OLED面板的制作方法、OLED面板技术

本发明专利技术公开了一种OLED面板的制作方法、OLED面板。现有的OLED面板存在开口率低、电容存储能力差的问题。本发明专利技术通过将第一导体层与遮光层搭接，将像素电极与源极连接，去除电容区域的平坦层和钝化层，提高了OLED面板的开口率，电容存储能力大幅提升，设计自由度更高，可应用于更大尺寸的OLED面板，提高了电容保持能力。

【技术实现步骤摘要】
OLED面板的制作方法、OLED面板
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种OLED面板的制作方法、OLED面板。
技术介绍
有机发光器件OLED(OrganicLightEmittingDiode)相对于液晶显示器(LCD)，具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。其中，对于底发射型显示面板而言，开口率和电容的存储能力是衡量其优劣的重要参数之一。图1为一种现有OLED面板的结构图。如图1所示，该面板包括基板101、遮光层102、第一导体层103、缓冲层104、有源层105、第二导体层106、栅极绝缘层107、栅极108、第二绝缘层109、源极110、漏极111、钝化层112、平坦层113、像素电极114和像素定义层115。现有技术中，将第一半导体层103、缓冲层104和第二半导体层106作为透明电容结构应用于底发射OLED，由于透明电容结构不会影响电容区域，开口率增大，但是电容的存储能力受限。因此，如何同时提高OLED面板的开口率和电容存储能力成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种OLED面板的制作方法、OLED面板，以解决现有的OLED面板的开口率低、电容存储能力低的问题。为此，本专利技术实施例提供了如下技术方案：本专利技术第一方面提供了一种OLED面板的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成遮光层；在所述基板和所述遮光层上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成第一导体层，所述第一导体层的一端与所述遮光层搭接；在所述基板上依次沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成第一半导体层、第二半导体层、栅极绝缘层和栅极，所述第一半导体层与所述第二半导体层间隔设置；以所述栅极及所述栅极绝缘层为遮挡，对所述第一半导体层与所述第二半导体层进行等离子处理，得到有源层以及与所述有源层间隔设置的第二导体层；形成覆盖所述缓冲层、第一导体层、第二导体层、栅极绝缘层和栅极的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成暴露出有源层的第一过孔、暴露出有源层的第二过孔和暴露出遮光层的第三过孔；在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；形成覆盖所述缓冲层、所述源极和所述漏极的钝化层；形成覆盖所述钝化层的平坦层，并对所述钝化层和所述平坦层进行图案化，形成暴露出源极的第四过孔和暴露出第二绝缘层的开口；在所述平坦层和所述开口上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述源极连接；形成覆盖所述平坦层和所述像素电极的像素定义层，并对所述像素定义层进行图案化暴露出位于所述开口上方的像素电极。进一步地，所述第一透明导电层、缓冲层、第二透明导电层、第二绝缘层与所述像素电极形成三层夹心透明电容结构。进一步地，所述遮光层的材质为Mo，Al，Cu，Ti中的一种或几种；所述遮光层的厚度为2000-10000A；所述第一透明导电层的厚度为200-2000A；所述缓冲层的厚度为1000-5000A；所述缓冲层的材质为SiOx和SiNx中的一种或两种的组合。进一步地，所述第四过孔通过黄光置备。进一步地，所述半导体层的厚度为100-1000A；所述半导体层的材质为IGZO，IZTO，IGZTO中的一种；所述栅极绝缘层的厚度为1000-3000A；所述源漏金属层的材质为Mo，Al，Cu，Ti中的一种或几种，厚度为2000-8000A。进一步地，所述第二绝缘层的材质为SiOx和SiNx中的一种或两种的组合；所述第二绝缘层的厚度为2000A-10000A。进一步地，所述钝化层的材质为SiOx和SiNx中的一种或两种的组合；所述钝化层的厚度为1000-5000A；所述像素电极的材质为ITO或IZO；所述像素电极的厚度为200-2000A。本专利技术第二方面提供了一种OLED面板，包括：基板；遮光层，制备于所述基板表面；第一导体层，制备于所述基板表面，所述第一导体层的一端与所述遮光层搭接；缓冲层，覆盖所述遮光层、所述第一导体层和所述基板；有源层，制备于所述缓冲层表面；第二导体层，制备于所述缓冲层表面，所述第二导体层与所述有源层间隔设置；栅极绝缘层，制备于所述有源层表面；栅极，制备于所述栅极绝缘层表面；第二绝缘层，覆盖所述缓冲层、第一导体层、第二导体层、栅极绝缘层和栅极；漏极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第一过孔与所述有源层连接；源极，制备于所述第二绝缘层表面，通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述有源层连接，通过贯穿所述第二绝缘层和所述缓冲层的第三过孔与所述遮光层连接；钝化层，覆盖所述缓冲层、所述源极和所述漏极；平坦层，制备于所述钝化层表面；像素电极，制备于所述平坦层表面，所述像素电极通过贯穿所述平坦层和所述钝化层的第四过孔与所述源极连接，所述像素电极通过贯穿所述平坦层和所述钝化层的开口与所述第二绝缘层接触；像素定义层，制备于所述平坦层和所述像素电极表面，并暴露出位于所述开口上方的像素电极。进一步地，所述有源层位于所述遮光层上方；所述第二导体层位于所述第一导体层上方；所述开口位于所述第二导体层上方。进一步地，所述有源层的宽度小于所述遮光层的宽度；所述栅极绝缘层的宽度小于所述有源层的宽度；所述栅极的宽度小于所述栅极绝缘层的宽度。本专利技术实施例技术方案，具有如下优点：本专利技术实施例提供了一种OLED面板的制作方法。现有的OLED面板存在开口率低、电容存储能力差的问题。本专利技术通过将第一导体层与遮光层搭接，将像素电极与源极连接，去除电容区域的平坦层和钝化层，提高了OLED面板的开口率，电容存储能力大幅提升，设计自由度更高，可应用于更大尺寸的OLED面板，提高了电容保持能力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一种现有OLED面板的结构图。图2为本专利技术实施例的OLED面板制作方法流程图。图3为本专利技术实施例的第一图形层结构图。图4为本专利技术实施例的第二图形层结构图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在基板上形成遮光层；/n在所述基板和所述遮光层上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成第一导体层，所述第一导体层的一端与所述遮光层搭接；/n在所述基板上依次沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成第一半导体层、第二半导体层、栅极绝缘层和栅极，所述第一半导体层与所述第二半导体层间隔设置；/n以所述栅极及所述栅极绝缘层为遮挡，对所述第一半导体层与所述第二半导体层进行等离子处理，得到有源层以及与所述有源层间隔设置的第二导体层；/n形成覆盖所述缓冲层、第一导体层、第二导体层、栅极绝缘层和栅极的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成暴露出有源层的第一过孔、暴露出有源层的第二过孔和暴露出遮光层的第三过孔；/n在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；/n形成覆盖所述缓冲层、所述源极和所述漏极的钝化层；/n形成覆盖所述钝化层的平坦层，并对所述钝化层和所述平坦层进行图案化，形成暴露出源极的第四过孔和暴露出第二绝缘层的开口；/n在所述平坦层和所述开口上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述源极连接；/n形成覆盖所述平坦层和所述像素电极的像素定义层，并对所述像素定义层进行图案化暴露出位于所述开口上方的像素电极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上形成遮光层；
在所述基板和所述遮光层上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成第一导体层，所述第一导体层的一端与所述遮光层搭接；
在所述基板上依次沉积缓冲层、半导体层、第一绝缘层和第一金属层，并对所述半导体层、所述第一绝缘层和所述第一金属层进行图案化，形成第一半导体层、第二半导体层、栅极绝缘层和栅极，所述第一半导体层与所述第二半导体层间隔设置；
以所述栅极及所述栅极绝缘层为遮挡，对所述第一半导体层与所述第二半导体层进行等离子处理，得到有源层以及与所述有源层间隔设置的第二导体层；
形成覆盖所述缓冲层、第一导体层、第二导体层、栅极绝缘层和栅极的第二绝缘层，并对所述第二绝缘层和所述缓冲层进行图案化，形成暴露出有源层的第一过孔、暴露出有源层的第二过孔和暴露出遮光层的第三过孔；
在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源极和漏极，所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第三过孔与所述遮光层连接；
形成覆盖所述缓冲层、所述源极和所述漏极的钝化层；
形成覆盖所述钝化层的平坦层，并对所述钝化层和所述平坦层进行图案化，形成暴露出源极的第四过孔和暴露出第二绝缘层的开口；
在所述平坦层和所述开口上涂布透明金属氧化物，并对所述透明金属氧化物进行图案化，形成像素电极，所述像素电极通过所述第四过孔与所述源极连接；
形成覆盖所述平坦层和所述像素电极的像素定义层，并对所述像素定义层进行图案化暴露出位于所述开口上方的像素电极。


2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层、缓冲层、第二透明导电层、第二绝缘层与所述像素电极形成三层夹心透明电容结构。


3.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述遮光层的材质为Mo，Al，Cu，Ti中的一种或几种；
所述遮光层的厚度为2000-10000A；
所述第一透明导电层的厚度为200-2000A；
所述缓冲层的厚度为1000-5000A；
所述缓冲层的材质为SiOx和SiNx中的一种或两种的组合。


4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第四过孔通过黄光置备。


5.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述半导体层的厚度为100-1000A；

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44