晶粒设计方式，制作成正向、反向或双向的芯片型半导体元件。


2.如权利要求1所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中该晶粒具有一上电极一下电极、一上电极二下电极、二上电极一下电极、二下电极、一上电极多下电极或多上电极一下电极的至少一种。


3.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：
提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的线路板，双面的该线路板上预留两或多个连接端点，再利用钻孔和电镀的制程方法将上下两面电路垂直方式连接；
利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与该薄膜或厚膜双面线路的线路板；以及
于上盖板表面涂布一层黏着剂，以连接该上盖板与该晶粒，且以灌注方法，于内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理。


4.如权利要求3所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中该上盖板为陶瓷板、塑料板、复合材料板，亦可黏贴散热板，以增加散热性能。


5.如权利要求1或3所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中含薄膜或厚膜双面线路的该线路板更包含双面连通设计的阵列式外电极。


6.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：
提供含三电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；
利用烘烤方式使用导电胶连接该晶粒的三电极与该薄膜或厚膜线路；以及
以灌注方式，填充绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理。


7.如权利要求6所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，其中封装的该贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件具有电流方向一进二出或正向加接地引出、反向加接地引出及双向+接地引出的型式。


8.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：
提供含正电极及负电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；
利用烘烤方式将导电胶连接该晶粒的正电极及负电极与该薄膜或厚膜线路；
以灌注方法，内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；
切割后以涂布、沾银、薄膜制程方式制作单边端电极，使单边端电极与预留电极接点进行连通，即完成单颗小尺寸芯片半导体的制作；以及
进行电镀制程以制成单颗SMD型半导体芯片元件。


9.一种贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体元件的封装方法，其特征在于，包含：
提供含三电极的晶粒，且提供含薄膜或厚膜双面线路的至少二线路板；
利用烘烤方式使用导电胶连接该晶粒的三电极与该薄膜或厚膜线路；以及
以灌注方法，于内部填满绝缘封装材料，并进行绝缘封装材料熟化处理；
切割后以涂布、沾银、薄膜制程方式制作两端电极，使两端电极与预留电极接点进行连通，即完成单颗小尺寸三电极芯片半导体的制作；以及
进行电镀制程以制成单颗SMD型半导体芯片元件。


10.如权利要求9所述贴片式单颗小尺寸及阵列型的芯片半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：连清宏，邱承贤，黄兴材，黄兴祥，
申请(专利权)人：立昌先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71