集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法技术

本发明专利技术公开了集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法。一种集成电路设计方法包含：(a)接收至少一第一筛选参数；(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元(cell)延迟量信息，该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量；以及(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。

【技术实现步骤摘要】
集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法
本专利技术涉及IC设计数据库产生方法以及IC设计方法，特别涉及可提供单元延迟量信息的IC设计数据库产生方法以及IC设计方法。
技术介绍
现有的IC(集成电路，IntegratedCircuit)设计流程其整个流程需耗费相当长的时间。然而，IC中的单元(cell)对信号的延迟量可能会在不同情况下具有不同的值，但现有的IC设计流程所使用的数据库仅记录各单元于特定应用条件下的延迟信息，其数据量有限，未必能从设计流程所使用的数据库中得到想要的参数变化结果。因此，必须等IC制造完成才可对其进行测试来判断单元在一电压范围内的延迟量是否在所需范围。若最后生产出来的IC的单元不符合要求，则必须再重新设计IC，也就是必须再重新执行一次所有的IC设计流程，对相关工作人员是相当大的负担。
技术实现思路
因此，本专利技术一目的为提供一种IC设计数据库产生方法，此数据库包含单元的延迟量信息。本专利技术另一目的为提供一种IC设计数据库产生方法，此数据库包含单元的延迟量信息，让用户可根据单元的延迟量信息进行IC设计。本专利技术一实施例揭露了一种IC设计数据库产生方法，包含：接收一条件参数，该条件参数包含一工艺参数以及一运行参数区间，该运行参数区间包含至少一运行参数；以及根据该工艺参数以及该运行参数区间来对至少一单元进行测试以产生一延迟量数据库；其中该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的该运行参数区间的多个延迟量。本专利技术另一实施例揭露了一种IC设计方法，包含：(a)接收至少一第一筛选参数；(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元(cell)延迟量信息，该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量；以及(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。根据前述实施例，本专利技术可产生包含在一运行参数范围内的单元延迟量信息的延迟量数据库，以及根据延迟量数据库来执行的IC设计方法，因此可改善现有技术中一数据库仅包含对应单一运行参数的单元延迟量信息的问题，以及必须要等到IC制造完才可测得在一运行参数范围内的单元延迟量变化的问题。附图说明图1示出了根据本专利技术一实施例的IC设计流程的示意图。图2示出了根据本专利技术一实施例的IC设计数据库产生方法的流程图。图3示出了图2中所示的运行参数区间其中一例的示意图。图4示出了根据本专利技术一实施例的IC设计方法的流程图。图5示出了图4中步骤405其中一例的示意图。图6示出了根据第二筛选参数来筛选单元的一例子的示意图。图7示出了显示共同单元的一例子的示意图。图8示出了可执行本专利技术所提供的IC设计数据库产生方法以及IC设计方法的电子装置的方框图。具体实施方式以下将以多个实施例来说明本案的技术精神。还请注意，以下所述的各个实施例可通过硬件实施(例如电路或装置)，也可通过固件实施(例如处理器中安装至少一程序)。图1示出了根据本专利技术一实施例的IC设计流程的示意图。如图1所示，IC设计流程100包含RTL编码101、合成(synthesis)103、验证105(例如statictiminganalysis，STA)以及布局107等步骤。对于RTL编码101，使用硬件描述语言(例如VHDL、Verilog)将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL(缓存器传输级)代码。对于合成103，会将RTL代码转为描述电路的文件格式(例如netlist)。对于验证105，会验证电路的时序或功能，而对于布局107，代表后续的布局规划、实际绕线或工程修改(engineerchangeorder，ECO)等。现有的IC设计流程在进行合成103前会使用标准组件库S(standardcelllibrary)中的组件来产生描述电路的文件格式。然而，标准组件库S并未包含IC中的单元(cell)在不同环境下对信号的延迟量的信息。因此，往往要在布局107后对制造完的IC进行测量时才知道单元的延迟量不符合要求，因而产生前述必须再重新执行一次IC设计流程的问题。因此，本专利技术会先产生一延迟量数据库，其包含多个单元的延迟量和运行参数间的关系，还在进行合成103前提供另一单元筛选109步骤来根据延迟量数据库对单元进行筛选，以避免设计者使用了延迟量不符合要求的单元。如此可避免掉现有技术中必须再重新执行一次IC设计流程的问题。然而，还请注意，图1中的IC设计流程不限于包含图1中的RTL编码101、合成(synthesis)103、验证105(例如STA)以及布局107等步骤。其可能因为设计流程的不同具有不同的步骤。且单元筛选109不限于在合成103前执行，只要是根据延迟量数据库对单元进行筛选的IC设计流程均应在本专利技术所涵盖的范围内。图2示出了根据本专利技术一实施例的IC设计数据库产生方法的流程图，其用以产生前述的延迟量数据库且包含以下步骤：步骤201接收一条件参数，其包含一工艺参数(corner)以及一运行参数区间，运行参数区间包含多个运行参数。运行参数可包含以下参数其中之一：一负载参数、一输入回转率、一运行频率、一温度以及一电压。举例来说，用户可输入要分析的电压为0.7v-1.1v，且温度为-40℃。在一实施例中，工艺参数包含测试单元是属于TT，FF，SS，FS，或SF。前述TT，FF，SS，FS，或SF可视为代表单元在相对应晶圆上的位置信息的参数。单元的速度会因为其在晶圆的位置而有所不同，TT，FF，SS，FS，SF用以定义NMOS和PMOS的切换速度，其中S、T、F分别表示慢(slow)、一般(typical)、快(fast)。而TT表示NMOS为T、PMOS为T，FS表示NMOS为F、PMOS为S…依此类推。此外，SSG/FFG也是工艺参数的一种，SSG(SSglobal)的特性比SS稍接近TT；FFG(FFglobal)的特性比FF稍接近TT。然而请注意，前述的各种工艺参数仅用于举例，本方法所提出的方法可适用在所有的工艺参数。在一实施例中，条件参数包含要针对哪些单元来测试，举例来说，可指定要对哪些特定类型的单元测试，例如要对作为延迟级的单元来测试，或是对作为加法器的单元来测试。若不指定，则会针对标准组件库S中所有单元来进行测试。步骤203根据工艺参数以及运行参数区间来对至少一单元进行测试以产生延迟量数据库。延迟量数据库包含同一单元对应同一类但具有不同数值的该运行参数的多个延迟量。举例来说，延迟量数据库包含工艺参数为TT且运行电压为0.9v的作为延迟级的单元的延迟量，也包含工艺参数为TT且运行电压为1.1v的作为延迟级的单元的延迟量。在一实施例中，步骤203是根据步骤201所接收的条件参数产生仿真软件(例如HSPICE、FineSim以及Spectre)所需的资料后，以仿真软件来进行测试。前述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路设计数据库产生方法，包含：/n接收一条件参数，该条件参数包含一工艺参数以及一运行参数区间，该运行参数区间包含至少一运行参数；以及/n根据该工艺参数以及该运行参数区间来对至少一单元进行测试以产生一延迟量数据库；/n其中该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的该运行参数区间的多个延迟量。/n

【技术特征摘要】
20190507 TW 1081156481.一种集成电路设计数据库产生方法，包含：
接收一条件参数，该条件参数包含一工艺参数以及一运行参数区间，该运行参数区间包含至少一运行参数；以及
根据该工艺参数以及该运行参数区间来对至少一单元进行测试以产生一延迟量数据库；
其中该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的该运行参数区间的多个延迟量。


2.根据权利要求1所述的集成电路设计数据库产生方法，其中，该运行参数包含以下参数中至少一个：一负载参数、一输入回转率、一运行频率、一温度以及一电压。


3.根据权利要求2所述的集成电路设计数据库产生方法，其中，该工艺参数包含该单元在相对应晶圆上的位置信息。


4.一种集成电路设计方法，包含：
(a)接收至少一第一筛选参数；
(b)根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元延迟量信息，该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量；以及
(c)根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。


5.根据权利要求4所述的集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄思颖，余美俪，罗幼岚，高淑怡，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71