一种研磨设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种研磨设备，包括：基座；凹槽抛光结构，凹槽抛光结构与基座相连，凹槽抛光结构用于抛光晶圆的凹槽；圆边抛光结构，圆边抛光结构与基座相连，凹槽抛光结构与圆边抛光结构沿基座的周向间隔开设置，圆边抛光结构用于抛光晶圆的圆边；检测结构，检测结构与基座相连，且检测结构邻近圆边抛光结构设置，检测结构用于监测晶圆的表面。在研磨过程中，通过凹槽抛光结构抛光晶圆的凹槽，通过圆边抛光结构抛光晶圆的圆边，通过检测结构监测晶圆的表面，以便及时检测出晶圆的不良，能够及时对晶圆进行在加工，降低晶圆的不良率，改善晶圆的品质，提高设备产能，降低制造费用。

【技术实现步骤摘要】
一种研磨设备
本技术涉及硅片
，具体涉及一种研磨设备。
技术介绍
在硅片研磨过程中，硅片的表面会出现异常，使得硅片的品质不良，难以满足实际要求，当硅片出现不良时需要重新进行加工。在硅片研磨结束后，通过人工进行检测硅片，比如，利用显微镜进行手动检测，但是由于不能及时检测出硅片是否出现不良，导致硅片的加工效率低，硅片边缘加工不良率高。因边缘抛光工艺不是对平面的表面进行研磨，而是对硅片边缘的曲面进行研磨，因此从结构上和特性上很难在所有的方向上进行均一研磨，尤其在边缘圆边部会发生很多研磨不良，在发生不良时，边缘加工后到检测的周期时间较长，因此直到确认到不良时，在已作业的硅片中已发生了大量的不良，因为需要返工发生不良的硅片，导致设备产能减少，制造费用升高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种研磨设备，用以解决硅片研磨过程中不能及时检测硅片表面的不良，导致硅片的加工效率低，硅片边缘加工不良率高的问题。为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：根据本技术实施例的研磨设备，包括：基座；凹槽抛光结构，所述凹槽抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构用于抛光晶圆的凹槽；圆边抛光结构，所述圆边抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构与所述圆边抛光结构沿所述基座的周向间隔开设置，所述圆边抛光结构用于抛光所述晶圆的圆边；检测结构，所述检测结构与所述基座相连，且所述检测结构邻近所述圆边抛光结构设置，所述检测结构用于监测所述晶圆的表面。其中，所述凹槽抛光结构包括：第一抛光结构和第一支撑座，所述第一支撑座设在所述基座上，所述第一抛光结构邻近所述第一支撑座设置以抛光所述晶圆的凹槽；所述圆边抛光结构包括：第二抛光结构和第二支撑座，所述第二支撑座设在所述基座上，所述第二抛光结构邻近所述第二支撑座设置以抛光所述晶圆的圆边。其中，所述凹槽抛光结构与所述圆边抛光结构分别具有多个。其中，还包括：装载结构，所述装载结构与所述基座相连以用于向所述凹槽抛光结构上装载所述晶圆；卸载结构，所述卸载结构与所述基座相连以用于卸载所述晶圆。其中，还包括：喷洒结构，所述喷洒结构与所述基座相连，所述喷洒结构用于向所述晶圆喷洒研磨液。其中，还包括：清洗结构，所述清洗结构邻近所述圆边抛光结构设置，所述清洗结构用于清洗晶圆；干燥结构，所述干燥结构邻近所述清洗结构设置，所述干燥结构用于干燥清洗后的所述晶圆。其中，所述清洗结构位于所述圆边抛光结构与所述检测结构之间，所述干燥结构位于所述清洗结构与所述检测结构之间。其中，所述检测结构包括摄像头，所述摄像头用于监测所述晶圆的表面。其中，所述检测结构还包括：暗室，所述摄像头设在所述暗室中；光源，所述光源设在所述暗室中。其中，所述检测结构还包括：可旋转的承载台，所述承载台用于承载所述晶圆，所述摄像头邻近所述承载台设置。其中，所述检测结构包括：激光器，所述激光器用于向晶圆的侧表面发射激光；接收器，所述接收器用于检测所述晶圆的侧表面散射的激光的强度。本技术的上述技术方案的有益效果如下：根据本技术实施例的研磨设备，凹槽抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构用于抛光晶圆的凹槽，所述圆边抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构与所述圆边抛光结构沿所述基座的周向间隔开设置，所述圆边抛光结构用于抛光所述晶圆的圆边，所述检测结构与所述基座相连，且所述检测结构邻近所述圆边抛光结构设置，所述检测结构用于监测所述晶圆的表面。在研磨过程中，可以通过凹槽抛光结构抛光晶圆的凹槽，通过圆边抛光结构抛光晶圆的圆边，通过检测结构监测晶圆的表面，以便及时检测出晶圆的不良，能够及时对晶圆进行在加工，降低晶圆的不良率，改善晶圆的品质，提高设备产能，降低制造费用。附图说明图1为本技术实施例的研磨设备的一个示意图；图2为圆边抛光结构的一个示意图；图3为凹槽抛光结构的一个示意图；图4为凹槽抛光结构抛光凹槽时的一个示意图；图5为检测结构的一个示意图；图6为检测结构的另一个示意图；图7为检测时散射光强度超过预设强度的一个示意图。附图标记基座10；凹槽抛光结构20；第一抛光结构21；第一支撑座22；抛光头23；圆边抛光结构30；第二抛光结构31；第二支撑座32；抛光盘33；抛光垫34；检测结构40；摄像头41；暗室42；光源43；承载台44；激光器45；接收器46；装载结构50；卸载结构51；喷洒结构52；清洗结构53；干燥结构54；晶圆60。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。下面具体描述根据本技术实施例的研磨设备。如图1至图6所示，根据本技术实施例的研磨设备包括基座10、凹槽抛光结构20、圆边抛光结构30和检测结构40。具体而言，凹槽抛光结构20与基座10相连，凹槽抛光结构20用于抛光晶圆的凹槽，圆边抛光结构30与基座10相连，凹槽抛光结构20与圆边抛光结构30沿基座10的周向间隔开设置，圆边抛光结构30用于抛光所述晶圆的圆边，检测结构40与基座10相连，且检测结构40邻近圆边抛光结构30设置，检测结构40用于监测所述晶圆的表面。也就是说，研磨设备主要由基座10、凹槽抛光结构20、圆边抛光结构30和检测结构40构成，凹槽抛光结构20可以与基座10相连，通过凹槽抛光结构20可以抛光晶圆的凹槽，圆边抛光结构30与基座10相连，通过圆边抛光结构30可以抛光晶圆的圆边，凹槽抛光结构20与圆边抛光结构30沿基座10的周向间隔开设置，凹槽抛光结构20与圆边抛光结构30可以具有多个，比如，凹槽抛光结构20与圆边抛光结构30分别具有两个，检测结构40与基座10相连，且检测结构40邻近圆边抛光结构30设置，便于检测晶圆的表面(比如晶圆的侧表面)，检测结构40可以监测晶圆的表面。可以通过凹槽抛光结构20抛光晶圆的凹槽之后，再通过圆边抛光结构30抛光晶圆的圆边，然后通过检测结构40可以监测晶圆的表面，比如，可以通过检测结构40检测晶圆的边缘是否不良。将抛光结构以及检测结构集合在一起，便于在抛光后进行检测。在研磨过程中，可以通过凹槽抛光结构20抛光晶圆的凹槽，通过圆边抛光结构30抛光晶圆的圆边，通过检测结构40监测晶圆的表面，以便及时检测出晶圆的不良，能够及时对晶圆进行再加工，降低晶圆的不良率，可以降低再作业率，改善晶圆的品质，有效减少投资费和人工费。在本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨设备，其特征在于，包括：/n基座；/n凹槽抛光结构，所述凹槽抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构用于抛光晶圆的凹槽；/n圆边抛光结构，所述圆边抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构与所述圆边抛光结构沿所述基座的周向间隔开设置，所述圆边抛光结构用于抛光所述晶圆的圆边；/n检测结构，所述检测结构与所述基座相连，且所述检测结构邻近所述圆边抛光结构设置，所述检测结构用于监测所述晶圆的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种研磨设备，其特征在于，包括：
基座；
凹槽抛光结构，所述凹槽抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构用于抛光晶圆的凹槽；
圆边抛光结构，所述圆边抛光结构与所述基座相连，所述凹槽抛光结构与所述圆边抛光结构沿所述基座的周向间隔开设置，所述圆边抛光结构用于抛光所述晶圆的圆边；
检测结构，所述检测结构与所述基座相连，且所述检测结构邻近所述圆边抛光结构设置，所述检测结构用于监测所述晶圆的表面。


2.根据权利要求1所述的研磨设备，其特征在于，所述凹槽抛光结构包括：第一抛光结构和第一支撑座，所述第一支撑座设在所述基座上，所述第一抛光结构邻近所述第一支撑座设置以抛光所述晶圆的凹槽；
所述圆边抛光结构包括：第二抛光结构和第二支撑座，所述第二支撑座设在所述基座上，所述第二抛光结构邻近所述第二支撑座设置以抛光所述晶圆的圆边。


3.根据权利要求1所述的研磨设备，其特征在于，所述凹槽抛光结构与所述圆边抛光结构分别具有多个。


4.根据权利要求1所述的研磨设备，其特征在于，还包括：
装载结构，所述装载结构与所述基座相连以用于向所述凹槽抛光结构上装载所述晶圆；
卸载结构，所述卸载结构与所述基座相连以用于卸载所述晶圆。


5.根据权利要求1所述的研磨设备，其特征在于，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔世勋，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61