【技术实现步骤摘要】
一种NMOS高侧驱动电路
本专利技术涉及一种NMOS高侧驱动电路,特别是涉及一种含有微控制器的直流电源开、关控制的NMOS高侧驱动电路。
技术介绍
在含有微控制器的电子装置中,经常需要通过按键操作对被控系统供电的直流电源进行开、关控制。为实现对被控系统供电的直流电源进行开、关控制常采用NMOS管的漏极接电源、源极接被控系统供电端的电路结构,即所谓的NMOS高侧驱动电路。在这种控制中NMOS管相当于电源开关,NMOS管饱和导通相当于开关闭合,NMOS管截止相当于开关断开,而一般NMOS管饱和导通需要栅极电位高于源极电位4V甚至10V以上,在NMOS高侧驱动电路中NMOS管饱和导通相当于源极电压等于漏极电压等于电源电压,因此NMOS高侧驱动需要一个高于被控电源电压4V甚至10V以上直流驱动电压。在这种直流电源的开、关控制中,需要NMOS管在较长时间内保持饱和导通状态,在此期间其栅极电压要一直保持高于被控电源电压4V甚至10V以上,因此不能采用电容自举升压的方式提供该驱动电压。现有用于系统直流电源开、关控制的NMOS高侧驱动电路的直流驱动电压多采用专用NMOS高侧驱动集成电路或使用升压变压器产生,现有技术方案增加了电路设计的复杂性,提高了系统设计成本。
技术实现思路
本专利技术目的是利用电子装置本身含有的微控制器及常见低成本元器件产生NMOS高侧驱动所需的高于被控系统电源电压4V甚至10V以上的驱动电压,以期降低电路设计的复杂度,提升产品的性价比。为实现本专利技术目的采用的技术方案是:一 ...
【技术保护点】
1.一种NMOS高侧驱动电路,包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置;其特征在于:所述的微控制器电路和升压驱动电路、辅助电源电路、被控直流电源、被控负载或用电装置各自使用两个独立电源,通过光电隔离电路进行隔离,所述微控制器电路产生一定频率的方波,该方波经所述光电隔离电路送入所述升压驱动电路进行整流升压,所述升压驱动电路的输出是“浮地”的,直接连接于NMOS管的栅极和源极之间,作为所述NMOS管的栅极和源极的驱动电压,所述NMOS管的漏极接所述的被控直流电源,所述NMOS管的源极接所述被控负载或用电装置的电源正极性端,所述辅助电源电路的输入由所述被控直流电源提供,所述辅助电源电路为所述升压驱动电路提供电源。/n
【技术特征摘要】
1.一种NMOS高侧驱动电路,包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置;其特征在于:所述的微控制器电路和升压驱动电路、辅助电源电路、被控直流电源、被控负载或用电装置各自使用两个独立电源,通过光电隔离电路进行隔离,所述微控制器电路产生一定频率的方波,该方波经所述光电隔离电路送入所述升压驱动电路进行整流升压,所述升压驱动电路的输出是“浮地”的,直接连接于NMOS管的栅极和源极之间,作为所述NMOS管的栅极和源极的驱动电压,所述NMOS管的漏极接所述的被控直流电源,所述NMOS管的源极接所述被控负载或用电装置的电源正极性端,所述辅助电源电路的输入由所述被控直流电源提供,所述辅助电源电路为所述升压驱动电路提供电源。
2.根据权利要求1所述的NMOS高侧驱动电路,其特征在于:所述的微控制器电路包括一个微控制器。
3.进一步的,根据权利要求2所述的微控制器,其特征在于:所述微控制器的一个I/O引脚能产生1KHz以上的方波。
4.进一步的,根据权利要求3所述的微控制器的一个I/O引脚,其特征在于:所述微控制器的一个I/O引脚在需要NMOS管导通时产生方波输出,在需要NMOS管截止时所述微控制器的一个I/O引脚停止方波输出。
5.进一步的,根据权利要求3和权利要求4所述的微控制器的一个I/O引脚,其特征在于:所述微控制器的一个I/O引脚在需要NMOS管截止时输出低电平。
6.根据权利要求1所述的NMOS高侧驱动电路,其特征在于:所述的光电隔离电路包括微控制器输出限流电阻(R1)、NPN型三极管(Q1)、光电耦合器(IC2)、光电耦合器输入端的限流电阻(R2)和光电耦合器输出端的负载电阻(R3);其中,微控制器输出限流电阻(R...
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