半导体封装件制造技术

一种半导体封装件包括：第一衬底，具有第一表面并包括第一电极；第一凸块焊盘，位于第一衬底的第一表面上并连接到第一电极；第二衬底，具有面对第一衬底的第一表面的第二表面并包括第二电极；位于第二衬底的第二表面上的第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘；以及凸块结构。所述第二凸块焊盘具有从第二凸块焊盘的侧表面朝向第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构。第二凸块焊盘可以连接到第二电极。凸块结构可以接触第一凸块焊盘和第二凸块焊盘。凸块结构可以具有突出通过凹陷结构的部分。邻近的第二凸块焊盘可以邻近第二凸块焊盘并且包括与第二凸块焊盘的凹陷结构在不同的方向上定向的凹陷结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0073752的权益，通过引用将其公开内容整体地并入本文。
专利技术构思涉及一种半导体封装件，并且更具体地，涉及一种包括凸块结构的半导体封装件。
技术介绍
随着电子工业的快速发展和用户的需要增长，电子设备正变得更紧凑且多功能。因此，电子设备中使用的半导体器件(例如，半导体芯片)的小型化和多功能化的必要性也在增加。具有精细间距的连接端子的半导体器件是必需的，并且需要具有精细尺寸的连接端子(例如，凸块结构)以将高容量半导体器件安装在半导体封装件的有限结构中。另外，包括在半导体封装件中的凸块结构之间的距离在持续地减小。
技术实现思路
一些专利技术构思提供了半导体封装件的示例，在所述半导体封装件中，具有凹陷结构的凸块焊盘位于凸块结构下方，以改进电气特性和可靠性。专利技术构思的各方面不应当受以上描述限制，并且本领域的普通技术人员将从本文描述的示例实施例中清楚地理解其他未提及的方面。根据专利技术构思的一个方面，一种半导体封装件包括：第一衬底，所述第一衬底具有第一表面并包括第一电极；第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上；第二衬底，所述第二衬底具有面对所述第一衬底的所述第一表面的第二表面；第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上；以及凸块结构。所述第一凸块焊盘连接到所述第一电极。所述第二衬底包括第二电极。所述第二凸块焊盘具有从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构。所述第二凸块焊盘连接到所述第二电极。所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括凹陷结构。所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向。所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘。所述凸块结构具有突出通过所述第二凸块焊盘的凹陷结构的部分。根据本专利技术构思的另一方面，一种半导体封装件包括：第一衬底，所述第一衬底具有第一表面；第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上；第二衬底，所述第二衬底具有与所述第一衬底的所述第一表面相对定位的第二表面；第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上；以及凸块结构。所述第二凸块焊盘具有两个凹陷结构，所述两个凹陷结构各自从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷。所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括两个凹陷结构。沿着所述第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构延伸的第一虚拟线垂直于沿着所述邻近的第二凸块焊盘的所述两个凹陷结构延伸的第二虚拟线。所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘。根据本专利技术构思的另一方面，一种半导体封装件包括：第一衬底，所述第一衬底具有第一表面并包括第一贯通电极；第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上；第二衬底，所述第二衬底具有与所述第一衬底的所述第一表面相对定位的第二表面；第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上；以及凸块结构，所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘。所述第一凸块焊盘连接到所述第一贯通电极。所述第二衬底包括第二贯通电极和其他第二贯通电极。所述第二凸块焊盘具有从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构。所述第二凸块焊盘连接到所述第二贯通电极。所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括凹陷结构。所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向。所述邻近的第二凸块焊盘中的对应一个邻近的第二凸块焊盘连接到所述其他第二贯通电极中的至少两个其他第二贯通电极。附图说明从结合附图的以下详细描述中，将更清楚地理解专利技术构思的实施例，在附图中：图1A至图1C是根据实施例的半导体封装件的图；图2A至图2C是根据实施例的半导体封装件的图；图3A和图3B是根据实施例的半导体封装件的图；图4是根据实施例的半导体封装件的截面图；图5是根据实施例的半导体封装件的截面图；图6是根据实施例的制造半导体封装件的方法的流程图；图7A至图7F是示出了根据实施例的制造半导体封装件的方法的工艺顺序的图；图8是根据实施例的包括半导体封装件的半导体模块的俯视图；以及图9是根据实施例的半导体封装件的系统的结构图。具体实施方式为了便于描述，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“在...之下”、“在...下方”、“下”、“在...上方”、“上”等，以描述如图中示出的一个元素或特征与另一元素或特征的关系。应理解的是，除了各图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在包含器件在使用或操作中的不同定向。例如，如果各图中的器件被翻转，则被描述为“在”其他元素或特征“下方”或“之下”的元素然后将被定向为“在”其他元素或特征“上方”。因此，术语“在…下方”可包含“在…上方”和“在…下方”两者的定向。器件可以以其他方式定向(旋转90度或在其他定向上)，并且相应地解释本文使用的空间相对描述语。在下文中，将参考附图详细地描述实施例。图1A至图1C是根据实施例的半导体封装件10的图。具体地，图1A是半导体封装件10的截面图，图1B示出了图1A的区域B的放大截面图(左)和放大俯视图(右)，图1C是示出了半导体封装件10的第二凸块焊盘260的特性的透视图。凸块结构BS1在图1C中被示为透明的。参考图1A至图1C，半导体封装件10可以包括具有第一凸块焊盘130的第一衬底101、具有第二凸块焊盘260的第二衬底201以及分别与第一凸块焊盘130和第二凸块焊盘260接触的凸块结构BS1。包括在半导体封装件10中的第一半导体器件100和第二半导体器件200中的每一个均可以包括逻辑芯片或存储器芯片。例如，第一半导体器件100和第二半导体器件200可以包括相同类型的存储器芯片。或者，第一半导体器件100和第二半导体器件200中的一个可以包括存储器芯片，而其另一个可以包括逻辑芯片。存储器芯片可以包括例如易失性存储器芯片，诸如动态随机存取存储器(DRAM)芯片或静态RAM(SRAM)芯片，或非易失性存储器芯片，诸如相变RAM(PRAM)芯片、磁阻RAM(MRAM)芯片、铁电RAM(FeRAM)芯片或电阻式RAM(RRAM)芯片。另外，逻辑芯片可以包括例如微处理器(MP)、模拟器件或数字信号处理器(DSP)。第一半导体器件100可以包括第一衬底101、第一半导体器件层110、第一互连层120、第一凸块焊盘130和第一贯通电极150。可以为半导体衬底的第一衬底101可以包括彼此相对的顶表面101T和底表面101B。底表面101B可以被称为第一表面。第一衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n第一衬底，所述第一衬底具有第一表面并包括第一电极；/n第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上，所述第一凸块焊盘连接到所述第一电极；/n第二衬底，所述第二衬底具有面对所述第一衬底的所述第一表面的第二表面，所述第二衬底包括第二电极；/n第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上，所述第二凸块焊盘具有从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构，所述第二凸块焊盘连接到所述第二电极，所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括凹陷结构，所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向；以及/n凸块结构，所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘，所述凸块结构具有突出通过所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构的部分。/n

【技术特征摘要】
20190620 KR 10-2019-00737521.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一衬底，所述第一衬底具有第一表面并包括第一电极；
第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上，所述第一凸块焊盘连接到所述第一电极；
第二衬底，所述第二衬底具有面对所述第一衬底的所述第一表面的第二表面，所述第二衬底包括第二电极；
第二凸块焊盘和邻近的第二凸块焊盘，所述第二凸块焊盘和所述邻近的第二凸块焊盘位于所述第二衬底的所述第二表面上，所述第二凸块焊盘具有从所述第二凸块焊盘的侧表面朝向所述第二凸块焊盘的中心凹陷的凹陷结构，所述第二凸块焊盘连接到所述第二电极，所述邻近的第二凸块焊盘邻近所述第二凸块焊盘并包括凹陷结构，所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向；以及
凸块结构，所述凸块结构接触所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘，所述凸块结构具有突出通过所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构的部分。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述凸块结构填充所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构。


3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第二电极的一部分被所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构暴露以提供所述第二电极的暴露部分，
其中，所述第二电极的暴露部分与所述凸块结构接触。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述邻近的第二凸块焊盘的所述凹陷结构相对于所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构以90°、180°或270°的旋转角度定向。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二凸块焊盘的所述凹陷结构包括以直角彼此邻接的三个侧壁。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述第一凸块焊盘在俯视图中具有圆形形状；并且
所述第二凸块焊盘在俯视图中具有多边形形状。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
粘附膜，所述粘附膜围绕所述第一凸块焊盘、所述第二凸块焊盘和所述凸块结构。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一电极和所述第二电极均包括贯穿硅通路。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述第一衬底包括半导体衬底；并且
所述第二衬底包括印刷电路板。


10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
第三衬底，所述第三衬底具有第三表面，所述第三表面面对所述第二衬底的所述第二表面的相对表面，所述第三衬底包括第三电极；
第三凸块焊盘和邻近的第三凸块焊盘，所述第三凸块焊盘和所述邻近的第三凸块焊盘位于所述第三衬底的所述第三表面上，所述第三凸块焊盘具有在一个方向上定向的凹陷结构，所述第三凸块焊盘连接到所述第三电极，所述邻近的第三凸块焊盘邻近所述第三凸块焊盘并包括凹陷结构，所述邻近的第三凸块焊盘的所述凹陷结构与所述第三凸块焊盘的所述凹陷结构在不同的方向上定向；以及
与所述第三凸块焊盘接触的另一凸块结构，所述另一凸块结构具有突出通过所述第三凸块焊盘的所述凹陷结构的部分。


11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
第一衬底，所述第一衬底具有第一表面；
第一凸块焊盘，所述第一凸块焊盘位于所述第一衬底的所述第一表面上；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢廷铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR