压阻式微波功率传感器制造技术

压阻式微波功率传感器是利用终端电阻吸收微波功率发热产生薄膜应力，以压敏电阻的方式测得输入微波功率的结构，该传感器以Ｓｉ衬底（１）为衬底，Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］／ＳｉＯ↓［２］层（９）设在Ｓｉ衬底的底部，在Ｓｉ衬底上设有ＳｉＯ↓［２］绝缘层（２），ＳｉＯ↓［２］绝缘层（２）与腐蚀Ｓｉ衬底上的硅膜（１１）构成双层膜（８）结构，在双层膜（８）结构上设有共面波导（３），在共面波导的终端设有匹配电阻（４），在双层膜结构的边缘设有四个沿〈１１０〉方向的压敏电阻（６），压敏电阻通过接触金属（１０）由金属导线（５）构成惠斯登电桥，惠斯登电桥的四个引线端分别与压焊块（７）相接。该结构由放置在双层膜的边缘的压敏电阻测量膜的应力变化，得到输入微波功率的大小。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种压阻式微波功率传感器，其特征在于该传感器以Ｓｉ衬底（１）为衬底，Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２层（９）设在Ｓｉ衬底（１）的底部，在Ｓｉ衬底（１）上设有ＳｉＯ２绝缘层（２），ＳｉＯ２绝缘层（２）与腐蚀Ｓｉ衬底（１）上的硅膜（１１）构成双层膜（８）结构，在双层膜（８）结构上设有共面波导（３），在共面波导（３）的终端设有匹配电阻（４），在双层膜（８）结构的边缘设有四个沿〈１１０〉方向的压敏电阻（６），压敏电阻（６）通过接触金属（１０）由金属导线（５）构成惠斯登电桥，惠斯登电桥的四个引线端分别与压焊块（７）相接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆安，韩磊，廖小平，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]