驱动电路、电子设备以及控制充电方法技术

本申请提供一种驱动电路、电子设备以及控制充电方法，包括：第一接口，与外部电源提供装置连接，用于接收所述外部电源提供装置输入的直流电信号；第二接口，与所述MCU连接，用于接收所述MCU输入的至少两路脉冲宽度调制PWM信号；处理电路，分别与所述第一接口和所述第二接口连接，用于将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号进行叠加和整流，以获取第一直流电信号，并将第一直流电信号输出至所述MOS管的栅极，以使得所述MOS管的栅极的电压大于第一阈值。由于MCU通过第二接口输入至驱动电路中的是至少两路PWM信号，因此能够避免因为MOS管VGS的电压过低而导致的充电效率降低以及降低快充电流或退出快速充电模式。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路、电子设备以及控制充电方法
本申请实施例涉及充电
，具体涉及一种驱动电路、电子设备以及控制充电方法。
技术介绍
随着电子设备(如手机、pad、手环等)的普及，电子设备的功能不断丰富，有些厂商推出了支持快速充电模式的电子设备，快充技术大大缩短了电子设备的充电时间，受到用户的广泛青睐。在对电子设备进行快速充电时，目前通过驱动电路输出的驱动电压来控制快充回路上的场效应(MetalOxideSemiconductor，MOS)管的栅极电压，然而目前采用的驱动电路输出的驱动电压较小，使得MOS管在导通时的漏极和源极之间的阻抗较大，一方面导致MOS管的发热严重，充电效率降低；另一方面由于MOS导通时的阻抗过大，造成整个充电回路的阻抗过大，从而使得快充电流降低或退出快速充电模式。
技术实现思路
本申请实施例提供一种驱动电路、电子设备以及控制充电方法，以解决相关技术中的充电问题。第一方面，本申请提供一种驱动电路，所述驱动电路位于电子设备的主板，所述电子设备还包括MOS管和微控制单元MCU，所述驱动电路包括：第一接口，与外部电源提供装置连接，用于接收所述外部电源提供装置输入的直流电信号；第二接口，与所述MCU连接，用于接收所述MCU输入的至少两路脉冲宽度调制PWM信号；处理电路，分别与所述第一接口和所述第二接口连接，用于将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号进行叠加和整流，以获取第一直流电信号，并将所述第一直流电信号输出至所述MOS管的栅极，以使得所述MOS管的栅极的电压大于第一阈值。第二方面，本申请提供一种电子设备，包括第一接口，与外部电源提供装置连接，用于接收所述外部电源提供装置输入的直流电信号；微控制单元MCU；第二接口，与所述MCU连接，用于接收所述MCU输入的至少两路脉冲宽度调制PWM信号；场效应管MOS管；处理电路，分别与所述第一接口和所述第二接口连接，用于将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号进行叠加和整流，以获取第一直流电信号，并将所述第一直流电信号输出至所述MOS管的栅极，以使得所述MOS管栅极的电压大于第一阈值。第三方面，本申请提供一种控制充电方法，所述方法包括：将外部电源提供装置通过第一接口输入的直流电信号和基于MCU通过第二接口输入的至少两路PWM信号进行叠加和整流，以获取第一直流电信号；并将所述第一直流电信号输出至MOS管的栅极，以使得所述MOS管的栅极的电压大于第一阈值。第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序，所述计算机程序使得计算机执行上述第三方面或其各实现方式中任一项所述的方法。第五方面，本申请提供一种计算机程序产品，其特征在于，包括计算机程序指令，该计算机程序指令使得计算机执行上述第三方面或其各实现方式中任一项所述的方法。本申请实施例提供的驱动电路，通过将外部电源提供装置通过第一接口输入的直流电信号与基于MCU通过第二接口输入的至少两路PWM信号叠加后经过整流处理，输出至电子设备内部的充电通路中的MOS管的栅极，由于基于MCU通过第二接口输入至驱动电路中的是至少两路PWM信号，能够提高驱动电路所产生的驱动电压，从而能够增大MOS管之间的栅极和源极之间的电压，因此能够避免因为VGS的电压过低而导致的充电效率降低以及降低快充电流或退出快速充电模式。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的二极管的示意图；图2a和图2b是本申请实施例提供的MOS管的示意图；图3是本申请实施例提供的快速通路的示意图；图4是本申请一个实施例提供的一种快速通路的示意性结构图；图5是本申请实施例提供的同一MOS管在不同栅源极电压下的漏极电流与漏源极电压之间的关系图；图6是本申请一个实施例提供的一种驱动电路的示意性图；图7是本申请一个实施例提供的一种快充通路的示意性图；图8是本申请另一个实施例提供的一种快充通路的示意性图；图9是本申请另一个实施例提供的一种驱动通路的示意性图；图10是本申请又一个实施例提供的一种驱动电路的示意性图；图11是本申请再一个实施例提供的一种驱动电路的示意性图；图12是本申请再一个实施例提供的一种驱动电路的示意性图；图13是本申请再一个实施例提供的一种驱动电路的示意性图；图14是本申请再一个实施例提供的一种驱动电路的示意性图；图15是本申请又一个实施例提供的一种快充通路的示意性图；图16是本申请再一个实施例提供的一种快充通路的示意性图；图17是本申请一个实施例提供的PWM信号的示意性图；图18是本申请实施例提供的一种电子设备的示意性图；图19本申请一个实施例提供的一种控制充电方法的示意性流程图；图20本申请另一个实施例提供的一种控制充电方法的示意性流程图；图21本申请又一个实施例提供的一种控制充电方法的示意性流程图；图22是本申请一个实施例提供的有线充电系统的示意性结构图；图23是本申请又一个实施例提供的有线充电系统的示意性结构图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。为了更加清楚地理解本申请，先对本申请实施例中的二极管和MOS管的工作原理进行简单介绍，便于后续理解本申请的方案。但应理解，以下介绍的内容仅仅是为了更好的理解本申请，不应对本申请造成特别限定。如图1所示为肖特基二极管的示意图，肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，具有开关频率高和正向压降低等优点。MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管包括N沟道MOS管和P沟道MOS管，如图2a和图2b所示分别为N沟道MOS管和P沟道MOS管的示意图。图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底。MOS管可以包括N沟道MOS管和P沟道MOS管。以N沟道MOS管为例，若栅极和源极之间的电压为高电平，即VGS>0，则漏极和源极就会导通，此时漏极和源极之间相当于一个很小的电阻，电流从漏极流向源极；若栅极和源极之间的电压为低电平，即VGS<0，则漏极和源极之间就会截止，此时漏极和源极之间相当于一个很大的电阻，电流无法在漏极和源极之间流通。相反地，对于P沟道MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路应用于电子设备，所述电子设备还包括场效应管MOS管和微控制单元MCU，/n所述驱动电路包括：/n第一接口，与外部电源提供装置连接，用于接收所述外部电源提供装置输入的直流电信号；/n第二接口，与所述MCU连接，用于接收所述MCU输入的至少两路脉冲宽度调制PWM信号；/n处理电路，分别与所述第一接口和所述第二接口连接，用于将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号进行叠加和整流，以获取第一直流电信号，并将所述第一直流电信号输出至所述MOS管的栅极，以使得所述MOS管栅极的电压大于第一阈值。/n

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路应用于电子设备，所述电子设备还包括场效应管MOS管和微控制单元MCU，
所述驱动电路包括：
第一接口，与外部电源提供装置连接，用于接收所述外部电源提供装置输入的直流电信号；
第二接口，与所述MCU连接，用于接收所述MCU输入的至少两路脉冲宽度调制PWM信号；
处理电路，分别与所述第一接口和所述第二接口连接，用于将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号进行叠加和整流，以获取第一直流电信号，并将所述第一直流电信号输出至所述MOS管的栅极，以使得所述MOS管栅极的电压大于第一阈值。


2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号中的其中一路PWM信号进行叠加，以获取第一PWM信号，并对所述第一PWM信号进行整流，以获取第二直流电信号；
将所述第二直流电信号与所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号进行叠加和整流，以获取所述第一直流电信号。


3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
对所述第二直流电信号进行滤波，以获取滤波后的所述第二直流电信号；
将所述滤波后的所述第二直流电信号与所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号进行叠加和整流，以获取所述第一直流电信号。


4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号中的其中一路PWM信号进行叠加，以获取第一PWM信号；
对所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号进行整流，以获取第三直流电信号，并将所述第三直流电信号与所述第一PWM信号进行叠加和整流，以获取所述第一直流电信号。


5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
对所述第三直流电信号进行滤波，以获取滤波后的所述第三直流电信号；
将所述滤波后的所述第三直流电信号与所述第一PWM信号进行叠加和整流，以获取所述第一直流电信号。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
对所述外部电源提供装置通过所述第一接口输入的直流电信号进行滤波。


7.根据权利要求2或3所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路包括：
电容C5，所述电容C5的一端与所述第二接口连接；
电容C1，所述电容C1的一端与所述第二接口连接；
二极管D4，所述二极管D4的正极分别与所述第一接口和所述电容C5的另一端连接，所述二极管D4的负极与所述电容C1的另一端连接，用于对所述第一PWM信号进行整流，以获取所述第二直流电信号；
二极管D2，所述二极管D2的正极分别与所述二极管D4的负极和所述电容C1的另一端连接，所述二极管D2的负极与MOS管V1和MOS管V2的栅极连接，用于对所述第二直流电信号与所述MCU输出的剩余PWM信号叠加后的信号进行整流，以获取所述第一直流电信号；
其中，所述电容C5用于对所述至少两路PWM信号的其中一路PWM信号在被叠加之前进行去除直流电信号的处理，所述电容C1用于对所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号在被叠加之前进行去除直流电信号的处理。


8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路还包括：
二极管D1，所述二极管D1的正极和负极分别与所述第一接口和所述电容C5的另一端连接；
二极管D5，所述二极管D5的正极与所述二极管D4的负极连接，所述二极管D5的负极和所述电容C1的另一端连接。


9.根据权利要求7或8所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路还包括：
电容C3，所述电容C3的一端与所述第一接口连接，所述电容C3的另一端接地，用于对从所述第一接口输出的直流电信号进行滤波；
电容C6，所述电容C6的一端与二极管D4的负极连接，所述电容C6的另一端接地，用于对从所述二极管D4输出的所述第二直流电信号进行滤波。


10.根据权利要求4或5所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路包括：
电容C5，所述电容C5的一端与所述第二接口连接；
电容C1，所述电容C1的一端与所述第二接口连接；
二极管D4，所述二极管D4的正极与所述电容C1的另一端连接，所述二极管的负极与所述第一接口和所述电容C5的另一端连接，用于对所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号进行整流，以获取所述第三直流电信号；
二极管D2，所述二极管D2的正极与所述二极管D4的负极、所述第一接口以及所述电容C5的另一端连接，所述二极管D2的负极与MOS管V1和MOS管V2的栅极连接，用于对所述第三直流电信号与所述第一PWM信号叠加后的信号进行整流，以获取所述第一直流电信号；
其中，所述电容C5用于对所述至少两路PWM信号的其中一路PWM信号在被叠加之前进行去除直流电信号的处理，所述电容C1用于对所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号在被叠加之前进行去除直流电信号的处理。


11.根据权利要求10所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路还包括：
二极管D1，所述二极管D1的正极和负极分别与所述第一接口和所述电容C5的另一端连接；
二极管D5，所述二极管D5的正极与所述电容C5的另一端和所述二极管D1的负极连接，所述二极管D5的负极和所述二极管D4的负极连接。


12.根据权利要求10或11所述的驱动电路，其特征在于，所述处理电路还包括：
电容C3，所述电容C3的一端与所述第一接口连接，所述电容C3的另一端接地，用于对从所述第一接口输出的直流电信号进行滤波；
电容C6，所述电容C6的一端与二极管D4的负极连接，所述电容C6的另一端接地，用于对从所述二极管D4输出的第三直流电信号进行滤波。


13.一种电子设备，其特征在于，包括：
第一接口，与外部电源提供装置连接，用于接收所述外部电源提供装置输入的直流电信号；
微控制单元MCU；
第二接口，与所述MCU连接，用于接收所述MCU输入的至少两路脉冲宽度调制PWM信号；
场效应管MOS管；
处理电路，分别与所述第一接口和所述第二接口连接，用于将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号进行叠加和整流，以获取第一直流电信号，并将所述第一直流电信号输出至所述MOS管的栅极，以使得所述MOS管栅极的电压大于第一阈值。


14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
将所述直流电信号和所述至少两路PWM信号中的其中一路PWM信号进行叠加，以获取第一PWM信号，并对所述第一PWM信号进行整流，以获取第二直流电信号；
将所述第二直流电信号与所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号进行叠加和整流，以获取所述第一直流电信号。


15.根据权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
对所述第二直流电信号进行滤波，以获取滤波后的所述第二直流电信号；
将所述滤波后的所述第二直流电信号与所述至少两路PWM信号中的剩余PWM信号进行叠加和整流，以获取所述第一直流电信号。


16.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述处理电路进一步用于：
将所述直流电信号和所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘绍斌，田晨，卜昌军，张俊，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44