一种微流控芯片清洗剂及其方法技术

本发明专利技术涉及生物技术领域，尤其涉及一种微流控芯片清洗剂及其方法，清洗剂包括以下质量份的组分：乙二胺四乙酸10‑20份，三羟甲基氨基甲烷200‑300份，乙酸30‑80份，油酸酯0.1‑10份；方法包括向微流控芯片的孔内分别加入10‑20ul的MilliQ水，低速混匀振荡；握住芯片两侧，向下磕打微流控芯片，直至微流控芯片孔内的溶液全部流出；向微流控芯片孔内分别加入本发明专利技术的微流控芯片清洗剂，涡旋振荡，去除微流控芯片孔内的溶液，即可得到清洁的微流控芯片；本发明专利技术提供了一种清洗干净、无残留、操作便捷的微流控芯片清洗剂及其方法。

【技术实现步骤摘要】
一种微流控芯片清洗剂及其方法
本专利技术涉及生物
，尤其涉及一种微流控芯片清洗剂及其方法。
技术介绍
微流控芯片具有流体流动可控，消耗试样和试剂极少，分析速度高等特点，所以，与传统琼脂糖和聚丙烯酰胺凝胶电泳相比，基于微流控芯片的电泳，需要的上样量少，操作简便省时，且性能更优。目前，微流控芯片广泛的被核酸蛋白电泳等生物实验所应用。但是，微流控芯片加工成本非常昂贵，且该技术几乎被欧美垄断。已陆续有文章报道了实验室研发的清洗芯片的试剂配方和清洗方法。在已报道的专利和文献中，清洗试剂配方大多采用了低pH值(<4)的H2O2或者钠离子缓冲液如次氯酸钠，并加入适当DNAase，或者高pH值(>10)的NaOH溶液，也有依次用这两种配方试剂依次间隔清洗再生芯片。此外，由于微流控芯片的泳道直径都是微米级，所以大多清洗方法采用泵或者负压。如图1所示，为现有技术中采用传统清洗试剂0.5MNaOH以及负压泵清洗芯片。从图中结果可知，0.5MNaOH清洗后的芯片，引起RNALadder降解。综上所述，现有技术清洗芯片的方法有两点明显的缺陷，1、清洗液残留会降解后续实验样本核酸/蛋白；2、用泵或者负压的方式吸入清洗液来清洗芯片，实际操作起来不十分方便，且这些装置并不是每个实验室都有。MilliQ水，是超纯水，是美国baiMillipore公司Milli-QAcademicA10超纯水系统生产的。美国zhiMillipore公司Milli-QBiocel型超纯水系统。最适合细胞培养。r>
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开了一种清洗干净、无残留、操作便捷的微流控芯片清洗剂及其方法。本专利技术的第一个方面，提供了一种微流控芯片清洗剂，包括以下质量份的组分：优选的，所述乙二胺四乙酸的PH为7.5-8.5。优选的，所述微流控芯片清洗剂的PH为7-8。优选的，所述清洗剂为水剂。本专利技术通过改变传统低pH值的酸或高pH值的碱性缓冲液，选用pH为7-8的清洗剂，彻底杜绝了清洗剂对后续核酸蛋白样本的降解干扰，影响真实数据结果；清洗试剂配方加入油酸酯非离子型去污剂可以在生物学实验中乳化蛋白，不破坏蛋白的结构，可减少对蛋白质之间原有的相互作用的破坏。本专利技术的第二个方面，提供了一种制备微流控芯片清洗剂的方法，包括以下步骤：1.1)配制乙二胺四乙酸，使其PH为7.5-8.5；1.2)将三羟甲基氨基甲烷加入乙酸形成混合液；1.3)向步骤1.2)得到的混合液中加入步骤1.1)配置好的乙二胺四乙酸；1.4)向步骤1.3)得到的混合液中加入油酸酯，调节PH值至7-8，得到微流控芯片清洗剂。优选的，所述微流控芯片清洗剂，包括以下质量份的组分：优选的，所述乙二胺四乙酸的PH为7.5-8.5。优选的，所述微流控芯片清洗剂的PH为7-8。优选的，所述清洗剂为水剂。本专利技术的第三个方面，提供了一种清洗微流控芯片的方法，采用本专利技术所述的微流控芯片清洗剂进行清洗。优选的，包括以下步骤：2.1)向微流控芯片的孔内分别加入10-20ul的MilliQ水，低速混匀振荡；2.2)握住芯片两侧，向下磕打微流控芯片，直至微流控芯片孔内的溶液全部流出；2.3)向微流控芯片孔内分别加入本专利技术所述的微流控芯片清洗剂，涡旋振荡，采用步骤2.2)的方法去除微流控芯片孔内的溶液，即可得到清洁的微流控芯片。通过手动力度适中磕打芯片，排除芯片泳道中的残夜。这样彻底废弃泵或者负压等装置，使得实验室操作起来方便易行。上述方法能够有效去除使用后的微流控芯片孔内的残胶，使微流控芯片孔能够再利用，大大节省了成本。优选的，包括如下步骤：向灌胶后的微流控芯片孔周加入本专利技术所述的微流控芯片清洗剂。上述方法能够去除上胶后的微流控芯片孔周边多余的胶，使得电泳结果更加准确。优选的，所述微流控芯片清洗剂的加液量为5-20ul。与现有技术相比，上述专利技术具有如下优点或者有益效果：本专利技术提供的微流控芯片清洗剂都是常见的化学原料，价格非常便宜，同时不需要实验室准备额外的泵或者负压等装置，就可以实现芯片重复利用，使用经济，易操作性强。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1为现有技术的清洗剂以及清洗方式清洗芯片的结果图；图2为本专利技术实施例中清洗剂清洗5次后的芯片的基线稳定性测试结果图；图3为本专利技术实施例中清洗剂清洗前后的对比试验结果图；图4为本专利技术实施例中清洗效果重复试验结果图；图5为本专利技术实施例中多次清洗效果试验结果图。具体实施方式本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本专利技术的实质内容，在此不予赘述。实施例1-3根据表1中的原料及配方按照如下方法制备实施例1-3的微流控芯片清洗剂：1、用天平称取乙二胺四乙酸，充分溶解到1L去离子水，并调整pH值到8.0；2用天平称取三羟甲基氨基甲烷，加入乙酸，边混匀边加入第一步的溶液，最后定容到1L；3、把第二步的溶液稀释，按照1％体积比例加入油酸酯，即制备完成清洗试剂，留作备用。将实施例1-3进行如下清洗效果实验。【清洗剂清洗5次后的芯片的基线稳定性测试】按照如下步骤清洗芯片5次1、将使用后的微流控芯片每孔加入10-20ul的MilliQ水(>18MΩ)，低速500rpm混匀振荡5分钟；2、准备无菌的无尘纸，用大拇指和食指握住芯片两侧，向下磕打芯片20次，(注意手指不要接触芯片背面的玻璃)，确保芯片每孔没有溶液残留；3、每个孔加18ul实施例1的清洗剂，涡旋振荡1分钟/2400rpm后，参考步骤2去除芯片孔中的溶液残留；4、确保去除芯片孔中的残留液，加入9ul胶染料混合物到灌胶孔，参照说明书进行正常压灌胶，每个孔加18ul实施例1的清洗剂，参照步骤2去除每孔残夜，并在每废液孔加入6ul的胶染料混合物；5、按照芯片供应商的说明书，加ladder和样本。涡旋振荡1分钟/2400rpm后，运行程序加上电压跑电泳；6、继续采用步骤1-5的方法重复进行微流控芯片清洗和跑胶4次；7、经过第5次清洗后，按照步骤4-5的方法进行电泳实验，以H2O作为blank样本。结果如图2所示，经过5次清洗后，芯片的基线稳定性良好，可见，芯片经过本专利技术提供的清洗剂多次清洗后仍然能够重复利用。【清洗前后的对比试验】1、取一块全新的微流控芯片，按照芯片供应商的说明书，加ladder和样本。涡旋振荡1分钟/2400rpm后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微流控芯片清洗剂，其特征在于，包括以下质量份的组分：/n

【技术特征摘要】
1.一种微流控芯片清洗剂，其特征在于，包括以下质量份的组分：





2.如权利要求1所述的微流控芯片清洗剂，其特征在于，所述乙二胺四乙酸的PH为7.5-8.5。


3.如权利要求1所述的微流控芯片清洗剂，其特征在于，所述微流控芯片清洗剂的PH为7-8。


4.如权利要求1所述的微流控芯片清洗剂，其特征在于，所述清洗剂为水剂。


5.一种制备权利要求1-4任意一项所述的微流控芯片清洗剂的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1.1)配制乙二胺四乙酸，使其PH为7.5-8.5；
1.2)将三羟甲基氨基甲烷加入乙酸形成混合液；
1.3)向步骤1.2)得到的混合液中加入步骤1.1)配置好的乙二胺四乙酸；
1.4)向步骤1.3)得到的混合液中加入油酸酯，调节PH值至7-8，得到微流控芯片清洗剂。...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵阿曼，
申请(专利权)人：上海符贝基因科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31