一种多节点同步仿真测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多节点同步仿真测试装置，包括多个数据采集器、信号优化单元、处理器、时钟模块、电源模块和数据传输模块，多个数据采集器分别连接多个PMU装置，多个数据采集器通过信号优化单元连接处理器，时钟模块、电源模块分别连接处理器，处理器通过数据传输模块连接仿真设备，本实用新型专利技术工作原理简单，能够实现对多个PMU装置的同步采集和仿真测试，提高了测试效率。

【技术实现步骤摘要】
一种多节点同步仿真测试装置
本技术涉及同步仿真测试
，具体为一种多节点同步仿真测试装置。
技术介绍
PMU中文名称为电源管理单元，是一种高度集成的、针对便携式应用的电源管理方案，即将传统分立的若干类电源管理器件整合在单个的封装之内，这样可实现更高的电源转换效率和更低功耗,及更少的组件数以适应缩小的板级空间。目前的PMU仿真测试装置结构单一，测试效率低，因此，有必要进行改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种多节点同步仿真测试装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种多节点同步仿真测试装置，包括多个数据采集器、信号优化单元、处理器、时钟模块、电源模块和数据传输模块，多个数据采集器分别连接多个PMU装置，多个数据采集器通过信号优化单元连接处理器，所述时钟模块、电源模块分别连接处理器，所述处理器通过数据传输模块连接仿真设备。优选的，所述信号优化单元包括三极管A、三极管B、三极管C、三极管D、三极管E和三极管F，所述三极管A发射极连接电阻J一端，基极连接三极管E集电极，所述三极管A集电极分别连接电容A一端、电阻D一端和电阻E一端；所述三极管B基极连接电阻E另一端、电容A另一端和电阻F一端，发射极分别连接三极管C发射极和电阻G一端；所述三极管C集电极连接三极管E集电极，所述三极管C基极连接电容C一端，电容C另一端接信号输入端，所述三极管D发射极连接电阻A一端，基极连接三极管E基极，所述三极管E发射极连接电阻B一端，所述电阻A另一端分别连接电阻B另一端、电阻J另一端和电阻C另一端；所述三极管F基极连接电阻C一端，所述三极管F集电极连接电阻H一端，电阻H另一端连接三极管C基极，所述三极管F发射极连接电阻I一端，电阻I另一端分别连接电阻G另一端、电容B另一端和电阻D另一端。优选的，所述时钟模块内置的晶振为高精度压控恒温晶振，初始频率偏差小于200ppb，产生的信号经过宽带和窄带两级锁相环处理，形成稳定的时钟信号，误差不大于0.002ppm。优选的，所述处理器包括CPU、DDR、EPLD和flash存储芯片，所述CPU分别连接DDR、EPLD和flash存储芯片。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术工作原理简单，能够实现对多个PMU装置的同步采集和仿真测试，提高了测试效率；其中，采用的信号优化单元抗干扰能力强，能够将信号放大后再进行输出，能够有效的提高信号强度，进而提高了仿真测试效率。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术信号优化单元电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种多节点同步仿真测试装置，包括多个数据采集器1、信号优化单元2、处理器3、时钟模块4、电源模块5和数据传输模块6，多个数据采集器1分别连接多个PMU装置7，多个数据采集器1通过信号优化单元2连接处理器3，所述时钟模块4、电源模块5分别连接处理器3，所述处理器3通过数据传输模块6连接仿真设备8；其中，时钟模块内置的晶振为高精度压控恒温晶振，初始频率偏差小于200ppb，产生的信号经过宽带和窄带两级锁相环处理，形成稳定的时钟信号，误差不大于0.002ppm；处理器包括CPU、DDR、EPLD和flash存储芯片，所述CPU分别连接DDR、EPLD和flash存储芯片。本技术中，信号优化单元2包括信号接收单元8和信号放大传输单元9，所述信号接收单元8连接信号放大传输单元9，所述信号放大传输单元9包括场效应晶体管A1c、场效应晶体管B2c、运算放大器A1d和运算放大器B2d，所述场效应晶体管A1c栅极分别连接电阻A1a一端和电容A1b一端，电容A1b另一端接地，所述场效应晶体管A1c漏极连接场效应晶体管B2c源极，所述场效应晶体管A1c源极分别连接电阻C3a一端和电容D4b一端，所述场效应晶体管B2c漏极接地，栅极连接电容B2b一端，所述电容B2b另一端分别连接电阻B2a一端、电容C3b一端和电阻D4a一端，所述运算放大器A1d正极分别连接电阻E5a一端和电容D4b另一端，所述运算放大器A1d负极分别连接电阻F6a一端、电阻G7a一端，所述电阻F6a另一端连接电阻E5a另一端并接地，所述运算放大器A1d输出端分别连接电阻G7a另一端和电阻H8a一端，所述运算放大器B2d正极分别连接电阻H8a另一端、电容E5b一端和电阻I9a一端，所述运算放大器B2d负极接地，所述运算放大器B2d输出端分别连接电阻I9a另一端、电容E5b另一端和电阻J10a一端。综上所述，本技术工作原理简单，能够实现对多个PMU装置的同步采集和仿真测试，提高了测试效率；其中，采用的信号优化单元抗干扰能力强，能够将信号放大后再进行输出，能够有效的提高信号强度，进而提高了仿真测试效率。本技术未详述之处，均为本领域技术人员的公知技术。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多节点同步仿真测试装置，其特征在于：包括多个数据采集器(1)、信号优化单元(2)、处理器(3)、时钟模块(4)、电源模块(5)和数据传输模块(6)，多个数据采集器(1)分别连接多个PMU装置(7)，多个数据采集器(1)通过信号优化单元(2)连接处理器(3)，所述时钟模块(4)、电源模块(5)分别连接处理器(3)，所述处理器(3)通过数据传输模块(6)连接仿真设备(8)。/n

【技术特征摘要】
1.一种多节点同步仿真测试装置，其特征在于：包括多个数据采集器(1)、信号优化单元(2)、处理器(3)、时钟模块(4)、电源模块(5)和数据传输模块(6)，多个数据采集器(1)分别连接多个PMU装置(7)，多个数据采集器(1)通过信号优化单元(2)连接处理器(3)，所述时钟模块(4)、电源模块(5)分别连接处理器(3)，所述处理器(3)通过数据传输模块(6)连接仿真设备(8)。


2.根据权利要求1所述的一种多节点同步仿真测试装置，其特征在于：所述信号优化单元(2)包括三极管A(1b)、三极管B(2b)、三极管C(3b)、三极管D(4b)、三极管E(5b)和三极管F(6b)，所述三极管A(1b)发射极连接电阻J(10a)一端，基极连接三极管E(5b)集电极，所述三极管A(1b)集电极分别连接电容A(1c)一端、电阻D(4a)一端和电阻E(5a)一端；所述三极管B(2b)基极连接电阻E(5a)另一端、电容A(1c)另一端和电阻F(6a)一端，发射极分别连接三极管C(3b)发射极和电阻G(7a)一端；所述三极管C(3b)集电极连接三极管E(5b)集电极，所述三极管C(3b)基极连接电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽云，
申请(专利权)人：江苏莱尔曼电气科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32