镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种镀膜设备，包括真空腔体、离子镀膜源、导电部和保持部；离子镀膜源设于真空腔体内，设置为提供离子化的成膜粒子；导电部设于真空腔体内且与离子镀膜源相对设置，设置为在镀膜过程被施加相反于成膜粒子的电性的偏压，以吸引成膜粒子朝导电部方向移动；保持部用于承载基材，以将基材置于离子镀膜源和导电部之间，并使基材的待镀膜表面和离子镀膜源相对。本实用新型专利技术镀膜设备能够有效沉积镀膜，减少材料浪费。

【技术实现步骤摘要】
镀膜设备
本技术涉及薄膜制备
，尤其是涉及一种镀膜设备。
技术介绍
薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，传统的薄膜沉积工艺主要有物理气相沉积(PVD)工艺和化学气相沉积(CVD)工艺。其中，物理气相沉积技术因其工艺过程简单，对环境友善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体结合力强等优势，在航天航空、电子、光学、机械、建筑、冶金、材料等领域受到广泛应用。反应性等离子体沉积工艺属于一种阳极电弧热蒸气型的PVD工艺，由于该工艺过程会产生高温蒸气，因此基板与靶材之间需具有相当的距离，而这使得蒸气中的成膜粒子较易集中沉积在正对离子镀膜源的基板区域，基板上远离离子镀膜源的区域沉积薄膜较薄，造成镀膜厚度不均；此外，气态的离子化成膜粒子镀膜方向不易控制，部分成膜材料易镀膜于基板之外，无法有效沉积于基板表面，造成材料的浪费。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种镀膜设备，能够有效沉积镀膜，减少材料浪费。第一方面，本技术的一个实施例提供了一种镀膜设备，包括：真空腔体；离子镀膜源，设于所述真空腔体内，设置为提供离子化的成膜粒子；导电部，设于所述真空腔体内，与所述离子镀膜源相对设置；所述导电部设置为在镀膜过程中被施加相反于成膜粒子的电性的偏压，以吸引所述成膜粒子朝所述导电部方向移动；保持部，用于承载基材，以将所述基材置于所述离子镀膜源和所述导电部之间，并使所述基材的待镀膜表面和所述离子镀膜源相对。本技术实施例的镀膜设备至少具有如下有益效果：该镀膜设备通过在离子镀膜源相对的一侧设置导电部，使用时将承载有基材的保持部置于离子镀膜源和导电部之间，通过启动离子镀膜源使靶材产生包含成膜粒子的离子化蒸气，并通过偏压电源向导电部施加相反于成膜粒子电性的偏压，以吸引成膜粒子朝导电部方向移动，而沉积在位于离子镀膜源和导电部之间的基材上待镀膜表面，一方面可避免成膜粒子四处飘移，另一方面成膜粒子向基材运动沉积过程没有其他物体拦截干扰，镀膜材料可有效沉积在基材上，从而可减少材料的浪费。在一些实施例中，所述保持部上设有与所述基材的待镀膜表面适配的开孔，以使所述基材的待镀膜表面和所述离子镀膜源相对。在一些实施例中，所述保持部上设有至少两个开孔。在一些实施例中，所述导电部的尺寸小于或等于所述保持部上开孔的尺寸。在一些实施例中，所述导电部为至少两个，各所述导电部水平间隔设置。在一些实施例中，还包括输送机构，所述输送机构用于将承载有基材的保持部输送至所述离子镀膜源和所述导电部之间以进行镀膜。在一些实施例中，所述导电部沿所述输送机构的输送方向平行排布。在一些实施例中，所述保持部固定设于所述离子镀膜源与所述导电部之间。在一些实施例中，还包括偏压电源，所述偏压电源用于向所述导电部施加相反于所述成膜粒子的电性的偏压。在一些实施例中，所述离子镀膜源为至少一个。附图说明图1是本技术镀膜设备一实施例的结构示意图；图2是图1中保持部的俯视结构示意图。具体实施方式以下将结合实施例对本技术的构思及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本技术的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本技术的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本技术的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本技术保护的范围。在本技术实施例的描述中，如果涉及到方位描述，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术实施例的描述中，如果某一特征被称为“设置”、“固定”、“连接”、“安装”在另一个特征，它可以直接设置、固定、连接在另一个特征上，也可以间接地设置、固定、连接、安装在另一个特征上。在本技术实施例的描述中，如果涉及到“若干”，其含义是一个以上，如果涉及到“多个”，其含义是两个以上，如果涉及到“大于”、“小于”、“超过”，均应理解为不包括本数，如果涉及到“以上”、“以下”、“以内”，均应理解为包括本数。如果涉及到“第一”、“第二”，应当理解为用于区分技术特征，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。请参照图1和图2，图1是本技术镀膜设备一实施例的结构示意图，图2是图1中保持部140的俯视结构示意图。图1中示出了保持部140承载基材170状态镀膜设备的结构示意图，但基材170可不作为本实施例待镀膜设备的结构部件。具体如图1所示，本实施例镀膜设备包括真空腔体110、离子镀膜源120、导电部130和保持部140。其中，离子镀膜源120设于真空腔体110内，设置为提供离子化的成膜粒子。导电部130设于真空腔体110内，且与离子镀膜源120相对设置，设置为在镀膜过程被施加相反于成膜粒子的电性的偏压，以吸引成膜粒子朝导电部130方向移动。保持部140用于承载基材170，以将基材170置于离子镀膜源120和导电部130之间，并使基材170的待镀膜表面和离子镀膜源120相对。离子镀膜源120具体可采用反应性等离子体沉积离子镀膜源(RPD镀膜源)，在镀膜工艺中可采用等离子体枪以提供高密度等离子体。离子镀膜源120的设置个数可根据生产需求进行设计，如可设置一个、两个、四个等。离子镀膜源120的靶材可为掺锡氧化铟(ITO)、掺钨氧化铟(IWO)、掺钛氧化铟(ITiO)、掺铯氧化铟(ICO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺铝镓氧化锌(AGZO)等，具体可根据镀膜要求选择靶材。在本实施例中，导电部130设于离子镀膜源120的上方，离子镀膜源120的镀膜方向自下向上。具体可将导电部130固定设于离子镀膜源120上方、真空腔体110顶部的盖板上；当然，也可采用其他的固定方式。进一步地，为了提高镀膜效率，减少材料浪费，可将导电部130正对离子镀膜源120设置，如将导电部130设于离子镀膜源120的正上方。本实施例中，导电部130具体为导电板。具体可采用导电平板，以使导电部130被施加偏压后，导电部130上电荷均匀分布，进而提高导电部130所对应基材170区域的镀膜均匀性。导电部130可设置一个，也可根据实际生产需求设置两块或多个(如三个、四个、六个、八个等)；若导电部130为两个以上，各导电部130水平间隔设置，进而可以彼此电性绝缘而分别被提供独立的偏压。各导电部130在镀膜过程被施加相反于成膜粒子的电性的偏压，各导电部130被施加的偏压大小可相同，也可不同。在其他实施例中，导电部130也可采用导电网格栅或其他结构。保持部140用于承载基材170，以将基材170置于离子镀膜源120和导电部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：/n真空腔体；/n离子镀膜源，设于所述真空腔体内，设置为提供离子化的成膜粒子；/n导电部，设于所述真空腔体内，与所述离子镀膜源相对设置；所述导电部设置为在镀膜过程中被施加相反于成膜粒子的电性的偏压，以吸引所述成膜粒子朝所述导电部方向移动；/n保持部，用于承载基材，以将所述基材置于所述离子镀膜源和所述导电部之间，并使所述基材的待镀膜表面和所述离子镀膜源相对。/n

【技术特征摘要】
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
真空腔体；
离子镀膜源，设于所述真空腔体内，设置为提供离子化的成膜粒子；
导电部，设于所述真空腔体内，与所述离子镀膜源相对设置；所述导电部设置为在镀膜过程中被施加相反于成膜粒子的电性的偏压，以吸引所述成膜粒子朝所述导电部方向移动；
保持部，用于承载基材，以将所述基材置于所述离子镀膜源和所述导电部之间，并使所述基材的待镀膜表面和所述离子镀膜源相对。


2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述保持部上设有与所述基材的待镀膜表面适配的开孔，以使所述基材的待镀膜表面和所述离子镀膜源相对。


3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述保持部上设有至少两个开孔。


4.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述导电部的尺寸小于或等于所述保持部上开孔的尺寸。

【专利技术属性】
技术研发人员：林育正，陈麒麟，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44