【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有温度稳定输出的电容式传感器
本公开内容涉及具有温度稳定输出的电容式传感器。
技术介绍
微机电系统(MEMS)传感器能够用于测量环境的特性。作为示例,MEMS传感器能够确定环境中的环境气压。
技术实现思路
集成电路(IC)器件能够包括集成传感器,该集成传感器基于两个电极之间的电容变化来测量环境的特性。作为示例,压力传感器能够包括柔性膜和定位在该柔性膜的一侧上的具有已知气压(例如,参考压力或表压)的气密密封腔。柔性膜的相对侧暴露在环境中,并且经受环境的环境气压的影响。柔性膜基于其两侧的压力差而偏转到不同程度。膜的这种偏转程度能够通过测量嵌入膜中的测量电极与定位在膜附近(例如,沿着腔的相对侧)的基底电极之间的电容来确定。基于该测量,传感器能够确定环境的环境压力。由于传感器的输出取决于在基底电极和测量电极之间测得的电容,因此对传感器的电干扰能够降低其测量结果的准确性和/或可靠性。通过在传感器和电干扰源(例如,IC器件的其他部件)之间包括屏蔽层(例如,铝板)能够减小这种电干扰。然而,在重复的温度循环期间,包括大金属板有时能够不利地影响传感器的准确性和/或可靠性。例如,温度的变化能够引起金属板中的塑性变形,从而导致传感器中的温度相关的输出漂移和/或IC器件中的裂纹或断裂。此外,温度的变化能够改变金属板的机械应力,并且能够导致传感器中的温度相关的输出漂移。此外,传感器的输出可以表现出温度相关的滞后现象。能够使用各种技术来减轻这些影响。在一些实施例中,能够通过减少经受塑性变形的CMOS ...
【技术保护点】
1.一种系统,包括:/n传感器,其包括:/n基底,其包括基底电极;以及/n第一膜,其悬在所述基底上方,其中,所述第一膜包括第一膜电极,并且其中,所述第一膜被配置为响应于环境条件而相对于所述基底电极偏转;/n其中,所述传感器可操作以测量所述基底电极与所述第一膜电极之间的电容;/n第一导电屏蔽层,其定位在所述传感器与所述系统的可操作以生成电干扰信号的设备之间,其中,所述第一导电屏蔽层限定延伸穿过所述第一导电屏蔽层的多个第一孔;以及/n介电材料,其设置在所述多个第一孔中。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180425 US 62/662,366;20181107 US 62/756,7251.一种系统,包括:
传感器,其包括:
基底,其包括基底电极;以及
第一膜,其悬在所述基底上方,其中,所述第一膜包括第一膜电极,并且其中,所述第一膜被配置为响应于环境条件而相对于所述基底电极偏转;
其中,所述传感器可操作以测量所述基底电极与所述第一膜电极之间的电容;
第一导电屏蔽层,其定位在所述传感器与所述系统的可操作以生成电干扰信号的设备之间,其中,所述第一导电屏蔽层限定延伸穿过所述第一导电屏蔽层的多个第一孔;以及
介电材料,其设置在所述多个第一孔中。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述第一膜在第一方向上的长度大于所述第一膜在与所述第一方向正交的第二方向上的长度,以及
其中,所述多个孔中的每个孔在所述第一方向上的长度大于所述孔在所述第二方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述第一导电屏蔽层包括被布置成网格的多个导电元件。
4.根据权利要求3所述的系统,其中,所述多个导电元件彼此电互连。
5.根据权利要求1所述的系统,还包括定位在所述传感器与附加设备之间的第二导电屏蔽层,其中,所述第二导电屏蔽层限定延伸穿过所述第二导电屏蔽层的多个第二孔,并且其中,介电材料设置在所述多个第二孔中。
6.根据权利要求5所述的系统,其中,所述多个第一孔相对于所述第一导电屏蔽层限定第一图案,并且其中,所述多个第二孔相对于所述第二导电屏蔽层限定第二图案,所述第二图案不同于所述第一图案。
7.根据权利要求5所述的系统,其中,所述多个第一孔相对于所述第一导电屏蔽层限定第一图案,其中,所述多个第二孔相对于所述第二导电屏蔽层限定第二图案,第一部分的至少一部分在几何上类似于第二部分的至少一部分,并且所述第二图案在空间上与所述第一图案偏移。
8.根据权利要求1所述的系统,其中,所述第一导电屏蔽层包括多个平行的第一导电段,并且其中,所述第一导电段通过垂直于所述多个第一导电段的多个平行的第二导电段电互连。
9.根据权利要求8所述的系统,其中,所述第一膜在第一方向上的长度大于所述第一膜在与所述第一方向正交的第二方向上的长度,以及
其中,所述多个第一导电段中的每个第一导电段在所述第一方向上的长度大于所述第一导电段在所述第二方向上的长度。
10.根据权利要求9的系统,其中,所述多个第一导电段中的每个第一导电段在所述第二方向上的长度小于所述第一导电屏蔽层在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上的厚度的3倍。
11.根据权利要求9的系统,其中,所述多个第一导电段中的每个第一导电段在所述第二方向上的长度小于所述第一导电屏蔽层在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上的厚度。
12.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:奥拉夫·文尼肯,弗雷德里克·万海尔蒙特,威廉·弗雷德里克·贝斯林,雷姆卡·亨里克斯·皮内伯格,卡斯·范德阿福尔特,安德森·辛格拉尼,马基恩·戈森斯,
申请(专利权)人:希奥检测有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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