镀膜设备制造技术

一种镀膜设备包括加工腔室、旋转装置以及旋转承载座。旋转装置设置于前述加工腔室中。旋转承载座连接至前述旋转装置。旋转承载座包括两个延伸元件、两个容纳元件以及两个销。前述延伸元件围绕中心轴设置且相互分离，其中前述延伸元件的每一个具有一侧面。前述容纳元件的每一个具有一底面，前述容纳元件的其中一个连接至前述侧面的其中一个，且前述容纳元件的另一个连接至前述侧面的另一个。前述销的其中一个连接至前述底面的其中一个，且前述销的另一个连接至前述底面的另一个。

【技术实现步骤摘要】
镀膜设备
本公开实施例涉及一种镀膜设备，尤其涉及一种具有旋转承载座的镀膜设备。
技术介绍
在传统技术中，物理气相沉积(physicalvapordeposition；PVD)设备配置以在晶片上蒸镀薄膜。镀膜设备包括旋转承载座及蒸镀装置。旋转承载座配置以容纳并旋转晶片。旋转承载座设置于蒸镀装置上方，且蒸镀装置配置以施加镀膜材料于晶片的底面上。然而，一般而言，位于晶片边缘上的镀膜材料并不均匀，而可能造成晶片边缘的镀膜品质不佳，以及晶片边缘的使用率偏低。虽然现有的物理气相沉积(PVD)设备普遍足以达到其设计的目的，但在各方面仍未完全地令人满意。因此，需要提供一种解决方案来改良物理气相沉积设备。
技术实现思路
本公开实施例提供一种镀膜设备。可通过前述镀膜设备改善目标对象的边缘的镀膜品质及一致性。本公开实施例提供一种镀膜设备，包括：加工腔室、旋转装置以及旋转承载座。旋转装置设置于前述加工腔室中。旋转承载座连接至前述旋转装置。旋转承载座包括：两个延伸元件、两个容纳元件以及两个销。前述延伸元件围绕中心轴设置且相互分离，其中前述延伸元件的每一个具有一侧面。前述容纳元件的每一个具有一底面，前述容纳元件的其中一个连接至前述侧面的其中一个，且前述容纳元件的另一个连接至前述侧面的另一个。前述销的其中一个连接至前述底面的其中一个，且前述销的另一个连接至前述底面的另一个。在一些实施例中，目标对象放置于前述销上，并位于前述容纳元件之间，且前述中心轴通过前述目标对象的中心。前述延伸元件、前述容纳元件和前述销围绕前述中心轴，且前述销朝向前述中心轴延伸。在一些实施例中，前述销的其中一个和前述中心轴之间的距离小于前述容纳元件的其中一个和前述中心轴之间的距离。在一些实施例中，前述容纳元件的其中一个的长度介于4mm至10mm的范围内，且前述容纳元件的长度在垂直于前述中心轴的方向上测量。在一些实施例中，前述销的其中一个的长度介于4mm至10mm的范围内，且前述销的长度在垂直于前述中心轴的方向上测量。在一些实施例中，前述销的其中一个的厚度介于1mm至3mm的范围内，且前述销的厚度在平行于前述中心轴的方向上测量。在一些实施例中，前述旋转装置配置以将前述旋转承载座围绕主轴旋转。前述旋转承载座垂直于前述主轴延伸。前述主轴平行于前述中心轴且与前述中心轴分离。在一些实施例中，前述延伸元件的侧面垂直于前述容纳元件的底面延伸。在一些实施例中，在一剖视图中，前述延伸元件的侧面为弯曲表面，前述容纳元件的底面为平坦表面，且在一平面图中，前述延伸元件的侧面和前述容纳元件的底面呈C字形。在一些实施例中，前述目标对象具有一对位标记和一识别标记，且前述销的其中一个覆盖前述对位标记或前述识别标记。在一些实施例中，一间隙形成于前述延伸元件的两相邻端部之间。在一些实施例中，前述旋转承载座还包括：主底座以及两个支撑框架。主底座连接至前述旋转装置。前述支撑框架的其中一个连接至前述延伸元件的其中一个及前述主底座，且前述支撑框架的另一个连接至前述延伸元件的另一个及前述主底座。底部空间形成于前述支撑框架之间，且接收空间形成于前述延伸元件的侧面之间，并与前述底部空间连通。前述容纳元件及前述销位于前述接收空间中。在一些实施例中，前述中心轴通过前述底部空间的中心和前述接收空间的中心。前述底部空间的宽度大于前述接收空间的宽度。前述底部空间和前述接收空间的宽度在垂直于前述中心轴的方向测量。在一些实施例中，前述底部空间的宽度是前述接收空间的宽度的1.01倍至1.1倍。在一些实施例中，前述接收空间的宽度比前述目标对象的宽度大4mm至20mm，且前述底部空间的宽度比前述目标对象的宽度大28mm至64mm。在一些实施例中，前述支撑框架的每一个具有一侧面，前述延伸元件的每一个还具有一底面，前述底面的其中一个连接至前述支撑框架的侧面的其中一个，且前述底面的另一个连接至前述支撑框架的侧面的另一个。前述支撑框架的侧面垂直于前述延伸元件的底面延伸。在一些实施例中，在一剖视图中，前述延伸元件的侧面为弯曲表面，前述容纳元件的底面为平坦表面，且在一平面图中，前述延伸元件的侧面和前述容纳元件的底面呈C字形。在一些实施例中，前述支撑框架的每一个还具有一侧面，前述容纳元件的其中一个的一端和前述支撑框架的侧面的其中一个之间在垂直于前述侧面的方向上的距离介于18mm至30mm的范围内，且前述支撑框架的前述侧面接近于前述容纳元件。在一些实施例中，前述镀膜设备还包括蒸镀装置，设置于前述加工腔室中以及前述旋转承载座下方。前述蒸镀装置配置以朝向前述目标对象施加镀膜材料。在一些实施例中，前述镀膜设备还包括：真空装置以及离子辅助沉积装置。前述真空装置连接至前述加工腔室，且配置以使前述加工腔室真空。前述离子辅助沉积装置设置于前述加工腔室中，且配置以发射离子至前述旋转承载座。综上所述，本公开的镀膜设备使用旋转承载座以容纳目标对象。取决于销的设计，减少目标对象边缘的被覆盖的区域，因而可改善目标对象边缘的镀膜表现及使用率。此外，取决于延伸元件及底部空间的设计，可改善目标对象的加工表面边缘的镀膜品质及镀膜一致性。附图说明图1是根据一些实施例的镀膜设备的示意图。图2是根据一些实施例的旋转承载座的俯视图。图3是根据一些实施例的旋转承载座的仰视图。图4是图3的部分A的放大图，其中在图4中示出一个目标对象。图5是沿图2的线BB的剖视图，且在图5中示出一个目标对象。图6是沿图2的线BB的剖视图，且在图6中示出一个目标对象，其中图6的比例尺大于图5。图7是根据一些实施例的旋转承载座的剖视图。附图标记如下：A1镀膜设备A10加工腔室A20旋转装置A30旋转承载座A40蒸镀装置A50储存装置A60真空装置A70离子辅助沉积装置AX1主轴AX2中心轴A部分BB线D1、D2方向d1距离G1、G2间隙L1、L2、L4长度L3厚度M1对位标记M2识别标记P1参考平面S1底部空间S2接收空间T1目标对象T11加工表面W1、W2、W3、W4宽度10主底座20支撑框架21、31侧面22、32底面23、33顶面30延伸元件40容纳元件41底面42端部50销60支撑部具体实施方式以下的说明提供了许多不同的实施例、或是范例，用来实施本专利技术的不同特征。以下特定范例所描述的元件和排列方式，仅用来精简的表达本专利技术，其仅作为范例，而并非用以限制本专利技术。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一和第二特征之间，以致于第一和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀膜设备，包括：/n一加工腔室；/n一旋转装置，设置于该加工腔室中；以及/n一旋转承载座，连接至该旋转装置，且包括：/n两个延伸元件，围绕一中心轴设置且相互分离，其中多个所述延伸元件的每一个具有一侧面；/n两个容纳元件，其中多个所述容纳元件的每一个具有一底面，多个所述容纳元件的其中一个连接至多个所述侧面的其中一个，且多个所述容纳元件的另一个连接至多个所述侧面的另一个；以及/n两个销，其中多个所述销的其中一个连接至多个所述底面的其中一个，且多个所述销的另一个连接至多个所述底面的另一个。/n

【技术特征摘要】
20190618 US 16/444,3821.一种镀膜设备，包括：
一加工腔室；
一旋转装置，设置于该加工腔室中；以及
一旋转承载座，连接至该旋转装置，且包括：
两个延伸元件，围绕一中心轴设置且相互分离，其中多个所述延伸元件的每一个具有一侧面；
两个容纳元件，其中多个所述容纳元件的每一个具有一底面，多个所述容纳元件的其中一个连接至多个所述侧面的其中一个，且多个所述容纳元件的另一个连接至多个所述侧面的另一个；以及
两个销，其中多个所述销的其中一个连接至多个所述底面的其中一个，且多个所述销的另一个连接至多个所述底面的另一个。


2.如权利要求1所述的镀膜设备，其中一目标对象放置于多个所述销上，并位于多个所述容纳元件之间，该中心轴通过该目标对象的一中心，多个所述延伸元件、多个所述容纳元件和多个所述销围绕该中心轴，且多个所述销朝向该中心轴延伸。


3.如权利要求2所述的镀膜设备，其中多个所述销的其中一个和该中心轴之间的距离小于多个所述容纳元件的其中一个和该中心轴之间的距离，多个所述容纳元件的其中一个的一长度介于4mm至10mm的范围内，且多个所述容纳元件的该者的该长度在垂直于该中心轴的方向上测量，多个所述销的其中一个的一长度介于4mm至10mm的范围内，且多个所述销的该者的该长度在垂直于该中心轴的方向上测量。


4.如权利要求2所述的镀膜设备，其中多个所述销的其中一个的一厚度介于1mm至3mm的范围内，多个所述销的该者的该厚度在平行于该中心轴的方向上测量，该旋转装置配置以将该旋转承载座围绕一主轴旋转，该旋转承载座垂直于该主轴延伸，该主轴平行于该中心轴且与该中心轴分离。


5.如权利要求2所述的镀膜设备，还包括一蒸镀装置，设置于该加工腔室中以及该旋转承载座下方，其中该蒸镀装置配置以朝向该目标对象施加一镀膜材料，该目标对象具有一对位标记和一识别标记，且多个所述销的其中一个覆盖该对位标记或该识别标记。


6.如权利要求2所述的镀膜设备，其中该旋转承载座还包括：
一主底座，连接至该旋转装置；以及
两个支撑框架，其中多个所述支撑框架的其中一个连接至多个所述延伸元件的其中一个及该主底座，且多个所述支撑框架的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：马绍为，陈昶维，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71