大过流场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种大过流场效应晶体管，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：P型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区；从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层；其中，所述PN结掺杂区包括相互交错排成一列的多个第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，相邻两个叉指结构之间共用所述PN结掺杂区的阳极。本实用新型专利技术可以改善器件的不均匀导通问题；提高器件鲁棒性；获得较高失效电流。

【技术实现步骤摘要】
大过流场效应晶体管
本技术涉及电子电路领域，具体地，涉及一种大过流场效应晶体管。
技术介绍
场效应晶体管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，低栅电荷开关场效应晶体管用于低工作电压的情况。多叉指金属-氧化物-半导体场效应晶体管具有较大的跨导、较高的截止频率，因而广泛应用于射频集成电路之中。传统多指器件均存在导通不均匀问题，鲁棒性差。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种大过流场效应晶体管。根据本技术提供的一种大过流场效应晶体管，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：P型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区作为漏极；从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层；其中，所述PN结掺杂区包括相互交错排成一列的多个第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，相邻两个叉指结构之间共用所述PN结掺杂区的阳极。优选地，还包括金属层，所述金属层将所述多个叉指结构相连。优选地，所述金属层的走线左右对称。优选地，所述大过流场效应晶体管呈长方形。优选地，所述大过流场效应晶体管的工作电压为18V。优选地，每两个叉指结构之间增加保护环。与现有技术相比，本技术具有如下的有益效果：1、通过左右两两叉指之间共用阳极，达到了节省版图面积的目的。2、通过不共用场效应晶体管的阴极，增加晶体管的过流能力。3、通过源极交错分布的P+和N+，使得寄生NPN的发射极面积增加，增加晶体管的过流能力。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本技术叉指结构的剖视图；图2为本技术整体结构俯视图；图3为本技术整体结构增加金属层后的俯视图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本技术，但不以任何形式限制本技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本技术的保护范围。如图1至图3所示，本技术提供的一种大过流场效应晶体管，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：P型基底1，从P型基底1的部分顶面至内部设置有深N阱2。从深N阱2的部分顶面至内部设置有P阱3和第一N型掺杂区4，所述第一N型掺杂区4作为漏极。从P阱3的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，PN结掺杂区作为源极，P阱3的另一部分顶面上设置有POLY层。其中，PN结掺杂区包括相互交错排成一列的多个第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，相邻两个叉指结构之间共用PN结掺杂区的阳极。最外侧深N阱起到隔离作用，通过金属层将多个叉指结构相连。金属层的走线左右对称，接触孔和通孔分布同样也是左右对称。本技术的18V工作电压高可靠性大过流场效应晶体管器件具备如下特点：1、此场效应晶体管包含一个八叉指场效应晶体管的核心器件，通过左右两两叉指之间共用阳极，达到了节省版图面积的目的；2、此场效应晶体管核心器件通过合适的击穿面设计，使得核心器件的雪崩击穿电压适用于18V工作电压的内核电路；3、通过不共用场效应晶体管的阴极，增加晶体管的过流能力；4、通过源极交错分布的P+和N+，使得寄生NPN的发射极面积增加，增加晶体管的过流能力；5、通过在每2指之间加保护环来增加阴极宽度，进一步增加场效应晶体管的过流能力；6、将核心器件的版图绘制成长方形，并且两两叉指共用阳极，使阳极被阴极包围，增加了电流流经路径。本实用新的结构设计，对18V工作电压analog/digital电源系统的场效应晶体管器件版图设计具有高可靠性，能够有效提高场效应晶体管器件的过流能力。不仅保持了多叉指高压器件的ESD鲁棒性，同时改善了单位面积的鲁棒性，可避免过早失效，并且获得较高的失效电流。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。以上对本技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本技术的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大过流场效应晶体管，其特征在于，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：/nP型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；/n从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区作为漏极；/n从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；/n所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层；/n其中，所述PN结掺杂区包括相互交错排成一列的多个第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，相邻两个叉指结构之间共用所述PN结掺杂区的阳极。/n

【技术特征摘要】
1.一种大过流场效应晶体管，其特征在于，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：
P型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；
从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区作为漏极；
从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；
所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层；
其中，所述PN结掺杂区包括相互交错排成一列的多个第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，相邻两个叉指结构之间共用所述PN结掺杂区的阳极。


2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅寅松，吴岩，
申请(专利权)人：上海安导电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31