一种光学临近效应修正方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种光学临近效应修正方法及装置，该光学临近效应修正方法包括：获取待处理设计图形中的角对角特征；将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形；对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。也就是说，在目标设计图形上再进行分段处理，这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸，使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向，可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种光学临近效应修正方法及装置
本专利技术涉及工艺制造
，更具体地说，涉及一种光学临近效应修正方法及装置。
技术介绍
在基于模型的光学临近效应修正过程中，对设计图形的边缘进行分段、移动，并设置与分段对应的控制点，控制点与分段的段点在同一条线上，仿真计算出曝光在光刻胶上的曝光图形，该曝光图形会经过控制点，该曝光图形与设计图形之间的差别被称为边缘放置误差。通过对设计图形边缘的反复移动并对比仿真得到的曝光图形，可以得到较小的边缘放置误差，以及较好的修正质量。但是，目前基于有小尺寸和角对角特征处的光学临近效应修正方法，得到的修正质量较差，还是无法满足实际需求。
技术实现思路
有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种光学临近效应修正方法及装置，技术方案如下：一种光学临近效应修正方法，所述光学临近效应修正方法包括：获取待处理设计图形中的角对角特征；将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形；对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。可选的，在上述光学临近效应修正方法中，所述光学临近效应修正方法还包括：将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。可选的，在上述光学临近效应修正方法中，所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。一种光学临近效应修正装置，所述光学临近效应修正装置包括：获取模块，用于获取待处理设计图形中的角对角特征；第一移动模块，用于将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形；分段模块，用于对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。可选的，在上述光学临近效应修正装置中，所述光学临近效应修正装置还包括：第二移动模块，用于将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。可选的，在上述光学临近效应修正装置中，所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：本专利技术提供的一种光学临近效应修正方法包括：获取待处理设计图形中的角对角特征；将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形；对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。也就是说，在目标设计图形上再进行分段处理，这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸，使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向，可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中包含有角对角特征的设计图形示意图；图2为现有技术中对包含有角对角特征的设计图形进行光学临近效应修正之后的示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种光学临近效应修正方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种包含有角对角特征的设计图形示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种目标设计图形的示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种目标设计图形的分段示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种目标设计图形的控制点分布示意图；图8为本专利技术实施例提供的另一种光学临近效应修正方法的流程示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种基于目标设计图形的仿真图形示意图；图10为本专利技术实施例提供的另一种目标设计图形的控制点分布示意图；图11为本专利技术实施例提供的另一种基于目标设计图形的仿真图形示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种光学临近效应修正装置的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的另一种光学临近效应修正装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。基于
技术介绍
记载的内容而言，参考图1，图1为现有技术中包含有角对角特征的设计图形示意图。由于角对角特征处(虚线框所示位置)的尺寸过小，掩膜制造的能力不能满足要求，于是在对设计图形边缘移动时，最靠近角的两段会向远离角的方向移动，变大角对角的尺寸以满足掩膜制造要求。但是，参考图2，图2为现有技术中对包含有角对角特征的设计图形进行光学临近效应修正之后的示意图，由此可知，基于图2所示的设计图像，那么曝光的图形也会随之变“胖”，造成边缘放置误差变大，形成更差的修正效果。为了满足掩膜制造要求就必须固定角对角两边分段的移动方向，这与达到较好的修正效果存在矛盾，通过当前的光学临近效应修正方法来调整分段的长度，很难实现协调的目的。基于现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种光学临近效应修正方法，在有小尺寸和角对角特征处，可以得到较好的修正质量，以满足实际掩膜制造要求。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参考图3，图3为本专利技术实施例提供的一种光学临近效应修正方法的流程示意图。所述光学临近效应修正方法包括：S101：获取待处理设计图形中的角对角特征。具体的，参考图4，图4为本专利技术实施例提供的一种包含有角对角特征的设计图形示意图。其中，图4中虚线框所示位置为角对角特征处。需要说明的是，在本专利技术实施例中仅仅以一处角对角特征进行示例说明。S102：将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形。具体的，参考图5，图5为本专利技术实施例提供的一种目标设计图形的示意图，该目标设计图像由角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离之后得到的。S103：对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。具体的，参考图6，图6为本专利技术实施例提供的一种目标设计图形的分段示意图，参考图7，图7为本专利技术实施例提供的一种目标设计图形的控制点分布示意图。也就是说，本专利技术实施例提供的光学临近效应修正方法，在目标设计图形上再进行分段处理，这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸，使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向，可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。进一步的，基于本专利技术上述实施例，参考图8，图8为本专利技术实施例提供的另一种光学临近效应修正方法的流程示意图。所述光学临近效应修正方法还包括：S104：将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。参考图9，图9为本专利技术实施例提供的一种基于目标设计图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，所述光学临近效应修正方法包括：/n获取待处理设计图形中的角对角特征；/n将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形；/n对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，所述光学临近效应修正方法包括：
获取待处理设计图形中的角对角特征；
将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形；
对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。


2.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述光学临近效应修正方法还包括：
将所述控制点移动到所述待处理设计图形中的竖边上。


3.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述预设距离与所述角对角特征中角对角之间的距离相关。


4.一种光学临近效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔耀升，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37