检查装置制造方法及图纸

提供不需预先加热探测卡，就可进行高温检查，并且即使探针的针尖位置变动，也可以实时地校正为适当的接触负荷，进行可靠性高的检查，并可防止损伤探测卡或被检查体的检查装置。本发明专利技术的检查装置具有载置半导体晶片Ｗ的可移动的载置台（１０）、配置在载置台（１０）上的探测卡（３０）、控制载置台（１０）的控制装置（４０）、支撑载置体（１１）的支撑体（１２）、和设在支撑体（１２）内的升降驱动机构（１４）。在载置体（１１）和支撑体（１２）之间设置检测接触负荷的压力传感器（１５）。另外，控制装置（４０）根据压力传感器（１５）的检测信号控制升降驱动机构（１４）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体晶片等被检查体进行电特性检查的检查装置，更详细而言，涉及即使在高温下或低温下，也能以较高的可靠性进行检查的检查装置。
技术介绍
如图6所示，现有的检查装置具有载置被检查体(例如半导体晶片)W的可移动的载置台1、在水平方向和上下方向移动载置台1的驱动机构2、配置在载置台1的上方的探测卡3、使探测卡3的多个探针3A和载置台1上的半导体晶片W的多个电极衬垫的位置重合的对准机构4、以及控制包含载置台1和对准机构4的各种机器的控制装置5。在控制装置5的控制下，进行载置台1上的半导体晶片W的多个电极衬垫和探测卡3的多个探针3A的位置重合，在使多个电极衬垫和多个探针3A接触后，过激励(overdrive)半导体晶片W，在规定的接触负荷下，进行半导体晶片W的电特性的检查。对准机构4具有对载置台1上的半导体晶片W摄象的第一摄像机4A；对探测卡3的探针3A摄象的第二摄像机4B；对第一，第二摄像机4A、4B的拍摄图像进行图像处理的图像处理部4C、4D。根据半导体晶片W的多个电极衬垫和探测卡3的多个探针3A各自的拍摄图像进行多个电极衬垫和多个探针3A的位置重合。另外，在图6中，4E为对准电桥。例如，在进行半导体晶片W的高温检查的情况下，利用装在载置台1内的温度调节机构，将载置台1上的半导体晶片W加热至150℃。另一方面，通过对准机构4，进行放载台1上的半导体晶片W的多个电极衬垫和探测卡3的多个探针3A的对准，利用升降驱动机构使载置台1上升，在使多个电极衬垫和多个探针3A接触后，进一步过激励半导体晶片W，在规定的接触负载下，使多个电极衬垫和多个探针3A-->电接触，在150℃的高温下，进行半导体晶片W的电特性检查。然而，在检查的初期阶段，半导体晶片W被加热至150℃的高温，但由于探测卡3没有被加热，所以在半导体晶片W和探针3A之间有较大的温度差。由此，在检查时，当多个探针3A与半导体晶片W的最初的电极衬垫接触时，多个探针3A被载置台1上的半导体晶片W直接加热而热膨胀伸长。另外，探测卡3主体也由于来自半导体晶片W的放热逐渐被加热而热膨胀。在反复进行半导体晶片W内的器件的检查期间，探测卡3主体和探针3A的温度慢慢地变高，探针3A从图7(a)所示的状态，如该图(b)中细线所示延伸。由于探针针尖位置慢慢地从当初的位置位移，所以当以预先设定的过激励量对半导体晶片W进行过激励时，来自探针3A的接触负荷过大，会损伤探针3A或电极衬垫P。另外，还存在探测卡3热膨胀，至探针3A的针尖位置稳定需要长的时间的问题。因此，在进行高温检查的情况下，预先加热探测卡，使探测卡完全热膨胀，在尺寸稳定后进行高温检查。然而，伴随着探测卡的大型化，预热需要例如20～30分的长时间。因此，在专利文献1所述的技术中，使探针与设定为检查时的高温的半导体晶片直接接触，从探测卡附近预热探测卡。[专利文献1]：日本特开2007-088203然而，在专利证文献1的技术中，在高温检查中，探测卡几乎不热膨胀，通过规定的过激励，可得到探针和半导体晶片的稳定的接触负荷，可以防止探测卡或半导体晶片的损伤。但在检查时间之外还需要探测卡的预热时间，存在检查时间延长一个预热时间的问题。另外，当被检查体交换或对准等，载置台1离开探测卡3时，存在探测卡冷却而使探针3A的位置变动的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题提出的，其目的是提供不预热探测卡，就可进行高温检查，即使探针的针尖位置变动，也可以实时地校正为适当的接触负荷，进行可靠性高的检查，进而可以防止探测卡或被检查体的操作的检查装置。-->本专利技术的第一方面所述的一种检查装置，它具有载置被检查体的可移动的载置台、配置在上述载置台的上方的探测卡、和控制上述载置台的控制装置它可以过压激励上述载置台，在规定的接触负荷下使载置在上述载置台上的上述被检查体的多个电极和上述探测卡的多个探针接触，进行被检查体的检查；其特征为，上述载置台具有可调整温度的载置体、支撑载置体的支撑体、设在支撑体内的升降驱动机构。在载置体和支撑体之间设置检测接触负荷的压力传感器。另外，控制装置根据压力传感器的检测信号控制升降驱动机构。本专利技术的第二方面所述的检查装置，其特征为，沿着上述载置体的外周配置多个上述压力传感器。本专利技术的第三方面所述的检查装置为如第一或第二方面所述的检查装置，其特征为，上述压力传感器由静电电容式压力传感器构成。另外，本专利技术的第四方面所述的检查装置为如第一或第二方面所述的检查装置，其特征为，上述压力传感器作为多个静电电容式压力传感器元件纵横排列的阵列传感器构成。另外，本专利技术的第五方面所述的检查装置为如第四方面所述的检查装置，其特征为，上述控制装置根据上述压力传感器的检测信号，三维或二维地简化上述接触负荷的三维分布状态，利用显示装置进行可视化。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供不需预先加热探测卡，就可进行高温检查，即使探针的针尖位置变动，也可以实时地校正为适当的接触负荷，进行可靠性高的检查，并可防止损伤探测卡或被检查体的检查装置。附图说明图1为表示本专利技术的检查装置的主要部分的侧视图。图2(a)～(c)为分别表示本专利技术的检查装置所使用的载置台的一个是实施例的图；(a)为分解立体图，(b)为表示(a)所示的载置台的主要部分的平面图，(c)为表示载置台的主要部分的截面图。图3(a)(b)为分别模式表示图2所示的压力传感器的图；(a)-->为俯视图，(b)为放大表示(a)的一部分的截面图；图4为表示具有图2所示的载置台的检查装置控制系统的方框图；图5(a)(b)为分别部分地放大表示在图2所示的载置台上，使半导体晶片和探测卡接触，进行高温检查的状态的图；(a)表示接触后的截面图，(b)为表示探测卡热膨胀的状态的截面图；图6为模式表示现有的检查装置的一个例子的构成图；图7(a)(b)为分别部分地放大表示使用图2所示的检查装置，使半导体晶片和探测卡接触，进行高温检查的状态的图；(a)为表示接触后的截面图；(b)为表示探测卡热膨胀的状态的截面图。符号说明10  载置台11  载置体12  支撑体15  压力传感器30  探测卡31  探针40  控制装置151 静电电容式压力传感元件W   半导体晶片(被检查体)。具体实施方式以下，根据图2～图5所示的实施例说明本专利技术。另外，在各图中，图1为表示本专利技术的检查装置的主要部分的侧视图。图2(a)～(c)为分别表示在本专利技术的检查装置所使用的载置台的一个是实施例的图，(a)为分解立体图，(b)为表示(a)所示的载置台的主要部分的俯视图，(c)为表示载置台的主要部分的截面图。图3(a)(b)为分别模式表示图2所示的压力传感器的图，(a)为俯视图，(b)为放大表示(a)的一部分的截面图。图4为表示具有图2所示的载置台的检查装置的控制系统的方框图。图5(a)(b)为分别部分地放大表示在图2所示的载置台上，使半导体晶片和探测卡接触，进行高温检查的-->状态的图，(a)表示接触后的截面图，(b)为表示探测卡热膨胀状态的截面图。如图1所示，本实施例的检查装置包括：载置被检查体(例如半导体晶片)W，可在X、Y、Z和θ方向移动的载置台10；在X、Y方向移动载置台10的X、Y工作台20；配置在载置台10的上方的探测卡30；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检查装置，其具有载置被检查体的能够移动的载置台、配置在所述载置台的上方的探测卡、和控制所述载置台的控制装置，其过激励所述载置台，使载置在所述载置台上的所述被检查体的多个电极和所述探测卡的多个探针以规定的接触负荷接触，检查所述被检查体，其特征在于：　所述载置台具有可调整温度的载置体、支撑所述载置体的支撑体、设在所述支撑体内的升降驱动机构，在所述载置体和所述支撑体之间设置检测所述接触负荷的压力传感器，另外，所述控制装置根据所述压力传感器的检测信号控制所述升降驱动机构。

【技术特征摘要】
JP 2007-11-22 2007-3032191.一种检查装置，其具有载置被检查体的能够移动的载置台、配置在所述载置台的上方的探测卡、和控制所述载置台的控制装置，其过激励所述载置台，使载置在所述载置台上的所述被检查体的多个电极和所述探测卡的多个探针以规定的接触负荷接触，检查所述被检查体，其特征在于：所述载置台具有可调整温度的载置体、支撑所述载置体的支撑体、设在所述支撑体内的升降驱动机构，在所述载置体和所述支撑体之间设置检测所述接触负荷的压力传感器，另外，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：萩原顺一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]