基板处理装置及利用此的基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置及利用此的基板处理方法，更详细地说，涉及利用等离子体在基板表面执行基板处理的基板处理装置及利用此的基板处理方法。本发明专利技术还公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)、气体喷射部(200)及基板支撑部(300)，所述工艺腔室(100)形成密封的处理空间(S)，所述气体喷射部(200)设置在所述工艺腔室(100)上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室(100)内部的腔室清扫气体(CCG)，所述基板支撑部(300)设置在所述工艺腔室(100)并且安装有一个以上的基板(10)。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及利用此的基板处理方法
本专利技术涉及基板处理装置及利用此的基板处理方法，更详细地说，涉及利用等离子体在基板表面执行基板处理的基板处理装置及利用此的基板处理方法。
技术介绍
基板处理装置包括形成密封的内部空间的真空腔室和设置在真空腔室内并安装有基板的基板支撑部，是在内部空间注入处理气体的同时施加电源来蚀刻或者沉积基板表面的装置。由所述基板处理装置处理的基板有半导体用晶片、LCD面板用玻璃基板、太阳能电池用基板等。但是，因为在基板处理过程中在基板上面沉积的薄膜层数增加以及向基板施加高热，按照基板上面的区域施加的压力可有所不同，结果可出现在基板支撑部的安装面安装的基板的边缘位置向上侧抬起的翘曲(warpage)现象。因为基板在基板支撑部上翘曲，在等离子体工艺中在基板和基板支撑部之间形成的空间出现电弧(Arc)，降低薄膜厚度的均匀度(THKuniformity)，因此出现降低基板质量及生产力的问题。即使在基板上面累积执行基板处理，也适用静电夹盘，利用静电力夹住已安装的基板，以防止基板的翘曲现象，但是若使用静电夹盘，则在基板未安装在静电夹盘的时间(诸如，交换基板的时间)可通过残留于真空腔室内部的残留气体可在静电夹盘的安装面形成薄膜，据此弱化针对的基板的夹持力，存在无法避免基板翘曲现象的问题。
技术实现思路
(要解决的问题)为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于提供一种基板处理装置及利用此的基板处理方法，对利用静电力夹持基板的基板支撑部的上面执行清扫，进而可防止因为形成在基板支撑部上面的薄膜而降低夹持力导致基板翘曲。(解决问题的手段)本专利技术是为了达到如上所述的本专利技术的目的而提出的，公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室100、气体喷射部200及基板支撑部300，所述工艺腔室100形成密封的处理空间S，所述气体喷射部200设置在所述工艺腔室100上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室100内部的腔室清扫气体CCG，所述基板支撑部300设置在所述工艺腔室100并且安装有一个以上的基板10，其特征在于，所述基板支撑部300包括：基座部310，在上面安装基板10；多个凸出部320，凸出形成在所述基座部310上面来支撑基板10；气体流道部330，贯通所述基座部310，以与所述基座部310上面和被所述多个凸出部320支撑的基板10之间的空间连通；表面清扫气体供应部，连接于所述气体流道部330，以用于通过所述气体流道部330供应表面清扫气体SCG，以使表面清扫气体SCG流动于所述多个凸出部320之间；所述基板处理装置包括控制部，所述控制部进行控制以在主清扫工艺之间通过所述气体流道部330供应所述表面清扫气体SCG，所述主清扫工艺是利用所述腔室清扫气体CCG清扫所述工艺腔室100内部。所述基板支撑部300可以是在所述基座部310安装电极以通过静电力夹持基板10的静电夹盘。所述基板支撑部300还可包括凹槽340，所述凹槽340形成在所述基座部310上面，以通过所述基座部310的上面和被所述凸出部320支撑的基板10之间的空间扩散通过所述气体流道部330供应的吹扫气体PG及表面清扫气体CCG的中的至少一种气体。所述基板支撑部300还可包括坝部350，所述坝部350沿着所述基座部310的上面边缘周围形成相同或者高于所述凸出部320的高度。在所述基座部310的上面可形成与所述气体流道部330连通的多个气孔312。所述气体流道部330可从所述基板支撑部300内部分支，以分别与所述多个气孔312连通。所述基板支撑部300还可包括吹扫气体供应部，所述吹扫气体供应部连接于所述气体流道部330，用于通过所述气体流道部330供应吹扫气体PG，以使吹扫气体PG流动于所述多个凸出部320之间。所述控制部可进行控制，以在基板处理工艺中通过所述气体流道部330持续供应所述吹扫气体PG。所述基板处理装置还可包括翘曲感应部，用于感应被所述基板支撑部300夹持的基板10的翘曲(warpage)程度。所述控制部可进行控制，在所述翘曲程度在已设定的基准以上的情况下，通过所述气体流道部330供应所述表面清扫气体CCG。在另一方面，本专利技术公开了一种基板处理方法，由基板处理装置执行，所述基板处理装置包括工艺腔室100、气体喷射部200及基板支撑部300，所述工艺腔室100形成密封的处理空间S，所述气体喷射部200设置在所述工艺腔室100上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室100内部的腔室清扫气体CCG，所述基板支撑部300设置在所述工艺腔室100并且安装有一个以上的基板10，所述基板处理方法可包括：主清扫步骤，在多次执行所述基板处理之后，间隔地反复执行，以通过所述气体喷射部200供应腔室清扫气体CCG以清扫所述工艺腔室100的整个内部；基板支撑部清扫步骤，通过所述基板支撑部300向所述基板支撑部300和被所述基板支撑部300支撑的基板10之间的空间供应表面清扫气体SCG以清扫所述基板支撑部300。所述基板支撑部清扫步骤可在所述主清扫步骤之间执行或者可与所述主清扫步骤一同执行。所述基板支撑部清扫步骤可在导入所述工艺腔室100被所述基板支撑部300夹持的基板10的翘曲(warpage)程度在提前设定的基准以上的情况下执行。所述基板支撑部清扫步骤可包括：虚拟基板导入步骤，向所述工艺腔室100导入虚拟基板；虚拟基板夹持步骤，在所述基板支撑部300夹持所述虚拟基板；清扫气体供应步骤，向所述基板支撑部300上面和所述虚拟基板之间的空间供应表面清扫气体SCG。所述清扫气体供应步骤可将惰性的吹扫气体PG和所述表面清扫气体SCG一同供应到所述基板支撑部300的上面和所述虚拟基板之间的空间。(专利技术的效果)本专利技术的基板处理装置及利用此的基板处理方法对利用静电力夹持基板的基板支撑部上面执行清扫，进而具有可防止因为形成在基板支撑部上面的薄膜而降低夹持力导致基板翘曲的优点。更详细地说，本专利技术通过形成在基板支撑部内部的气体流道部向基板支撑部的上面和基板之间供应表面清扫气体，进而可有效去除在基板支撑部上面沉积的薄膜，因此具有将基板支撑部对基板的夹持力保持在预定水准以上的优点。另外，本专利技术在工艺腔室的主清扫步骤之间还执行对基板支撑部表面的基板支撑部清扫步骤，进而可将执行主清扫步骤的清扫周期最大限度地利用，因此具有可提高基板处理装置的产量的优点。另外，本专利技术可将气体流道部及气孔直接灵活利用于表面清扫气体的供应，所述气体流道部及气孔通过基板支撑部将吹扫气体供应于基板支撑部的上面和基板之间，以防止在基板处理时在基板底面执行基板处理，因此具有无需改变现有的设备可得到对基板支撑部的清扫效果的优点。附图说明图1是示出本专利技术的一实施例的基板处理装置的剖面图。图2是扩大示出图1的基板处理装置的基板支撑部的平面图。图3是图2的A-A方向的剖面图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)、气体喷射部(200)及基板支撑部(300)，所述工艺腔室(100)形成密封的处理空间(S)，所述气体喷射部(200)设置在所述工艺腔室(100)上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室(100)内部的腔室清扫气体(CCG)，所述基板支撑部(300)设置在所述工艺腔室(100)并且安装有一个以上的基板(10)，其特征在于，/n所述基板支撑部(300)包括：基座部(310)，在上面安装基板(10)；多个凸出部(320)，凸出形成在所述基座部(310)上面来支撑基板(10)；气体流道部(330)，贯通所述基座部(310)，以与所述基座部(310)上面和被所述多个凸出部(320)支撑的基板(10)之间的空间连通；表面清扫气体供应部，连接于所述气体流道部(330)，以用于通过所述气体流道部(330)供应表面清扫气体(SCG)，以使表面清扫气体(SCG)流动于所述多个凸出部(320)之间；/n所述基板处理装置包括控制部，所述控制部进行控制以在主清扫工艺之间通过所述气体流道部(330)供应所述表面清扫气体(SCG)，所述主清扫工艺是利用所述腔室清扫气体(CCG)清扫所述工艺腔室(100)内部。/n...

【技术特征摘要】
20190529 KR 10-2019-00633811.一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)、气体喷射部(200)及基板支撑部(300)，所述工艺腔室(100)形成密封的处理空间(S)，所述气体喷射部(200)设置在所述工艺腔室(100)上侧并喷射用于基板处理的工艺气体及用于清扫所述工艺腔室(100)内部的腔室清扫气体(CCG)，所述基板支撑部(300)设置在所述工艺腔室(100)并且安装有一个以上的基板(10)，其特征在于，
所述基板支撑部(300)包括：基座部(310)，在上面安装基板(10)；多个凸出部(320)，凸出形成在所述基座部(310)上面来支撑基板(10)；气体流道部(330)，贯通所述基座部(310)，以与所述基座部(310)上面和被所述多个凸出部(320)支撑的基板(10)之间的空间连通；表面清扫气体供应部，连接于所述气体流道部(330)，以用于通过所述气体流道部(330)供应表面清扫气体(SCG)，以使表面清扫气体(SCG)流动于所述多个凸出部(320)之间；
所述基板处理装置包括控制部，所述控制部进行控制以在主清扫工艺之间通过所述气体流道部(330)供应所述表面清扫气体(SCG)，所述主清扫工艺是利用所述腔室清扫气体(CCG)清扫所述工艺腔室(100)内部。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支撑部(300)是在所述基座部(310)安装电极以通过静电力夹持基板(10)的静电夹盘。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支撑部(300)还包括：
凹槽(340)，形成在所述基座部(310)上面，以通过所述基座部(310)的上面和被所述凸出部(320)支撑的基板(10)之间的空间扩散通过所述气体流道部(330)供应的吹扫气体(PG)及表面清扫气体(CCG)的中的至少一种气体。


4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支撑部(300)还包括坝部(350)，所述坝部(350)沿着所述基座部(310)的上面边缘周围形成相同或者高于所述凸出部(320)的高度。


5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基座部(310)的上面形成与所述气体流道部(330)连通的多个气孔(312)；
所述气体流道部(330)从所述基板支撑部(300)内部分支，以分别与所述多个气孔(312)连通。


6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板支撑部(300)还包括吹扫...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔大俊，李寅宰，金泰学，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR