硅多条探测器信号引出装置制造方法及图纸

技术编号:2658080 阅读:234 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术主要涉及一种核辐射探测器的结构,尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器的信号引出装置的结构。一种硅多条探测器信号引出装置,包括有在电路板(1)上设有多个独立的正电极(4)及负电极(2),其主要特点是还包括有在电路板(1)设有镂空的窗口(3),硅多条探测器(5)设于窗口(3)之上,芯片(5)的正输出端连线与正电极(4)连接;硅多条探测器(5)的背面负输出端通过导电橡胶(6)与负电极(2)相联。本实用新型专利技术的有益效果是设计合理,信号引出可靠,损失小,具有优良的电特性和探测特性。(*该技术在2014年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及一种核辐射探测器的结构,尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器的信号引出装置的结构。
技术介绍
探测器对于高能物理和核物理都非常重要。在核反应中,为了得到核-核碰撞过程及其动力学信息,必须知道出射粒子的角分布或者出射粒子的角关联。为此核反应产物的能量及位置(角分布)的测量是最重要的,例如在核反应中,弹性散射的角分布直接反映了核势的大小和角动量的贡献。上述的测量必须借助于位置灵敏探测器完成。几十年来,随着高能物理和核物理的发展,位置灵敏探测器的发展也经历了不同的发展阶段,采用不同的工艺、技术来制备。已有多种探测器来实现核反应产物的能量和位置(角分布)的同时测量,就半导体Si位置灵敏探测器而言,曾采用面垒,扩散及离子注入等技术制备。如Au-Si面垒探测器,表面漏电流很大,其反向漏电流主要由表面漏电流决定,为此其反向漏电流也很大,所以噪声大,能量分辨率差,长期稳定性不好,不适于高温。此前的离子注入电阻分布式位置灵敏探测器,虽能得到好的位置分辨,但其能量分辨很差,差4~5倍。且不能实现有数个探测器同时测量。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种硅多条探测器信号引出装置。本技术的目的可以通过采用以下技术方案来实现一种硅多条探测器信号引出装置,包括有在电路板(1)上设有多个独立的正电极(4)及负电极(2),其主要特点是还包括有在电路板(1)设有镂空的窗口(3),硅多条探测器(5)设于窗口(3)之上,芯片(5)的正输出端连线与正电极(4)连接;硅多条探测器(5)的背面负输出端通过导电橡胶(6)与负电极(2)相联。所述的硅多条探测器(5)的每一条硅为一个探测器。所述的硅多条探测器信号引出装置的多个独立的正电极(4)与硅多条探测器的数目相同,为1-40条。所述的硅多条探测器装置在正电极(4)上设有前置放大器。本技术的有益效果是设计合理,信号引出可靠,损失小,具有优良的电特性和探测特性。附图说明以下结合附图所示之最佳实施例作进一步详述图1为本技术实施例的结构示意图。具体实施方式见图1,一种硅多条探测器信号引出装置,在电路板1上设有多个独立的正电极4及负电极2,在电路板1设有镂空的窗口3,硅多条探测器5设于窗口3之上,芯片5的正输出端连线与正电极4连接;硅多条探测器5的背面负输出端通过导电橡胶6与负电极2相联。所述的硅多条探测器5的每一条硅为一个独立的探测器。独立的正电极4与硅多条探测器的数目相同,为16条。权利要求1.一种硅多条探测器信号引出装置,包括有在电路板(1)上设有多个独立的正电极(4)及负电极(2),其特征是还包括有在电路板(1)设有镂空的窗口(3),硅多条探测器(5)设于窗口(3)之上,芯片(5)的正输出端连线与正电极(4)连接;硅多条探测器(5)的背面负输出端通过导电橡胶(6)与负电极(2)相联。2.如权利要求1所述的硅多条探测器信号引出装置,其特征是所述的硅多条探测器(5)的每一条硅为一个探测器。3.如权利要求1所述的硅多条探测器信号引出装置,其特征是所述的多个独立的正电极(4)与硅多条探测器的数目相同,为1-40条。4.如权利要求1所述的硅多条探测器信号引出装置,其特征是还包括有在正电极(4)上设有前置放大器。专利摘要本技术主要涉及一种核辐射探测器的结构,尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器的信号引出装置的结构。一种硅多条探测器信号引出装置,包括有在电路板(1)上设有多个独立的正电极(4)及负电极(2),其主要特点是还包括有在电路板(1)设有镂空的窗口(3),硅多条探测器(5)设于窗口(3)之上,芯片(5)的正输出端连线与正电极(4)连接;硅多条探测器(5)的背面负输出端通过导电橡胶(6)与负电极(2)相联。本技术的有益效果是设计合理,信号引出可靠,损失小,具有优良的电特性和探测特性。文档编号G01T1/00GK2793749SQ20042008621公开日2006年7月5日 申请日期2004年11月11日 优先权日2004年11月11日专利技术者谭继廉, 靳根明, 田大宇, 宁宝俊, 王小兵, 王宏伟, 段利敏, 袁小华, 李松林, 卢子伟, 马连荣, 徐瑚珊 申请人:中国科学院近代物理研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅多条探测器信号引出装置,包括有在电路板(1)上设有多个独立的正电极(4)及负电极(2),其特征是还包括有在电路板(1)设有镂空的窗口(3),硅多条探测器(5)设于窗口(3)之上,芯片(5)的正输出端连线与正电极(4)连接;硅多条探测器(5)的背面负输出端通过导电橡胶(6)与负电极(2)相联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:谭继廉靳根明田大宇宁宝俊王小兵王宏伟段利敏袁小华李松林卢子伟马连荣徐瑚珊
申请(专利权)人:中国科学院近代物理研究所
类型:实用新型
国别省市:62[中国|甘肃]

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