多开关唤醒和触发开关电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种多开关唤醒和触发开关电路，其包括唤醒单元和开关功能AD值识别单元，唤醒单元包括MOS管和用于控制MOS管导通的三极管，该MOS管的D极连接MCU芯片的唤醒端口，MOS管的S极接地，MOS管的G极接连接三极管的C极，三极管的E极连接电源端，三极管的B极连接第一电阻及第一电容后接地，第一电阻连接开关功能AD值识别单元，并由开关功能AD值识别单元中的按键按下与否以控制三极管是否导通，第一电阻及开关功能AD值识别单元连接MCU芯片的AD值识别端口；开关功能AD值识别单元包括多个相互并联连接的AD值识别电路，每个AD值识别电路均接地，且AD值识别电路连接第二电阻后连接第一电阻及AD值识别端口。

【技术实现步骤摘要】
多开关唤醒和触发开关电路
：本技术涉及电子电路
，特指一种多开关唤醒和触发开关电路。
技术介绍
：现有技术中的开关电路一般具有以下两种方式：第一种方式：该开关电路只有一个开关，通过按键的按下不同次数来切换功能，功能多的时候，功能切换很不方便。第二种方式：该开关电路具有多个开关，但是每个开关需要连接一个MCU端口，电路布局较为复杂，而且MCU不能睡眠，使用起来不够方便。有鉴于此，本专利技术人提出以下技术方案。
技术实现思路
：本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种多开关唤醒和触发开关电路。为了解决上述技术问题，本技术采用了下述技术方案：该多开关唤醒和触发开关电路包括唤醒单元和开关功能AD值识别单元，该唤醒单元包括有MOS管和用于控制MOS管导通的三极管，该MOS管的D极连接MCU芯片的唤醒端口，该MOS管的S极接地，该MOS管的G极接连接三极管的C极，该三极管的E极连接电源端，该三极管的B极连接第一电阻及第一电容后接地，该第一电阻连接开关功能AD值识别单元，并由该开关功能AD值识别单元中的按键按下与否以控制三极管是否导通，该第一电阻及开关功能AD值识别单元连接MCU芯片的AD值识别端口；所述开关功能AD值识别单元包括有多个相互并联连接的AD值识别电路，每个AD值识别电路均接地，且该AD值识别电路连接第二电阻后连接所述第一电阻及AD值识别端口。进一步而言，上述技术方案中，所述每个AD值识别电路均包括有一个按键及与该按键连接的分压电阻，且每个AD值识别电路中分压电阻的阻值均不相同，该按键还接地，该分压电阻连接第二电阻后连接所述第一电阻及AD值识别端口。进一步而言，上述技术方案中，所述MOS管的型号为2N7002W-7-F，该MOS管的G极与S极之间还连接有电阻R11。进一步而言，上述技术方案中，所述MOS管的G极与S极之间还连接有电容C72。进一步而言，上述技术方案中，所述三极管的E极和B极之间设置有电阻R114和电容C84。进一步而言，上述技术方案中，所述唤醒端口还连接电容C71后接地。进一步而言，上述技术方案中，所述AD值识别端口还连接电阻R96和电容C71后接地，且该电阻R96还连接所述第一电阻和第二电阻。采用上述技术方案后，本技术与现有技术相比较具有如下有益效果：本技术工作原理：在关机阶段，MCU芯片处于睡眠状况，节约耗电。当按下开关功能AD值识别单元中的任意一个按键时，三极管的B极电压被拉低，使三极管导通，此时，该MOS管也导通，该MCU芯片的唤醒端口会有下降沿，从而唤醒MCU芯片，达到唤醒功能；由于开关功能AD值识别单元包括有多个相互并联连接的AD值识别电路，每个AD值识别电路的按键内按下后，其都会是使加到AD值识别端口的电压不同，从而使MCU芯片识别不同的模式，功能切换也很方便，且电路布局简单，使用起来极为方便，令本技术具有极强的市场竞争力。附图说明：图1是本技术的电路图。具体实施方式：下面结合具体实施例和附图对本技术进一步说明。见图1所示，为一种多开关唤醒和触发开关电路，其特征在于：其包括唤醒单元1和开关功能AD值识别单元2，该唤醒单元1包括有MOS管11和用于控制MOS管11导通的三极管12，该MOS管11的D极连接MCU芯片的唤醒端口3，该MOS管11的S极接地，该MOS管11的G极接连接三极管12的C极，该三极管12的E极连接电源端4，该三极管12的B极连接第一电阻121及第一电容122后接地，该第一电阻121连接开关功能AD值识别单元2，并由该开关功能AD值识别单元2中的按键211按下与否以控制三极管12是否导通，该第一电阻121及开关功能AD值识别单元2连接MCU芯片的AD值识别端口5；所述开关功能AD值识别单元2包括有多个相互并联连接的AD值识别电路21，每个AD值识别电路21均接地，且该AD值识别电路21连接第二电阻20后连接所述第一电阻121及AD值识别端口5。本技术工作原理：在关机阶段，MCU芯片处于睡眠状况，节约耗电。当按下开关功能AD值识别单元2中的任意一个按键211时，三极管12的B极电压被拉低，使三极管12导通，此时，该MOS管11也导通，该MCU芯片的唤醒端口3会有下降沿，从而唤醒MCU芯片，达到唤醒功能；由于开关功能AD值识别单元2包括有多个相互并联连接的AD值识别电路21，每个AD值识别电路21的按键211内按下后，其都会是使加到AD值识别端口5的电压不同，从而使MCU芯片识别不同的模式，功能切换也很方便，且电路布局简单，使用起来极为方便，令本技术具有极强的市场竞争力。所述每个AD值识别电路21均包括有一个按键211及与该按键211连接的分压电阻212，且每个AD值识别电路中分压电阻212的阻值均不相同，该按键211还接地，该分压电阻212连接第二电阻20后连接所述第一电阻121及AD值识别端口5。由于每个AD值识别电路中分压电阻212的阻值均不相同，以致使每个AD值识别电路中按键211被按下后，其都会是使加到AD值识别端口5的电压不同，从而使MCU芯片识别不同的模式，功能切换也很方便，且电路布局简单，使用起来极为方便，令本技术具有极强的市场竞争力。所述MOS管11的型号为2N7002W-7-F，该MOS管11的G极与S极之间还连接有电阻R11。所述MOS管11的G极与S极之间还连接有电容C72。所述三极管12的E极和B极之间设置有电阻R114和电容C84。所述唤醒端口3还连接电容C71后接地。所述AD值识别端口5还连接电阻R96和电容C71后接地，且该电阻R96还连接所述第一电阻121和第二电阻20。综上所述，本技术工作原理：在关机阶段，MCU芯片处于睡眠状况，节约耗电。当按下开关功能AD值识别单元2中的任意一个按键211时，三极管12的B极电压被拉低，使三极管12导通，此时，该MOS管11也导通，该MCU芯片的唤醒端口3会有下降沿，从而唤醒MCU芯片，达到唤醒功能；由于开关功能AD值识别单元2包括有多个相互并联连接的AD值识别电路21，每个AD值识别电路21的按键211内按下后，其都会是使加到AD值识别端口5的电压不同，从而使MCU芯片识别不同的模式，功能切换也很方便，且电路布局简单，使用起来极为方便，令本技术具有极强的市场竞争力。当然，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并非来限制本技术实施范围，凡依本技术申请专利范围所述构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括于本技术申请专利范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多开关唤醒和触发开关电路，其特征在于：其包括唤醒单元(1)和开关功能AD值识别单元(2)，该唤醒单元(1)包括有MOS管(11)和用于控制MOS管(11)导通的三极管(12)，该MOS管(11)的D极连接MCU芯片的唤醒端口(3)，该MOS管(11)的S极接地，该MOS管(11)的G极连接三极管(12)的C极，该三极管(12)的E极连接电源端(4)，该三极管(12)的B极连接第一电阻(121)及第一电容(122)后接地，该第一电阻(121)连接开关功能AD值识别单元(2)，并由该开关功能AD值识别单元(2)中的按键(211)按下与否以控制三极管(12)是否导通，该第一电阻(121)及开关功能AD值识别单元(2)连接MCU芯片的AD值识别端口(5)；所述开关功能AD值识别单元(2)包括有多个相互并联连接的AD值识别电路(21)，每个AD值识别电路(21)均接地，且该AD值识别电路(21)连接第二电阻(20)后连接所述第一电阻(121)及AD值识别端口(5)。/n

【技术特征摘要】
1.多开关唤醒和触发开关电路，其特征在于：其包括唤醒单元(1)和开关功能AD值识别单元(2)，该唤醒单元(1)包括有MOS管(11)和用于控制MOS管(11)导通的三极管(12)，该MOS管(11)的D极连接MCU芯片的唤醒端口(3)，该MOS管(11)的S极接地，该MOS管(11)的G极连接三极管(12)的C极，该三极管(12)的E极连接电源端(4)，该三极管(12)的B极连接第一电阻(121)及第一电容(122)后接地，该第一电阻(121)连接开关功能AD值识别单元(2)，并由该开关功能AD值识别单元(2)中的按键(211)按下与否以控制三极管(12)是否导通，该第一电阻(121)及开关功能AD值识别单元(2)连接MCU芯片的AD值识别端口(5)；所述开关功能AD值识别单元(2)包括有多个相互并联连接的AD值识别电路(21)，每个AD值识别电路(21)均接地，且该AD值识别电路(21)连接第二电阻(20)后连接所述第一电阻(121)及AD值识别端口(5)。


2.根据权利要求1所述的多开关唤醒和触发开关电路，其特征在于：所述每个AD值识别电路(21)均包括有一个按键(211)及与该按键(211)连接的分压...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晚雄，陈洁婷，瞿祥龙，
申请(专利权)人：东莞启益电器机械有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44