电流确定方法技术

本发明专利技术实施例提供一种电流确定方法，应用于存储设备，存储设备包括至少两个存储单元，包括：在至少两个存储单元中确定M个第一单元和N个第二单元，M个第一单元用于驱动N个第二单元执行读写操作，M和N分别为大于1的整数；确定驱动N个第二单元读写正确所需的第一单元的最小个数P，P为整数，1≤P≤M；根据最小个数P和存储单元对应的预设电流，确定存储单元的写入电流。用于降低功耗和成本，简化存储设备的电路结构，降低存储设备的芯片设计面积，适用于实际的存储设备产品中。

【技术实现步骤摘要】
电流确定方法
本专利技术实施例涉及静态随机存取存储器领域，尤其涉及一种电流确定方法。
技术介绍
静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)中包括存储单元阵列和写驱动晶体管，存储单元阵列中包括多个存储单元。其中，写驱动晶体管用于向存储单元提供电流，存储单元用于在上述电流的驱动下存储(即写入)数字“1”或者“0”。在实际应用中，需要对存储单元存储数字“1”或者“0”的正确性进行测试，从而得到驱动能力最优的驱动晶体管，进而使得该驱动能力最优的驱动晶体管可以向存储单元提供写入电流，以保障存储单元能够在写入电流的驱动下被正确地写入数字“1”或者“0”。在相关技术中，通常采用由N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)管组成的外围电路，来对存储单元存储数字“1”或者“0”的正确性进行测试，从而得到驱动能力最优的驱动晶体管，进而使得该驱动能力最优的驱动晶体管可以向存储单元提供写入电流。在上述相关技术中，通过外围电路对来对存储单元存储数字“1”或者“0”的正确性进行测试，导致功耗较大、成本高、SRAM所在的芯片的设计面积较大、不适用于实际产品中。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电流确定方法，用于降低功耗和成本，简化存储设备的电路结构，降低存储设备的芯片设计面积，适用于实际的存储设备产品中。第一方面，本专利技术实施例提供一种电流确定方法，应用于存储设备，存储设备包括至少两个存储单元，方法包括：在至少两个存储单元中确定M个第一单元和N个第二单元，M个第一单元用于驱动N个第二单元执行读写操作，M和N分别为大于1的整数；确定驱动N个第二单元读写正确所需的第一单元的最小个数P，P为整数，1≤P≤M；根据最小个数P和存储单元对应的预设电流，确定存储单元的写入电流。在一种可能的设计中，确定驱动N个第二单元读写正确所需的第一单元的最小个数P，包括：执行至少两次测试操作，第i次测试操作包括：控制Pi个第一单元驱动N个第二单元执行读写操作，得到第i次测试操作对应的读写正确率；根据至少两次测试操作对应的读写正确率，确定最小个数P。在一种可能的设计中，至少两次测试操作对应的第一驱动单元的数量依次递减。在一种可能的设计中，至少两次测试操作中存在至少一次第一测试操作，第一测试操作对应的读写正确率小于第一阈值。在一种可能的设计中，根据至少两次测试操作对应的读写正确率，确定最小个数P，包括：在至少两次测试操作中确定第二测试操作，第二测试操作为至少两次测试操作中、首次读写正确率小于第一阈值的第一测试操作；将第二测试操作的上一次测试操作中的第一单元的数量确定为最小个数P。在一种可能的设计中，根据至少两次测试操作对应的读写正确率，确定最小个数P，包括：根据至少两次测试操作对应的读写正确率，确定读写曲线；在读写曲线中确定最小个数P。在一种可能的设计中，读写曲线为二维坐标轴中的曲线，二维坐标轴中的横轴对应第i次测试操作对应的第一单元的个数，二维坐标轴中的纵轴对应第i次测试操作对应的读写正确率；第i次测试操作对应的第一单元的个数，与第i次测试操作对应的读写正确率对应。在一种可能的设计中，在读写曲线中确定最小个数P，包括：将读写曲线上读写正确率等于第一阈值时对应的第一单元的个数，确定为最小个数P；其中，最小个数P为读写正确率等于第一阈值时对应的第一单元的最小个数。在一种可能的设计中，第一单元用于写入第一值，第二单元用于写入第二值；或者，第一单元用于写入第二值，第二单元用于写入第一值。在一种可能的设计中，至少两个存储单元的个数为256，M等于16，N等于240。第二方面，本专利技术实施例提供一种电流确定装置，应用于存储设备，存储设备包括至少两个存储单元，装置包括：确定模块，其中，确定模块用于，在至少两个存储单元中确定M个第一单元和N个第二单元，M个第一单元用于驱动N个第二单元执行读写操作，M和N分别为大于1的整数；确定模块还用于，确定驱动N个第二单元读写正确所需的第一单元的最小个数P，P为整数，1≤P≤M；确定模块HIA用于，根据最小个数P和存储单元对应的预设电流，确定存储单元的写入电流。在一种可能的设计中，确定模块还具体用于：执行至少两次测试操作，第i次测试操作包括：控制Pi个第一单元驱动N个第二单元执行读写操作，得到第i次测试操作对应的读写正确率；根据至少两次测试操作对应的读写正确率，确定最小个数P。在一种可能的设计中，至少两次测试操作对应的第一驱动单元的数量依次递减。在一种可能的设计中，至少两次测试操作中存在至少一次第一测试操作，第一测试操作对应的读写正确率小于第一阈值。在一种可能的设计中，确定模块还具体用于：在至少两次测试操作中确定第二测试操作，第二测试操作为至少两次测试操作中、首次读写正确率小于第一阈值的第一测试操作；将第二测试操作的上一次测试操作中的第一单元的数量确定为最小个数P。在一种可能的设计中，确定模块还具体用于：根据至少两次测试操作对应的读写正确率，确定读写曲线；在读写曲线中确定最小个数P。在一种可能的设计中，读写曲线为二维坐标轴中的曲线，二维坐标轴中的横轴对应第i次测试操作对应的第一单元的个数，二维坐标轴中的纵轴对应第i次测试操作对应的读写正确率；第i次测试操作对应的第一单元的个数，与第i次测试操作对应的读写正确率对应。在一种可能的设计中，确定模块还具体用于：将读写曲线上读写正确率等于第一阈值时对应的第一单元的个数，确定为最小个数P；其中，最小个数P为读写正确率等于第一阈值时对应的第一单元的最小个数。在一种可能的设计中，第一单元用于写入第一值，第二单元用于写入第二值；或者，第一单元用于写入第二值，第二单元用于写入第一值。在一种可能的设计中，至少两个存储单元的个数为256，M等于16，N等于240。第三方面，本专利技术实施例提供一种存储设备，包括：存储器、处理器以及计算机程序，计算机程序存储在存储器中，处理器运行计算机程序执行如上第一方面中任一项的方法。第四方面，本专利技术实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质包括计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上第一方面中任一项的方法。本实施例提供的一种电流确定方法包括：在至少两个存储单元中确定M个第一单元和N个第二单元，M个第一单元用于驱动N个第二单元执行读写操作，M和N分别为大于1的整数；确定驱动N个第二单元读写正确所需的第一单元的最小个数P；根据最小个数P和存储单元对应的预设电流，确定存储单元的写入电流。在上述方法中，确定驱动N个第二单元读写正确所需的第一单元的最小个数P，进而根据最小个数P和存储单元对应的预设电流确定存储单元的写入电流，可以避免使用外围电路确定写入电流，降低功耗和成本，简化SRAM所在的存储设备的电路结构，降低SRAM所在的存储设备的芯片设计面积，适用于实际的存储设备产品中。附图说明为了更清楚地说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流确定方法，其特征在于，应用于存储设备，所述存储设备包括至少两个存储单元，所述方法包括：/n在所述至少两个存储单元中确定M个第一单元和N个第二单元，所述M个第一单元用于驱动所述N个第二单元执行读写操作，所述M和所述N分别为大于1的整数；/n确定驱动所述N个第二单元读写正确所需的所述第一单元的最小个数P，所述P为整数，1≤P≤M；/n根据所述最小个数P和所述存储单元对应的预设电流，确定所述存储单元的写入电流。/n

【技术特征摘要】
1.一种电流确定方法，其特征在于，应用于存储设备，所述存储设备包括至少两个存储单元，所述方法包括：
在所述至少两个存储单元中确定M个第一单元和N个第二单元，所述M个第一单元用于驱动所述N个第二单元执行读写操作，所述M和所述N分别为大于1的整数；
确定驱动所述N个第二单元读写正确所需的所述第一单元的最小个数P，所述P为整数，1≤P≤M；
根据所述最小个数P和所述存储单元对应的预设电流，确定所述存储单元的写入电流。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定驱动所述N个第二单元读写正确所需的所述第一单元的最小个数P，包括：
执行至少两次测试操作，第i次测试操作包括：控制Pi个所述第一单元驱动所述N个第二单元执行读写操作，得到所述第i次测试操作对应的读写正确率；
根据所述至少两次测试操作对应的读写正确率，确定所述最小个数P。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述至少两次测试操作对应的第一驱动单元的数量依次递减。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述至少两次测试操作中存在至少一次第一测试操作，所述第一测试操作对应的读写正确率小于第一阈值。


5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，根据所述至少两次测试操作对应的读写正确率，确定所述最小个数P，包括：
在所述至少两次测试操作中确定第二测试操作，所述第二测试操作为所述至少两次测试操作中、首次读写正...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世程，王林，陈根华，徐柯，
申请(专利权)人：苏州兆芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32