【技术实现步骤摘要】
无刷马达驱动板PCB布局结构、无刷马达驱动板和无刷马达
本技术涉及无刷马达
,特别涉及一种无刷马达驱动板PCB布局结构、无刷马达驱动板和无刷马达。
技术介绍
现有无刷马达结构技术中,作为马达的驱动板,因尺寸问题,会被置于马达外部,且由于马达功率大电流大,电子元件的排布造成驱动板尺寸会远大于马达外径。现有无刷马达结构存在以下缺点:马达驱动板电子元件排布不合理,外形尺寸大,造成马达驱动需单独置于马达外部,占用产品其他部件例如吸尘器地刷机构的空间。
技术实现思路
本技术的第一目的在于克服现有技术的缺点与不足,提供一种无刷马达驱动板PCB布局结构,该PCB布局结构中电子元件排布紧凑合理,有利于减小驱动板尺寸。本技术的第二目的在于提供一种无刷马达驱动板,该驱动板尺寸小,有利于提高产品整体性。本技术的第三目的在于提供一种无刷马达,其驱动板可内置于马达中,解决了现有无刷马达的驱动板尺寸大占空间的问题。本技术的第一目的通过下述技术方案实现:一种无刷马达驱动板PCB布局结构,包括PCB板,安装在PCB板上的控制器防浪涌模块、逆变模块、MCU控制模块、控制器状态存储模块及马达温升检测模块;所述PCB板为双面板,控制器防浪涌模块布设在PCB板的左前方,其中,控制器防浪涌模块的第一MOS芯片布设在PCB板的顶面;逆变模块相邻于控制器防浪涌模块,且逆变模块的第二MOS芯片布设在PCB板的底面;MCU控制模块布设在控制器防浪涌模块和逆变模块的后方,且其MCU布设在PCB板的顶面;控制器状态存储模块布 ...
【技术保护点】
1.一种无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,包括PCB板,安装在PCB板上的控制器防浪涌模块、逆变模块、MCU控制模块、控制器状态存储模块及马达温升检测模块;所述PCB板为双面板,控制器防浪涌模块布设在PCB板的左前方,其中,控制器防浪涌模块的第一MOS芯片布设在PCB板的顶面;逆变模块相邻于控制器防浪涌模块,且逆变模块的第二MOS芯片布设在PCB板的底面;MCU控制模块布设在控制器防浪涌模块和逆变模块的后方,且其MCU布设在PCB板的顶面;控制器状态存储模块布设在MCU控制模块的右侧,并且其存储器芯片布设在PCB板的底面;马达温升检测模块布设在PCB板的底面且相邻于存储器芯片。/n
【技术特征摘要】
1.一种无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,包括PCB板,安装在PCB板上的控制器防浪涌模块、逆变模块、MCU控制模块、控制器状态存储模块及马达温升检测模块;所述PCB板为双面板,控制器防浪涌模块布设在PCB板的左前方,其中,控制器防浪涌模块的第一MOS芯片布设在PCB板的顶面;逆变模块相邻于控制器防浪涌模块,且逆变模块的第二MOS芯片布设在PCB板的底面;MCU控制模块布设在控制器防浪涌模块和逆变模块的后方,且其MCU布设在PCB板的顶面;控制器状态存储模块布设在MCU控制模块的右侧,并且其存储器芯片布设在PCB板的底面;马达温升检测模块布设在PCB板的底面且相邻于存储器芯片。
2.根据权利要求1所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,MCU控制模块采用焊盘形式与控制器防浪涌模块、逆变模块、控制器状态存储模块、马达温升检测模块电连接,且还通过焊盘接入外部电源。
3.根据权利要求1所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,控制器防浪涌模块包括第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1和保险管F1,第一MOS芯片的栅极通过第一电阻接地和连接至第一焊盘,通过第二电阻连接至MCU,源极接地,漏极连接第一电容C1的一端,第一电容C1的一端还与第三电阻相连接,第一电容C1的另一端通过保险管F1连接至第二焊盘;
其中,保险管F1布设在PCB板的底面,第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1、第一焊盘和第二焊盘均布设在PCB板的顶面,并且,第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40和第三电阻R16均布设在第一电容C1的同一侧,第三电阻R16布设在第一MOS芯片V4的前方,第一电阻R38和第二电阻R40分别布设在第一MOS芯片V4的后方,第一焊盘和第二焊盘布设在第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1这些元件的周围,并且位于PCB板顶面的边缘,第一焊盘用于连接外部电源负极,第二焊盘用于连接外部电源正极。
4.根据权利要求3所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,逆变模块由3个并联且相同的逆变电路、第二电容C2、第八电阻R7、第三电容C4和电流采样电阻R15组成,每个逆变电路包括一个第二MOS芯片、第四电阻、第五电阻、第六电阻第七电阻和第四电容,每个第二MOS芯片具有2个场效应管,两个场效应管的栅极分别通过第四电阻和第五电阻连接至MCU的三相电压输出接口,同时分别通过第六电阻和第七电阻连接对应场效应管的源极,其中一个场效应管的源极和漏极均直接连接至外部电源,同时漏极还连接第一电容C1、外部电源和通过第二电容C2接地,并且3个第二MOS芯片中的该场效应管的漏极连接在一起;另一个场效应管的源极通过电流采样电阻R15接地,以及通过第八电阻R7连接至MCU和第三电容C4,第三电容C4再接地,其漏极连接至第三焊盘,以及通过第四电容接地,通过第四电容连接第八电阻R7和连接MCU,并且3个第二MOS芯片中的该场效应管的漏极通过第四电容连接在一起,3个第二MOS芯片中的该场效应管的源极也连接在一起;
其中,第二电容C2、第八电阻R7、第三电容C4均布设在PCB板的顶面,且第二电容相邻于第一电容C1,第八电阻R7、第三电容C4位于第一电容C1和MCU之间的空余区域;3个逆变电路的第三焊盘均布设在第一电容C1和第二电容前方,且3个第三焊盘分别用于电连接无刷马达三相绕组的对应相绕组;3个第二MOS芯片并排设置于PCB板的底面,并位于保险管F1的左侧,3个第二MOS芯片的第四电容和电流采样电阻R15均布设在底面,且第四电容位于对应的第二MOS芯片的周围,电流采样电阻R15位于其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭鹏,陈建能,亢汉宁,梁小华,余勋灿,林李健,高蓓,涂春丽,
申请(专利权)人:深圳市龙德科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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