一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法技术

本申请实施例公开了一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法，静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路；正向放电通路的输入端和反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；正向放电通路的输出端和反向放电通路的输入端，与场效应管接入的接地端连接；静电放电保护电路，用于在场效应管出现静电放电现象的情况下，利用正向放电通路或反向放电通路对场效应管进行过压或过流保护。

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法
本申请实施例涉及射频功率放大器保护
，尤其涉及一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法。
技术介绍
静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)保护电路，是一种为了保护电子元件或电子系统受到过度电性应力破坏而设计的电路。电性应力破坏会导致半导体元件形成永久性的毁坏，从而影响集成电路(IntegratedCircuits，ICs)的电路功能，使电子产品不能正常工作。目前，针对于射频功率放大器的静电放电保护，主要采用两种方式，一种方式是利用射频功率放大器的场效应管的自身能力，化解电压电流，如图1所示，然而，需要采用较大尺寸的场效应管，另一种方式如图2所示，将静电放电保护电路连接于场效应管的漏极，但是，漏极电压电流摆幅较高，静电放电保护电路需要叠加很多的二极管，造成寄生电阻和寄生电容过大，从而影响阻抗匹配。
技术实现思路
本申请实施例提供一种射频功率放大器的静电放电保护电路及方法，将静电放电保护电路与电源端和接地端连接，使静电放电保护电路的电压摆幅降低，从而减少了静电放电保护电路需要堆叠的二极管数量，电路结构简单，且降低了寄生效应对射频功率放大器性能的影响。本申请实施例的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供了一种射频功率放大器的静电放电保护电路，所述静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路；所述正向放电通路的输入端和所述反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；>所述正向放电通路的输出端和所述反向放电通路的输入端，与所述场效应管接入的接地端连接；所述静电放电保护电路，用于在所述场效应管出现静电放电现象的情况下，利用所述正向放电通路或所述反向放电通路对所述场效应管进行过压或过流保护。在上述静电放电保护电路中，所述正向放电通路包括：堆叠耐压不小于所述电源端的电压反向摆幅最大值，且依次首尾连接的第一预设数量个正向偏置二极管。在上述静电放电保护电路中，所述第一预设数量，基于所述电源端的电压正向摆幅最大值和所述正向偏置二级管的开启电压确定。在上述静电放电保护电路中，所述反向放电通路包括：堆叠耐压不小于所述电源端的电压正向摆幅最大值，且依次首尾连接的第二预设数量个反向偏置二极管。在上述静电放电保护电路中，所述第二预设数量，基于所述电源端的电压反向摆幅最大值和所述反向偏置二极管的开启电压确定。在上述静电放电保护电路中，所述射频功率放大器还包括电感；所述电感连接于所述场效应管的漏极与所述电源端之间。在上述静电放电保护电路中，所述射频功率放大器还包括阻抗匹配电路；所述阻抗匹配电路与所述场效应管的漏极连接。在上述静电放电保护电路中，所述场效应管的源极与所述接地端连接。本申请实施例还提供了一种射频功率放大器的静电放电保护方法，应用于静电放电保护电路，所述静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路，所述方法包括：在射频功率放大器中场效应管出现静电放电现象情况下，导通所述正向放电通路或所述反向放电通路；利用导通的放电通路，对所述场效应管进行过压或过流保护。在上述静电放电保护方法中，所述在射频功率放大器中场效应管出现静电放电现象的情况下，导通所述正向放电通路或所述反向放电通路，包括：在所述场效应管的漏极出现静电放电现象的情况下，导通所述正向放电通路；在所述场效应管的源极出现静电放电现象的情况下，导通所述反向放电通路。本申请实施例提供了一种射频功率放大器的静电放电保护电路，静电放电包括电路包括：正向放电通路和反向放电通路；正向放电通路的输入端和反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；正向放电通路的输出端和反向放电通路的输入端，与场效应管接入的接地端连接；静电放电保护电路，用于在场效应管出现静电放电现象的情况下，利用正向放电通路或反向放电通路对场效应管进行过压或过流保护。本申请实施例提供的射频功率放大器的静电放电保护电路，与电源端和接地端连接，使静电放电保护电路的电压摆幅降低，从而减少了静电放电保护电路需要堆叠的二极管数量，电路结构简单，且降低了寄生效应对射频功率放大器性能的影响。附图说明图1为现有技术提供的一种静电放电保护电路的结构示意图一；图2为现有技术提供的一种静电放电保护电路的结构示意图二；图3为本申请实施例提供的一种静电放电保护电路的结构示意图；图4为本申请实施例提供的一种正向放电通路和反向放电通路的连接示意图；图5为本申请实施例提供的一种正向放电通路和反向放电通路的具体结构示意图。图6为本申请实施例提供的一种静电放电保护方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关申请，而非对该申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关申请相关的部分。本申请实施例提供了一种射频功率放大器的静电放电保护电路。图3为本申请实施例提供的一种射频功率放大器的静电放电保护电路的结构示意图。如图3所示，静电放电保护电路1包括：正向放电通路10和反向放电通路11；正向放电通路10的输入端和反向放电通路11的输出端，与射频功率放大器中场效应管2接入的电源端3连接；正向放电通路10的输出端和反向放电通路11的输入端，与场效应管2接入的接地端4连接；静电放电保护电路1，用于在场效应管2出现静电放电现象的情况下，利用正向放电通路10或反向放电通路11对场效应管2进行过压或过流保护。需要说明的是，在本申请的实施例中，人体是一个导体，通常人体上面会存在一定的静电，在射频功率放大器使用的过程中，当带静电的人体接触到时，很容易发生静电放电，会在场效应管2的引脚上产生一个瞬时的高压或者大电流，即场效应管2出现静电放电现象。当然，场效应管2也可能出现由其它因素引起的静电放电现象，但是，均是导致其产生瞬时高压或者大电流。需要说明的是，在本申请的实施例中，如图3所示，正向放电通路10可以和反向放电通路11首尾相连，形成两个端口，从而将正向放电通路10的输入端和反向放电通路11的输出端连接在一起的一端与场效应管2接入的电源端3连接，相应的，将正向放电通路10的输出端和反向放电通路11的输入端连接在一起的一端与场效应管2接入的接地端4连接。图4为本申请实施例提供的一种正向放电通路和反向放电通路的连接示意图。如图4所示，正向放电通路10的和反向放电通路11的输入端和输出端也可以各自分别与电源端3和接地端4进行连接。具体的正向放电通路10和反向放电通路11的连接方式本申请实施例不作限定。需要说明的是，在本申请的实施例中，场效应管2具体可以包括两种静电放电现象，一种是场效应管2的漏极出现静电放电现象，另一种是场效应管2的源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频功率放大器的静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路；/n所述正向放电通路的输入端和所述反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；/n所述正向放电通路的输出端和所述反向放电通路的输入端，与所述场效应管接入的接地端连接；/n所述静电放电保护电路，用于在所述场效应管出现静电放电现象的情况下，利用所述正向放电通路或所述反向放电通路对所述场效应管进行过压或过流保护。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器的静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：正向放电通路和反向放电通路；
所述正向放电通路的输入端和所述反向放电通路的输出端，与射频功率放大器中场效应管接入的电源端连接；
所述正向放电通路的输出端和所述反向放电通路的输入端，与所述场效应管接入的接地端连接；
所述静电放电保护电路，用于在所述场效应管出现静电放电现象的情况下，利用所述正向放电通路或所述反向放电通路对所述场效应管进行过压或过流保护。


2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述正向放电通路包括：堆叠耐压不小于所述电源端的电压反向摆幅最大值，且依次首尾连接的第一预设数量个正向偏置二极管。


3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述第一预设数量，基于所述电源端的电压正向摆幅最大值和所述正向偏置二级管的开启电压确定。


4.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述反向放电通路包括：堆叠耐压不小于所述电源端的电压正向摆幅最大值，且依次首尾连接的第二预设数量个反向偏置二极管。


5.根据权利要求4所述的静电放电保护电路，其特征在于，
所述第二预设数量，基于所述电源端的电压反向摆幅最...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏强，彭振飞，陈帅，
申请(专利权)人：广州慧智微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44