有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置制造方法及图纸

技术编号:26525997 阅读:20 留言:0更新日期:2020-12-01 13:55
公开了由式I表示的新有机电致发光化合物。采用所述有机电致发光化合物作为用于有机电致发光装置的至少一个有机层例如发光层、空穴传输层、电子传输层、电子阻挡层和/或覆盖层的材料,实现了装置的优异发光特性(包括高的发光效率和量子效率)。还公开了包含所述有机电致发光化合物的有机电致发光装置。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置
本专利技术涉及有机电致发光化合物,并且更具体地涉及用作用于有机电致发光装置的至少一个有机层例如发光层、空穴传输层、电子传输层、电子阻挡层和/或覆盖层的材料的有机电致发光化合物。本专利技术还涉及采用所述有机电致发光化合物的有机电致发光装置,实现了大大改善的发光特性例如高的发光效率和量子效率。
技术介绍
即使在透明基底上也可以制造有机电致发光装置。此外,与等离子体显示面板和无机电致发光(EL)显示器相比,有机电致发光装置可以在10V或更低的低电压下以相对低的功耗驱动并且具有良好的颜色表现。有机电致发光装置可以显示三种颜色:绿色、蓝色和红色。由于这些优点,有机电致发光装置作为下一代显示装置已成为备受关注的主题。用于有机层的材料的稳定性和效率是制造具有上述优异特性的有机电致发光装置的先决条件。即,为了有机电致发光装置的上述优异特性,有机电致发光装置应由稳定且有效的有机层材料(例如,空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、和电子注入材料)支撑。然而,用于有机电致发光装置的稳定且有效的有机层材料仍处于开发的早期阶段。因此,为了良好的稳定性、高效率、长寿命和大尺寸的有机电致发光装置,需要在效率和寿命特性方面进一步改善。特别地,强烈需要开发用于有机电致发光装置的有机层的新材料。在这一方面,最近已经进行了相当大的研究努力以改善用于有机电致发光装置的构成层(特别地,空穴传输层)的有机材料的迁移率。已经有许多研究旨在通过改变有机层材料的性能来改善有机电致发光装置的特性。此外,用于通过优化阳极与阴极之间的层的光学厚度来改善色纯度和增强装置的发光效率的技术被认为是用于改善装置性能的关键因素。例如,在电极上形成覆盖层实现了增加的发光效率和高的色纯度。
技术实现思路
本专利技术旨在提供用作用于有机电致发光装置的至少一个有机层的材料的新有机电致发光化合物以及包含所述有机电致发光化合物的有机电致发光装置,实现了装置的优异发光特性(包括高的发光效率和量子效率)。本专利技术的一个方面提供了由式I表示的有机电致发光化合物:下面描述式I的结构特征,并且式I中的X1、X2、Y、R1至R8、L和Ar如以下所限定。使用根据本专利技术的有机电致发光化合物作为用于有机电致发光装置的至少一个有机层(例如发光层、空穴传输层、电子传输层、电子阻挡层和/或覆盖层)的材料确保了装置的优异发光特性(例如高的发光效率和量子效率)。因此,本专利技术的有机电致发光化合物适合用于各种显示装置。附图说明结合附图,本专利技术的这些和/或其他方面和优点将从实施方案的以下描述中变得明显并且更容易理解,在附图中:图1示出了根据本专利技术的有机电致发光化合物的结构式。具体实施方式现在将更详细地描述本专利技术。本专利技术涉及由式I表示的具有优异的发光特性(例如高的发光效率和量子效率)的有机电致发光化合物:其中X1和X2各自独立地为O、S或NR9,Y为单键、O、S、CR10R11或NR12,R9至R12各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基、与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C6至C30芳基、和与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C3至C30杂芳基,R1至R8各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基、与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C6至C30芳基、和与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C3至C30杂芳基,条件是R1至R8任选地彼此键合或者与一个或更多个相邻取代基连接而形成碳原子任选地经选自氮(N)原子、硫(S)原子和氧(O)原子的一个或更多个杂原子取代的至少一个脂环族或芳族的单环或多环,L为单键或者选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基和经取代或未经取代的C3至C30亚杂芳基,n为0至3的整数,Ar选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基、经取代或未经取代的芴基、与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C6至C30芳基、和与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C3至C30杂芳基,以及m为1至3的整数。R1至R12、L和Ar的定义中的术语“经取代”表示经选自氢、氘、卤素基团、氰基、硝基、羟基、甲硅烷基、烷基、环烷基、烷氧基、烯基、芳基、杂环基及其组合的一个或更多个取代基取代。相同定义中的术语“未经取代的”表示不具有取代基。具体地,经取代的亚芳基可以为例如经一个或更多个其他取代基取代的苯基、联苯基、萘基、芴基、芘基、菲基、苝基、并四苯基和蒽基。经取代的亚杂芳基为经一个或更多个其他取代基取代的吡啶基、噻吩基、三嗪基、喹啉基、菲咯啉基、咪唑基、噻唑基、唑基、咔唑基、和它们的稠合杂环基(例如,苯并喹啉基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、二苯并噻吩基和二苯并呋喃基)。下面具体例举以上取代基而没有限制。烷基可以为直链的或支化的。烷基中的碳原子数没有特别限制,但优选为1至20。烷基的具体实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、和5-甲基己基。烷氧基可以为直链的或支化的。烷氧基中的碳原子数没有特别限制,但优选为1至20,只要避免空间位阻即可。烷氧基的具体实例包括但不限于甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基(isopropoxy)、异丙基氧基(i-propyloxy)、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基和对甲基苄氧基。芳基可以为单环的或多环的。芳基中的碳原子数没有特别限制,但优选为6至30。单环芳基的实例包括苯基、联苯基、三联苯基和茋基,但本专利技术的范围不限于此。多环芳基的实例包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、并四苯基、基、芴基、苊基(acenaphathcenyl)、三亚苯基和荧蒽基,但本专利技术的范围不限于此。杂芳基是指包含选自O、N和S中的一个或更多个杂原子的杂环基。杂芳基中的碳原子数优选为2至30。杂芳基的具本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种由式I表示的有机电致发光化合物:/n

【技术特征摘要】
20190529 KR 10-2019-00632981.一种由式I表示的有机电致发光化合物:



其中X1和X2各自独立地为O、S或NR9,Y为单键、O、S、CR10R11或NR12,R9至R12各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基、与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C6至C30芳基、和与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C3至C30杂芳基,R1至R8各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基、与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C6至C30芳基、和与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C3至C30杂芳基,条件是R1至R8任选地彼此键合或者与一个或更多个相邻取代基连接而形成碳原子任选地经选自氮(N)原子、硫(S)原子和氧(O)原子的一个或更多个杂原子取代的至少一个脂环族或芳族的单环或多环,L为单键或者选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基和经取代或未经取代的C3至C30亚杂芳基,n为0至3的整数,Ar选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基、经取代或未经取代的芴基、与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C6至C30芳基、和与一个或更多个经取代或未经取代的C3至C20环烷基稠合的经取代或未经取代的C3至C30杂芳基,以及m为1至3的整数。


2.根据权利要求1所述的有机电致发光化合物,其中R1至R12、L和Ar的定义中的“经取代”表示经选自氘、卤素基团、氰基、硝基、羟基、甲硅烷基、烷基、环烷基、烷氧基、烯基、芳基、和杂环基、或者这些取代基中的两者或更多者的组合的一个或更多个取代基取代,以及相同定义中的“未经取代的”表示不具有取代基。


3.根据权利要求1所述的有机电...

【专利技术属性】
技术研发人员:玄瑞镕尹石根
申请(专利权)人:株式会社PHTECH
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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