一种PON型激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PON型激光器，包括管座和管帽，所述管帽呈类圆柱状并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽和所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且所述基座与所述管帽的下方连接，所述基座与所述管脚固定连接；激光二极管和探测器，所述激光二极管和所述探测器均位于所述管座和所述管帽之间。本实用新型专利技术公开的一种PON型激光器，其可以适用于10G的光模块，其具有10G速率传输、高稳定性、低阈值电流等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种PON型激光器
本技术属于激光器
，具体涉及一种PON(PssiveOpticalNetwork，无源光网络)型激光器。
技术介绍
光模块从2.5G升级到10G,除了需要10GPON探测器，还需10GPON激光器。公开号为：CN107508128A，主题名称为一种热调谐TWDM-PON激光器及其制造方法的专利技术专利，其技术方案公开了“包括衬底(101)、缓冲层(102)、下限制层(103)、多量子阱层(104)、上限制层(106)、光栅层(107)和欧姆接触层(108)，其特征在于，所述多量子阱层(104)和上限制层(106)之间设置有腐蚀停止层(105)，在所述腐蚀停止层(105)之上腐蚀有台型脊波导(211)结构，在激光器中还包括：脊波导沟道中沉积有介质膜(212)，在所述介质膜(212)上制作有金属电阻条(213)，并且，所述金属电阻条(213)通过制作在所述脊波导沟道中的金属电极(214)供电”；公开号为：CN110324079A，主题名称为利用互注入FP混沌激光器监测WDM-PON故障的装置及方法的专利技术专利，其技术方案公开了“包括WDM-PON光网络系统与光网络监测系统；所述WDM-PON光网络系统包括光端机OLTⅠ、馈线光纤Ⅱ、1分n路的阵列波导光栅AWGⅢ、支路光纤Ⅳ和光网络单元Ⅴ，所述光端机OLTⅠ通过馈线光纤Ⅱ与1分n路的阵列波导光栅AWGⅢ的连接，所述1分n路的阵列波导光栅AWGⅢ的n个分光口通过n根支路光纤Ⅳ与n个光网络单元Ⅴ的输入端一一对应连接；所述光网络监测系统包括控制端FP半导体激光器(1)、控制端耦合器(2)、控制端光耦合装置(3)、控制端光电探测器(4)、信号采集处理装置(5)及光耦合装置(6)；控制端FP半导体激光器(1)与控制端耦合器(2)连接；控制端耦合器(2)的大比例输出端与控制端光耦合装置(3)的输入端连接，控制端耦合器(2)的小比例输出端与控制端光电探测器(4)的输入端连接；控制端光耦合装置(3)安装于馈线光纤Ⅱ上；控制端光电探测器(4)的输出端与信号采集处理装置(5)的输入端连接；控制端FP半导体激光器(1)、控制端耦合器(2)、控制端光耦合装置(3)、控制端光电探测器(4)、信号采集处理装置(5)均位于光端机OLTⅠ侧；n根二级支路光纤Ⅵ上均一一对应安装有n个光耦合装置(6)，n个光耦合装置(6)一一对应位于n个光网络单元Ⅶ侧；所述光网络监测系统还包括第二级1分n路的阵列波导光栅AWG(7)和用户端FP半导体激光器(8)；每个分支的用户端FP半导体激光器(8)和控制端FP半导体激光器(1)之间的距离各不相同，相邻距离的最小差值大于探测精度，保证每一个的相关曲线都不会重叠”。以上述专利技术专利为例，其虽然提及了PON激光器，但是其技术方案与本技术的不同。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种PON型激光器，其可以适用于10G的光模块，其具有10G速率传输、高稳定性、低阈值电流等优点。为达到以上目的，本技术提供一种PON型激光器，包括：管座和管帽，所述管帽呈类圆柱状并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽和所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且所述基座与所述管帽的下方连接，所述基座与所述管脚固定连接；激光二极管和探测器，所述激光二极管和所述探测器均位于所述管座和所述管帽之间，所述探测器和所述激光二极管电性连接，所述激光二极管的输出正极与所述激光二极管的输出负极电性连接，所述探测器的输出正极与所述探测器的输出负极电性连接，所述激光二极管的输出正极与所述探测器的输出负极电性连接。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述管脚包括第一管脚、第二管脚和第三管脚，所述第一管脚、所述第二管脚和所述第三管脚均位于所述基座的下方并且均与所述基座固定连接。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述第一管脚、所述第二管脚和所述第三管脚的长度均为14mm。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述第一管脚、所述第二管脚和所述第三管脚的宽度均为0.45mm。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述管帽的高度为3.94mm。附图说明图1是本技术的PON型激光器的结构示意图。图2是本技术的PON型激光器的接线图。附图标记包括：1、地线；2、激光二极管输出正极和探测器输出正极；3、探测器输出正极；4、激光二极管输出负极；10、管帽；20、管座；21、基座；22、第一管脚；23、第二管脚；24、第三管脚；30、激光二极管；40、探测器。具体实施方式以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。本技术公开了一种PON型激光器，下面结合优选实施例，对技术的具体实施例作进一步描述。参见附图的图1，图1是本技术的PON型激光器的结构示意图，图2是本技术的PON型激光器的接线图。在本技术的实施例中，本领域技术人员注意，本技术涉及的第一管脚、第二管脚等可被视为现有技术。优选实施例。本技术公开了一种PON型激光器，包括：管座20和管帽10，所述管帽10呈类圆柱状并且所述管帽10位于所述管座20的上方，所述管帽10和所述管座20固定连接，所述管座20包括基座21和管脚，所述基座21位于所述管脚的上方并且所述基座21与所述管帽10的下方连接，所述基座21与所述管脚固定连接；激光二极管30和探测器40，所述激光二极管30和所述探测器40均位于所述管座20和所述管帽10之间，所述探测器40和所述激光二极管30电性连接，所述激光二极管30的输出正极与所述激光二极管30的输出负极电性连接，所述探测器40的输出正极与所述探测器40的输出负极电性连接，所述激光二极管30的输出正极与所述探测器40的输出负极电性连接。具体的是，所述管脚包括第一管脚22、第二管脚23和第三管脚24，所述第一管脚22、所述第二管脚23和所述第三管脚24均位于所述基座21的下方并且均与所述基座21固定连接。更具体的是，所述第一管脚22、所述第二管脚23和所述第三管脚24的长度均为14mm。进一步的是，所述第一管脚22、所述第二管脚23和所述第三管脚24的宽度均为0.45mm。更进一步的是，所述管帽10的高度为3.94mm。优选地，激光二极管正向电流的极限参数为120mA，激光二极管反向电压的极限参数为2V，探测器工作电流的极限参数为2mA，探测器反向电压的极限参数为20V，工作温度为-20℃-85℃，存储温度为-40℃-95℃。值得一提的是，本技术专利申请涉及的第一管脚、第二管脚等技术特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PON型激光器，其特征在于，包括：/n管座和管帽，所述管帽呈类圆柱状并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽和所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且所述基座与所述管帽的下方连接，所述基座与所述管脚固定连接；/n激光二极管和探测器，所述激光二极管和所述探测器均位于所述管座和所述管帽之间，所述探测器和所述激光二极管电性连接，所述激光二极管的输出正极与所述激光二极管的输出负极电性连接，所述探测器的输出正极与所述探测器的输出负极电性连接，所述激光二极管的输出正极与所述探测器的输出负极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种PON型激光器，其特征在于，包括：
管座和管帽，所述管帽呈类圆柱状并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽和所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且所述基座与所述管帽的下方连接，所述基座与所述管脚固定连接；
激光二极管和探测器，所述激光二极管和所述探测器均位于所述管座和所述管帽之间，所述探测器和所述激光二极管电性连接，所述激光二极管的输出正极与所述激光二极管的输出负极电性连接，所述探测器的输出正极与所述探测器的输出负极电性连接，所述激光二极管的输出正极与所述探测器的输出负极电性连接。


2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐欢，
申请(专利权)人：浙江矽感锐芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33